|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
И. А. Прудаев, В. В. Копьев, В. Л. Олейник, М. С. Скакунов, А. С. Сотникова, С. М. Гущин, В. Е. Земляков, “Влияние температуры на напряжение переключения лавинных $S$-диодов”, Письма в ЖТФ, 51:4 (2025), 23–26   |
|
2024 |
| 2. |
И. А. Прудаев, В. В. Копьев, В. Л. Олейник, В. Е. Земляков, “Механизм последовательного включения токовых шнуров в лавинном $S$-диоде”, Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024), 393–399 |
|
2021 |
| 3. |
М. Г. Верхолетов, И. А. Прудаев, “Влияние барьерных контактов на транспорт носителей заряда в однородных структурах из GaAs, легированных глубокими центрами Cr и EL$_2$”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 693–698 ; M. G. Verkholetov, I. A. Prudaev, “Effect of barrier contacts on carrier transport in homogeneous GaAs structures doped with deep Cr and EL$_2$ centers”, Semiconductors, 55:9 (2021), 705–709 |
1
|
|
2019 |
| 4. |
И. А. Прудаев, М. Г. Верхолетов, “Нелинейность вольт-амперных характеристик однородных компенсированных детекторных структур из GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 37–40 ; I. A. Prudaev, M. G. Verkholetov, “Nonlinearity of current-voltage characteristics of homogeneous compensated GaAs detector structures”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 566–569 |
3
|
|
2018 |
| 5. |
И. А. Прудаев, М. Г. Верхолетов, А. Д. Королёва, О. П. Толбанов, “Транспорт носителей заряда и перезарядка глубоких уровней в структурах для лавинных $S$-диодов на основе GaAs”, Письма в ЖТФ, 44:11 (2018), 21–29 ; I. A. Prudaev, M. G. Verkholetov, A. D. Koroleva, O. P. Tolbanov, “Charge carrier transport and deep levels recharge in avalanche $S$-diodes based on GaAs”, Tech. Phys. Lett., 44:6 (2018), 465–468 |
12
|
|
2017 |
| 6. |
И. А. Прудаев, В. В. Копьев, И. С. Романов, В. Л. Олейник, “Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 240–246 ; I. A. Prudaev, V. V. Kopyev, I. S. Romanov, V. L. Oleynik, “On the effect of ballistic overflow on the temperature dependence of the quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes”, Semiconductors, 51:2 (2017), 232–238 |
3
|
|
2016 |
| 7. |
В. М. Калыгина, И. М. Егорова, В. А. Новиков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, “Связь структурно-фазовых изменений в пленках оксида титана с электрическими и фотоэлектрическими характеристиками структур TiO$_{2}$–Si”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1178–1184 ; V. M. Kalygina, I. M. Egorova, V. А. Novikov, I. A. Prudaev, O. P. Tolbanov, “Relation between the structural and phase transformations in titanium-oxide films and the electrical and photoelectric properties of TiO$_{2}$–Si structures”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1156–1162 |
2
|
| 8. |
В. М. Калыгина, И. М. Егорова, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, “Механизм проводимости пленок оксида титана и структур металл–TiO$_{2}$–Si”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1036–1040 ; V. M. Kalygina, I. M. Egorova, I. A. Prudaev, O. P. Tolbanov, “Conduction in titanium dioxide films and metal–TiO$_{2}$–Si structures”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1015–1019 |
3
|
|
2015 |
| 9. |
В. М. Калыгина, Ю. С. Петрова, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, С. Ю. Цупий, “Глубокие центры в структурах TiO$_2$-Si”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015), 1036–1042 ; V. M. Kalygina, Yu. S. Petrova, I. A. Prudaev, O. P. Tolbanov, S. Yu. Tsupiy, “Deep centers in TiO$_2$-Si structures”, Semiconductors, 49:8 (2015), 1012–1018 |
1
|
| 10. |
В. М. Калыгина, В. В. Вишникина, Ю. С. Петрова, И. А. Прудаев, Т. М. Яскевич, “Фотоэлектрические характеристики структур металл – Ga$_2$O$_3$–GaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 357–363 ; V. M. Kalygina, V. V. Vishnikina, Yu. S. Petrova, I. A. Prudaev, T. M. Yaskevich, “Photoelectric characteristics of metal – Ga$_2$O$_3$–GaAs structures”, Semiconductors, 49:3 (2015), 345–351 |
4
|
|
2013 |
| 11. |
И. А. Прудаев, И. Ю. Голыгин, С. Б. Ширапов, И. С. Романов, С. С. Хлудков, О. П. Толбанов, “Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013), 1391–1395 ; I. A. Prudaev, I. Yu. Golygin, S. B. Shirapov, I. S. Romanov, S. S. Khludkov, O. P. Tolbanov, “Influence of temperature on the mechanism of carrier injection in light-emitting diodes based on InGaN/GaN multiple quantum wells”, Semiconductors, 47:10 (2013), 1382–1386 |
13
|
|
