|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
П. А. Иванов, Н. М. Лебедева, Н. Д. Ильинская, Т. П. Самсонова, О. И. Коньков, “Высоковольтные лавинные 4$H$-SiC диоды с прямой фаской”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 349–353   ; P. A. Ivanov, N. M. Lebedeva, N. D. Il'inskaya, T. P. Samsonova, O. I. Kon'kov, “High-voltage 4$H$-SiC based avalanche diodes with a negative beve”, Semiconductors, 55:4 (2021), 405–409 |
| 2. |
П. А. Иванов, Н. М. Лебедева, Н. Д. Ильинская, М. Ф. Кудояров, Т. П. Самсонова, О. И. Коньков, Ю. М. Задиранов, “Высоковольтные 4$H$-SiC диоды Шоттки с полевой обкладкой”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 188–194 ; P. A. Ivanov, N. M. Lebedeva, N. D. Il'inskaya, M. F. Kudoyarov, T. P. Samsonova, O. I. Kon'kov, Yu. M. Zadiranov, “High-voltage 4$H$-SiC Schottky diodes with field-plate edge termination”, Semiconductors, 55:2 (2021), 243–249 |
2
|
| 3. |
П. А. Иванов, М. Ф. Кудояров, Н. М. Лебедева, Н. Д. Ильинская, Т. П. Самсонова, “Высоковольтные лавинные 4$H$-SiC-диоды с охранной полуизолирующей областью”, Письма в ЖТФ, 47:6 (2021), 48–50 ; P. A. Ivanov, M. F. Kudoyarov, N. M. Lebedeva, N. D. Il'inskaya, T. P. Samsonova, “High-voltage avalanche 4$H$-SiC diodes with a protective semi-insulating area”, Tech. Phys. Lett., 47:3 (2021), 275–277 |
1
|
|
2020 |
| 4. |
Н. М. Лебедева, Т. П. Самсонова, Н. Д. Ильинская, С. И. Трошков, П. А. Иванов, “Формирование SiC-мезаструктур с пологими боковыми стенками cухим селективным травлением через маску из фоторезиста”, ЖТФ, 90:6 (2020), 997–1000 ; N. M. Lebedeva, T. P. Samsonova, N. D. Il'inskaya, S. I. Troshkov, P. A. Ivanov, “Formation of SiC mesastructures with gently sloping sidewalls by dry selective etching through a photoresist mask”, Tech. Phys., 65:6 (2020), 957–960 |
4
|
| 5. |
Н. Д. Ильинская, Н. М. Лебедева, Ю. М. Задиранов, П. А. Иванов, Т. П. Самсонова, О. И. Коньков, А. С. Потапов, “Микропрофилирование 4$H$-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 97–102 ; N. D. Il'inskaya, N. M. Lebedeva, Yu. M. Zadiranov, P. A. Ivanov, T. P. Samsonova, O. I. Kon'kov, A. S. Potapov, “Micro-profiling of 4$H$-SiC by dry etching to form a Schottky barrier diode”, Semiconductors, 54:1 (2020), 144–149 |
3
|
|
2019 |
| 6. |
П. А. Иванов, М. Ф. Кудояров, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, “Коррекция характеристик обратного восстановления высоковольтных инжекционных 4$H$-SiC диодов с помощью протонного облучения”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 862–864 ; P. A. Ivanov, M. F. Kudoyarov, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, “Correction of the reverse recovery characteristics of high-voltage 4$H$-SiC junction diodes using proton irradiation”, Semiconductors, 53:6 (2019), 850–852 |
1
|
| 7. |
П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, “Моделирование переходных процессов в полупроводниковых приборах на основе 4$H$-SiC (учет неполной ионизации легирующих примесей в модуле ATLAS программного пакета SILVACO TCAD)”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 407–410 ; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, “Simulation of transient processes in 4$H$-SiC based semiconductor devices (taking into account the incomplete ionization of dopants in the atlas module of the SILVACO TCAD software package)”, Semiconductors, 53:3 (2019), 385–387 |
1
|
|
2018 |
| 8. |
П. А. Иванов, Т. П. Самсонова, А. С. Потапов, “Устойчивость высоковольтных (1430 В) 4$H$-SiC $p^{+}$–$n_{0}$–$n^{+}$-диодов к лавинному пробою”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1527–1531 ; P. A. Ivanov, T. P. Samsonova, A. S. Potapov, “Avalanche breakdown stability of high voltage (1430 V) 4$H$-SiC $p^{+}$–$n_{0}$–$n^{+}$ diodes”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1630–1634 |
2
|
| 9. |
П. А. Иванов, А. С. Потапов, М. Ф. Кудояров, Т. П. Самсонова, “Влияние низкодозного протонного облучения на характеристики инжекционных диодов на основе 4$H$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1187–1190 ; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, M. F. Kudoyarov, T. P. Samsonova, “Effect of low-dose proton irradiation on the electrical characteristics of 4$H$-SiC junction diodes”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1307–1310 |
3
|
| 10. |
П. А. Иванов, А. С. Потапов, М. Ф. Кудояров, М. А. Козловский, Т. П. Самсонова, “Влияние термообработки на электрические характеристики полуизолирующих слоев, полученных с помощью облучения $n$-SiC высокоэнергетическими ионами аргона”, Письма в ЖТФ, 44:6 (2018), 11–16 ; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, M. F. Kudoyarov, M. A. Kozlovskii, T. P. Samsonova, “The influence of heat treatment on the electrical characteristics of semi-insulating sic layers obtained by irradiating $n$-SiC with high-energy argon ions”, Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 229–231 |
