|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Н. А. Ярыкин, В. Б. Шуман, Л. М. Порцель, А. Н. Лодыгин, Ю. А. Астров, Н. В. Абросимов, J. Weber, “Исследование энергетического спектра кристаллов Si : Mg методом DLTS”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 799–804   ; N. A. Yarykin, V. B. Shuman, L. M. Portsel', A. N. Lodygin, Yu. A. Astrov, N. V. Abrosimov, J. Weber, “DLTS investigation of the energy spectrum of Si : Mg crystals”, Semiconductors, 53:6 (2019), 789–794 |
2
|
| 2. |
В. И. Орлов, Н. А. Ярыкин, Е. Б. Якимов, “Влияние никеля и меди, введенных при комнатной температуре, на рекомбинационные свойства протяженных дефектов в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 433–436 ; V. I. Orlov, N. A. Yarykin, E. B. Yakimov, “Effect of nickel and copper introduced at room temperature on the recombination properties of extended defects in silicon”, Semiconductors, 53:4 (2019), 411–414 |
3
|
|
2015 |
| 3. |
Н. А. Ярыкин, J. Weber, “Формирование межузельного углерода в облученном легированном медью кремнии”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 728–731 ; N. A. Yarykin, J. Weber, “Interstitial carbon formation in irradiated copper-doped silicon”, Semiconductors, 49:6 (2015), 712–715 |
5
|
|
2013 |
| 4. |
Н. А. Ярыкин, J. Weber, “Идентификация медных и медь–водородных комплексов в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 239–243 ; N. A. Yarykin, J. Weber, “Identification of copper-copper and copper-hydrogen complexes in silicon”, Semiconductors, 47:2 (2013), 275–278 |
13
|
| 5. |
О. В. Феклисова, Н. А. Ярыкин, J. Weber, “Кинетика отжига борсодержащих центров в кремнии, облученном электронами”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 192–194 ; O. V. Feklisova, N. A. Yarykin, J. Weber, “Annealing kinetics of boron-containing centers in electron-irradiated silicon”, Semiconductors, 47:2 (2013), 228–231 |
13
|
|
1986 |
| 6. |
В. В. Аристов, П. Вернер, И. И. Снигирева, И. И. Ходос, Е. Б. Якимов, Н. А. Ярыкин, “Влияние отжига на электронно-микроскопическое изображение и спектр
DLTS дислокаций в деформированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 907–910 |
|
