|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
М. М. Соболев, Ф. Ю. Солдатенков, “Выявление условий формирования глубоких состояний дислокаций несоответствия и DX-центров в гетероэпитаксиальных слаболегированных Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$Sb$_y$/GaAs-слоях”, Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025), 165–170  |
|
2024 |
| 2. |
М. М. Соболев, Ф. Ю. Солдатенков, В. А. Козлов, “Выявление основных каналов рекомбинации в слабо легированных слоях GaAs $p$–$i$–$n$-диодов до и после облучения 1 МэВ нейтронами”, Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024), 453–460  |
|
2023 |
| 3. |
М. М. Соболев, Ф. Ю. Солдатенков, “Дефекты с глубокими уровнями в высоковольтных плавных $p$–$i$–$n$-гетеропереходах AlGaAsSb/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023), 644–647 |
|
2022 |
| 4. |
М. М. Соболев, Ф. Ю. Солдатенков, “Влияние нейтронного облучения на спектр дефектов с глубокими уровнями в GaAs, изготовленном методом жидкофазной эпитаксии в атмосфере водорода и аргона”, Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022), 53–60 |
1
|
|
2020 |
| 5. |
М. М. Соболев, Ф. Ю. Солдатенков, “Емкостная спектроскопия гетероэпитакиальных AlGaAs/GaAs $p$–$i$–$n$-структур”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1072–1078 ; M. M. Sobolev, F. Yu. Soldatenkov, “Capacitance spectroscopy of heteroepitaxial AlGaAs/GaAs $p$–$i$–$n$ structures”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1260–1266 |
3
|
|
2019 |
| 6. |
М. М. Соболев, Д. А. Явсин, С. А. Гуревич, “Влияние эффекта перколяции на температурные зависимости вольт-фарадных характеристик гетероструктур на основе композитных слоев наночастиц кремния и золота”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1431–1436 ; M. M. Sobolev, D. A. Yavsin, S. A. Gurevich, “Impact of percolation effect on temperature dependences of the capacitance-voltage characteristics of heterostructures based on composite layers of silicon and gold nanoparticles”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1393–1397 |
1
|
|
2018 |
| 7. |
М. М. Соболев, Ф. Ю. Солдатенков, “Влияние глубоких уровней дислокаций в гетероэпитаксиальных InGaAs/GaAs и GaAsSb/GaAs $p$–$i$–$n$-структурах на время релаксации неравновесных носителей”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 177–183 ; M. M. Sobolev, F. Yu. Soldatenkov, “Effect of dislocation-related deep levels in heteroepitaxial InGaAs/GaAs and GaAsSb/GaAs $p$–$i$–$n$ structures on the relaxation time of nonequilibrium carriers”, Semiconductors, 52:2 (2018), 165–171 |
8
|
| 8. |
М. М. Соболев, О. С. Кен, О. М. Сресели, Д. А. Явсин, С. А. Гуревич, “Выявление пространственного и квантового ограничения Si-наночастиц, нанесенных методом лазерного электродиспергирования на кристаллический Si”, Письма в ЖТФ, 44:7 (2018), 30–38 ; M. M. Sobolev, O. S. Ken, O. M. Sreseli, D. A. Yavsin, S. A. Gurevich, “Spatial and quantum confinement of Si nanoparticles deposited by laser electrodispersion onto crystalline Si”, Tech. Phys. Lett., 44:4 (2018), 287–290 |
8
|
|
2016 |
| 9. |
М. М. Соболев, Ф. Ю. Солдатенков, В. А. Козлов, “Исследования глубоких уровней GaAs $p$–$i$–$n$-структур”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 941–945 ; M. M. Sobolev, F. Yu. Soldatenkov, V. A. Kozlov, “Study of deep levels in GaAs $p$–$i$–$n$ structures”, Semiconductors, 50:7 (2016), 924–928 |
9
|
|
2015 |
| 10. |
М. М. Соболев, М. С. Буяло, В. Н. Неведомский, Ю. М. Задиранов, Р. В. Золотарева, А. П. Васильев, В. М. Устинов, Е. Л. Портной, “Эмиссионные спектры лазера на сверхрешетке квантовых точек In(Ga)As/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1379–1385 ; M. M. Sobolev, M. S. Buyalo, V. N. Nevedomskiy, Yu. M. Zadiranov, R. V. Zolotareva, A. P. Vasil'ev, V. M. Ustinov, E. L. Portnoǐ, “Emission spectra of a laser based on an In(Ga)As/GaAs quantum-dot superlattice”, Semiconductors, 49:10 (2015), 1335–1340 |
|
2014 |
| 11. |
М. М. Соболев, И. М. Гаджиев, М. С. Буяло, В. Н. Неведомский, Ю. М. Задиранов, Р. В. Золотарева, А. П. Васильев, В. М. Устинов, “Влияние толщины прослойки GaAs на квантовое связывание и оптическую поляризацию вертикально-коррелированной 10-слойной системы квантовых точек InAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1059–1064 ; M. M. Sobolev, I. M. Gadzhiev, M. S. Buyalo, V. N. Nevedomskiy, Yu. M. Zadiranov, R. V. Zolotareva, A. P. Vasil'ev, V. M. Ustinov, “Influence of GaAs spacer-layer thickness on quantum coupling and optical polarization in a ten-layer system of vertically correlated InAs/GaAs quantum dots”, Semiconductors, 48:8 (2014), 1031–1035 |
1
|
|
2012 |
| 12. |
М. М. Соболев, И. М. Гаджиев, И. О. Бакшаев, В. Н. Неведомский, М. С. Буяло, Ю. М. Задиранов, Р. В. Золотарева, Е. Л. Портной, “Поляризационные зависимости электролюминесценции и поглощения вертикально-коррелированных InAs/GaAs-квантовых точек”, Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012), 96–102 ; M. M. Sobolev, I. M. Gadzhiev, I. O. Bakshaev, V. N. Nevedomskiy, M. S. Buyalo, Yu. M. Zadiranov, R. V. Zolotareva, E. L. Portnoǐ, “Polarization dependences of electroluminescence and absorption of vertically correlated InAs/GaAs QDs”, Semiconductors, 46:1 (2012), 93–98 |
4
|
|
1992 |
| 13. |
М. М. Соболев, А. В. Гитцович, М. И. Папенцев, И. В. Кочнев, Б. С. Явич, “Механизм деградации (GaAs/AlGaAs)-лазера с квантовой ямой”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1760–1767 |
|
1984 |
| 14. |
М. М. Соболев, С. Г. Конников, М. Н. Степанова, “Исследования глубоких центров в нелегированном GaAs с помощью электронного зонда”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 383–385 |
|