5
|
| 11. |
П. А. Иванов, О. И. Коньков, Т. П. Самсонова, А. С. Потапов, “Высоковольтные (1600 V) размыкатели тока с субнаносекундным (150 ps) быстродействием на основе 4$H$-SiC”, Письма в ЖТФ, 44:3 (2018), 3–8 ; P. A. Ivanov, O. I. Kon'kov, T. P. Samsonova, A. S. Potapov, “4$H$-SiC based subnanosecond (150 ps) high-voltage (1600 V) current breakers”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 87–89 |
11
|
|
2017 |
| 12. |
П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, И. В. Грехов, “Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4$H$-SiC $p^{+}$–$n_{0}$–$n^{+}$-диодов в режиме лавинного пробоя”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 390–394 ; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, I. V. Grekhov, “Current–voltage characteristics of high-voltage 4$H$-SiC $p^{+}$–$n_{0}$–$n^{+}$ diodes in the avalanche breakdown mode”, Semiconductors, 51:3 (2017), 374–378 |
6
|
|
2016 |
| 13. |
П. А. Иванов, М. Ф. Кудояров, М. А. Козловский, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, “Полуизолирующие слои 4$H$-SiC, полученные имплантацией высокоэнергетичных (53 МэВ) ионов аргона в эпитаксиальные пленки $n$-типа проводимости”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 937–940 ; P. A. Ivanov, M. F. Kudoyarov, M. A. Kozlovskii, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, “Semi-insulating 4$H$-SiC layers formed by the implantation of high-energy (53 MeV) argon ions into $n$-type epitaxial films”, Semiconductors, 50:7 (2016), 920–923 |
6
|
| 14. |
П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, И. В. Грехов, “Полевая зависимость дрейфовой скорости электронов в 4$H$-SiC вдоль оси $c$”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 900–904 ; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, I. V. Grekhov, “Field dependence of the electron drift velocity along the hexagonal axis of 4$H$-SiC”, Semiconductors, 50:7 (2016), 883–887 |
4
|
|
2015 |
| 15. |
П. А. Иванов, О. И. Коньков, Т. П. Самсонова, А. С. Потапов, И. В. Грехов, “Динамические характеристики дрейфовых диодов с резким восстановлением на основе 4H-SiC”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015), 1558–1562 ; P. A. Ivanov, O. I. Kon'kov, T. P. Samsonova, A. S. Potapov, I. V. Grekhov, “Dynamic characteristics of 4H-SiC drift step recovery diodes”, Semiconductors, 49:11 (2015), 1511–1515 |
7
|
| 16. |
П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, “Влияние ударной ионизации примесей на динамические характеристики $p^+$–$n$–$n^+$-диодов на основе 4H-SiC при низкой температуре (77 K)”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 999–1002 ; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, “Effect of impurity impact ionization on the dynamic characteristics of 4H-SiC $p^+$–$n$–$n^+$ diodes at low temperatures (77 K)”, Semiconductors, 49:7 (2015), 976–979 |
| 17. |
П. А. Иванов, Т. П. Самсонова, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, О. И. Коньков, А. С. Потапов, “Сопротивление 4H-SiC барьеров Шоттки при высоких плотностях прямого тока”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 951–955 ; P. A. Ivanov, T. P. Samsonova, N. D. Il'inskaya, O. Yu. Serebrennikova, O. I. Kon'kov, A. S. Potapov, “Resistance of 4H-SiC Schottky barriers at high forward-current densities”, Semiconductors, 49:7 (2015), 930–934 |
|
2013 |
| 18. |
П. А. Иванов, Н. Д. Ильинская, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, “Влияние быстрой термообработки на вольт-амперные характеристики 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 83–86 ; P. A. Ivanov, N. D. Il'inskaya, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, A. V. Afanasyev, V. A. Ilyin, “Effect of rapid thermal annealing on the current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky diodes”, Semiconductors, 47:1 (2013), 81–84 |
8
|
|
2012 |
| 19. |
П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, “Низкотемпературные (77–300 K) вольт-амперные характеристики $p^+$–$p$–$n^+$-диодов на основе 4H-SiC: влияние примесного пробоя в $p$-базе”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 548–550 ; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, “Low-temperature (77–300 K) current-voltage characteristics of 4H-SiC $p^+$–$p$–$n^+$ diodes: Effect of impurity breakdown in the $p$-type base”, Semiconductors, 46:4 (2012), 532–534 |
| 20. |
П. А. Иванов, И. В. Грехов, А. С. Потапов, О. И. Коньков, Н. Д. Ильинская, Т. П. Самсонова, O. Korolkov, N. Sleptsuk, “Токи утечки в 4H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки–($p$–$n$-структурой)”, Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012), 411–415 ; P. A. Ivanov, I. V. Grekhov, A. S. Potapov, O. I. Kon'kov, N. D. Il'inskaya, T. P. Samsonova, O. Korolkov, N. Sleptsuk, “Leakage currents in 4H-SiC JBS diodes”, Semiconductors, 46:3 (2012), 397–400 |
10
|
|
