|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
Е. Д. Федоренко, А. И. Клевцов, А. И. Титов, В. Д. Андреева, А. Л. Шахмин, П. А. Карасев, А. И. Печников, В. И. Николаев, “Модификация приповерхностных слоев альфа оксида галлия при облучении сверхбольшими дозами ионов”, Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024), 513–523   |
|
2023 |
| 2. |
А. И. Стручков, К. В. Карабешкин, П. А. Карасев, А. И. Титов, “Анализ параметров индивидуальных каскадов столкновений при облучении Ga$_2$O$_3$ атомарными и молекулярными ионами”, Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023), 738–742 |
|
2022 |
| 3. |
П. А. Карасев, К. В. Карабешкин, А. И. Стручков, А. И. Печников, В. И. Николаев, В. Д. Андреева, А. И. Титов, “Накопление структурных нарушений при облучении $\alpha$-Ga$_2$O$_3$ ионами P и PF$_4$”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022), 882–887 ; P. A. Karaseov, K. V. Karabeshkin, A. I. Struchkov, A. I. Pechnikov, V. I. Nikolaev, V. D. Andreeva, A. I. Titov, “Radiation damage accumulation in $\alpha$-Ga$_2$O$_3$ under P and PF$_4$ ion bombardment”, Semiconductors, 57:10 (2023), 459–464 |
3
|
|
2020 |
| 4. |
М. С. Тужилкин, П. Г. Беспалова, М. В. Мишин, И. Е. Колесников, К. В. Карабешкин, П. А. Карасев, А. И. Титов, “Формирование наночастиц Au и особенности травления подложки Si после облучения атомарными и молекулярными ионами”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 90–96 ; M. S. Tuzhilkin, P. G. Bespalova, M. V. Mishin, I. E. Kolesnikov, K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Titov, “Formation of Au nanoparticles and features of etching of a Si substrate under irradiation with atomic and molecular ions”, Semiconductors, 54:1 (2020), 137–143 |
7
|
|
2019 |
| 5. |
А. И. Титов, К. В. Карабешкин, П. А. Карасев, А. И. Стручков, “Влияют ли химические эффекты на накопление структурных нарушений при имплантации в GaN ионов фтора?”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1455–1458 ; A. I. Titov, K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Struchkov, “Do chemical effects affect the accumulation of structural damage during the implantation of fluorine ions into GaN?”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1415–1418 |
7
|
|
2017 |
| 6. |
Е. Н. Шубина, П. А. Карасев, А. И. Титов, О. А. Подсвиров, А. Я. Виноградов, Н. Н. Карасёв, А. В. Поздняков, “Влияние добавления диборана на свойства плазмохимически осаждаемых углеродных пленок”, Письма в ЖТФ, 43:1 (2017), 80–88 ; E. N. Shubina, P. A. Karaseov, A. I. Titov, O. A. Podsvirov, A. Ya. Vinogradov, N. N. Karasev, A. V. Pozdnyakov, “The effect of diborane additive on the plasma-chemical properties of deposited carbon films”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 81–84 |
7
|
| 7. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, К. В. Карабешкин, П. А. Карасев, А. И. Титов, “Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами фтора”, Письма в ЖТФ, 43:1 (2017), 14–20 ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Titov, “Dislocation-related photoluminescence in silicon implanted with fluorine ions”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 50–52 |
4
|
|
2016 |
| 8. |
К. В. Карабешкин, П. А. Карасев, А. И. Титов, “Влияние повышения плотности каскадов столкновений на эффективность генерации первичных смещений при ионной бомбардировке Si”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1009–1015 ; K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Titov, “Effect of an increase in the density of collision cascades on the efficiency of the generation of primary displacements during the ion bombardment of Si”, Semiconductors, 50:8 (2016), 989–995 |
7
|
|
2014 |
| 9. |
П. А. Карасев, К. В. Карабешкин, А. И. Титов, В. Б. Шилов, Г. М. Ермолаева, В. Г. Маслов, А. О. Орлова, “Нелинейный оптический эффект при облучении GaN малыми кластерными ионами”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 462–466 ; P. A. Karaseov, K. V. Karabeshkin, A. I. Titov, V. B. Shilov, G. M. Ermolaeva, V. G. Maslov, A. O. Orlova, “Nonlinear optical effect upon the irradiation of GaN with cluster ions”, Semiconductors, 48:4 (2014), 446–450 |
10
|
|
2013 |
| 10. |
К. В. Карабешкин, П. А. Карасёв, А. И. Титов, “Накопление структурных нарушений при облучении кремния ионами PF$_n^+$ различных энергий”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 206–210 ; K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Titov, “Damage formation in Si under irradiation with PF$^+_n$ ions of different energies”, Semiconductors, 47:2 (2013), 242–246 |
13
|
|
1977 |
| 11. |
И. А. Аброян, В. В. Кораблев, Н. Н. Петров, А. И. Титов, “Вторично-эмиссионные методы исследования структуры и состава приповерхностных слоев твердых тел”, УФН, 122:3 (1977), 528–529 ; I. A. Abroyan, V. V. Korablev, N. N. Petrov, A. I. Titov, “Secondary-emission methods of investigating the structure and composition of the surface layers of solids”, Phys. Usp., 20:7 (1977), 640–642 |
1
|
|
