|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Я. В. Левицкий, М. И. Митрофанов, Г. В. Вознюк, Д. Н. Николаев, М. Н. Мизеров, В. П. Евтихиев, “Изменение люминесцентных характеристик полупроводниковых гетероструктур при ионно-лучевом травлении”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1579–1583   ; Ya. V. Levitskii, M. I. Mitrofanov, G. V. Voznyuk, D. N. Nikolaev, M. N. Mizerov, V. P. Evtikhiev, “Changes in the photoluminescence properties of semiconductor heterostructures after ion-beam etching”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1545–1549 |
2
|
| 2. |
Р. В. Левин, В. Н. Неведомский, Н. Л. Баженов, Г. Г. Зегря, Б. В. Пушный, М. Н. Мизеров, “Исследование возможности изготовления напряженных сверхрешеток InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 273–276 ; R. V. Levin, V. N. Nevedomskiy, N. L. Bazhenov, G. G. Zegrya, B. V. Pushnii, M. N. Mizerov, “On the possibility of manufacturing strained InAs/GaSb superlattices by the mocvd method”, Semiconductors, 53:2 (2019), 260–263 |
1
|
|
2016 |
| 3. |
В. Г. Тихомиров, В. Е. Земляков, В. В. Волков, Я. М. Парнес, В. Н. Вьюгинов, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, А. Ф. Цацульников, Н. А. Черкашин, М. Н. Мизеров, В. М. Устинов, “Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/ AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 245–249 ; V. G. Tikhomirov, V. E. Zemlyakov, V. V. Volkov, Ya. M. Parnes, V. N. V’yuginov, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, A. F. Tsatsul'nikov, N. A. Cherkashin, M. N. Mizerov, V. M. Ustinov, “Optimization of the parameters of HEMT GaN/AlN/AlGaN heterostructures for microwave transistors using numerical simulation”, Semiconductors, 50:2 (2016), 244–248 |
24
|
| 4. |
Р. В. Левин, В. Н. Неведомский, Б. В. Пушный, Н. А. Берт, М. Н. Мизеров, “Сверхрешетки InAs/GaSb, изготовленные методом МОС-гидридной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 42:2 (2016), 79–84 ; R. V. Levin, V. N. Nevedomskiy, B. V. Pushnii, N. A. Bert, M. N. Mizerov, “InAs/GaSb superlattices fabricated by metalorganic chemical vapor deposition”, Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 96–98 |
4
|
|
2015 |
| 5. |
Р. В. Левин, А. Е. Маричев, М. З. Шварц, Е. П. Марухина, В. П. Хвостиков, Б. В. Пушный, М. Н. Мизеров, В. М. Андреев, “Фотоэлектрические преобразователи концентрированного солнечного излучения на основе InGaAsP(1.0 эВ)/InP-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 715–718 ; R. V. Levin, A. E. Marichev, M. Z. Shvarts, E. P. Marukhina, V. P. Khvostikov, B. V. Pushnii, M. N. Mizerov, V. M. Andreev, “Photovoltaic converters of concentrated sunlight, based on InGaAsP(1.0 eV)/InP heterostructures”, Semiconductors, 49:5 (2015), 700–703 |
14
|
| 6. |
В. В. Лундин, Д. В. Давыдов, Е. Е. Заварин, М. Г. Попов, А. В. Сахаров, Е. В. Яковлев, Д. С. Базаревский, Р. А. Талалаев, А. Ф. Цацульников, М. Н. Мизеров, В. М. Устинов, “МОС-гидридная эпитаксия III–N светодиодных гетероструктур с малой длительностью технологического процесса”, Письма в ЖТФ, 41:5 (2015), 9–17 ; V. V. Lundin, D. V. Davydov, E. E. Zavarin, M. G. Popov, A. V. Sakharov, E. V. Yakovlev, D. S. Bazarevskii, R. A. Talalaev, A. F. Tsatsul'nikov, M. N. Mizerov, V. M. Ustinov, “MOVPE of III–N LED structures with short technological process”, Tech. Phys. Lett., 41:3 (2015), 213–216 |
9
|
|
2013 |
| 7. |
В. С. Калиновский, Р. В. Лёвин, Б. В. Пушный, М. Н. Мизеров, В. Д. Румянцев, В. М. Андреев, “Получение и исследование $p$–$n$-структур с кристаллическими включениями в области пространственного заряда”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1677–1680 ; V. S. Kalinovskii, R. V. Levin, B. V. Pushnii, M. N. Mizerov, V. D. Rumancev, V. M. Andreev, “Fabrication and study of $p$–$n$ structures with crystalline inclusions in the space-charge region”, Semiconductors, 47:12 (2013), 1652–1655 |
2
|
|
2012 |
| 8. |
А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров, Ю. Г. Мусихин, С. О. Усов, М. Н. Мизеров, Н. А. Черкашин, “Гетероструктуры InGaN/GaN, выращенные методом субмонослойного осаждения”, Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012), 1357–1362 ; A. F. Tsatsul'nikov, V. V. Lundin, E. E. Zavarin, A. V. Sakharov, Yu. G. Musikhin, S. O. Usov, M. N. Mizerov, N. A. Cherkashin, “InGaN/GaN heterostructures grown by submonolayer deposition”, Semiconductors, 46:10 (2012), 1335–1340 |
1
|
| 9. |
А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, М. М. Рожавская, С. О. Усов, П. Н. Брунков, М. А. Синицын, Д. В. Давыдов, М. Н. Мизеров, Н. А. Черкашин, “Композитные InGaN/GaN/InAlN-гетероструктуры, излучающие в желто-красной области спектра”, Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012), 1304–1308 ; A. F. Tsatsul'nikov, V. V. Lundin, E. E. Zavarin, A. E. Nikolaev, A. V. Sakharov, M. M. Rozhavskaya, S. O. Usov, P. N. Brunkov, M. A. Sinicin, D. V. Davydov, M. N. Mizerov, N. A. Cherkashin, “Composite InGaN/GaN/InAlN heterostructures emitting in the yellow-red spectral region”, Semiconductors, 46:10 (2012), 1281–1285 |
5
|
| 10. |
В. И. Васильев, Г. С. Гагис, Р. В. Левин, Б. В. Пушный, А. Г. Дерягин, В. И. Кучинский, М. Н. Мизеров, “Твердые растворы AlInAsSb и AlGaInAsSb для барьерных слоев источников излучения спектрального диапазона 3–5 $\mu$m, полученные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений”, Письма в ЖТФ, 38:19 (2012), 66–74 ; V. I. Vasil'ev, G. S. Gagis, R. V. Levin, B. V. Pushnii, A. G. Deryagin, V. I. Kuchinskii, M. N. Mizerov, “AlInAsSb and AlGaInAsSb solid solutions for barrier layers of 3–5 $\mu$m spectral range radiation sources obtained by the method of vapor-phase epitaxy from organometallic compounds”, Tech. Phys. Lett., 38:10 (2012), 900–903 |
|
1984 |
| 11. |
Б. В. Егоров, С. Ю. Карпов, М. Н. Мизеров, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Концентрирующие голографические дифракционные
решетки
II. Экспериментальные результаты”, ЖТФ, 54:10 (1984), 1948–1955  |
| 12. |
С. Ю. Карпов, М. Н. Мизеров, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Концентрирующие топографические дифракционные
решетки
I. Теория”, ЖТФ, 54:10 (1984), 1942–1947 |
|
