|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
А. В. Круглов, Д. А. Серов, А. И. Белов, М. Н. Коряжкина, И. Н. Антонов, С. Ю. Зубков, Р. Н. Крюков, Д. А. Антонов, Д. О. Филатов, В. А. Хабибулова, А. Н. Михайлов, О. Н. Горшков, “Влияние концентрации вакансий кислорода на параметры резистивного переключения в мемристорных структурах на основе ZrO$_2$(Y)”, ЖТФ, 95:9 (2025), 1733–1743   |
|
2024 |
| 2. |
А. В. Круглов, Д. А. Серов, А. И. Белов, М. Н. Коряжкина, И. Н. Антонов, С. Ю. Зубков, Р. Н. Крюков, А. Н. Михайлов, Д. О. Филатов, О. Н. Горшков, “Мемристоры для энергонезависимой резистивной памяти на основе двухслойного диэлектрика Al$_2$O$_3$/ZrO$_2$(Y)”, ЖТФ, 94:11 (2024), 1833–1842 |
|
2022 |
| 3. |
М. Н. Коряжкина, Д. О. Филатов, М. Е. Шенина, И. Н. Антонов, А. В. Круглов, А. В. Ершов, А. П. Горшков, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, В. Г. Шенгуров, “Исследование влияния оптического излучения на резистивное переключение МДП-структур на основе ZrO$_2$(Y) на подложках Si(001) с наноостровками Ge”, Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022), 723–727 |
1
|
|
2021 |
| 4. |
Д. О. Филатов, М. Е. Шенина, И. А. Роженцов, М. Н. Коряжкина, А. С. Новиков, И. Н. Антонов, А. В. Ершов, А. П. Горшков, О. Н. Горшков, “Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO$_{2}$(Y) с наночастицами Au”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 754–757 ; D. O. Filatov, M. E. Shenina, I. A. Rozhentsov, M. N. Koryazhkina, A. S. Novikov, I. N. Antonov, A. V. Ershov, A. P. Gorshkov, O. N. Gorshkov, “Effect of optical illumination on resistive switching in MOS stacks based on ZrO$_2$(Y) films with Au nanoparticles”, Semiconductors, 55:9 (2021), 731–734 |
|
2019 |
| 5. |
Д. О. Филатов, М. Н. Коряжкина, Д. А. Антонов, И. Н. Антонов, Д. А. Лискин, М. А. Рябова, О. Н. Горшков, “Исследование резистивного переключения нестационарными сигналами в пленках ZrO$_{2}$(Y) методом атомно-силовой микроскопии”, ЖТФ, 89:11 (2019), 1669–1673 ; D. O. Filatov, M. N. Koryazhkina, D. A. Antonov, I. N. Antonov, D. A. Liskin, M. A. Ryabova, O. N. Gorshkov, “Atomic-force microscopy of resistive nonstationary signal switching in ZrO$_{2}$(Y) films”, Tech. Phys., 64:11 (2019), 1579–1583 |
2
|
| 6. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, А. И. Белов, И. Н. Антонов, А. И. Морозов, М. Н. Коряжкина, А. Н. Михайлов, “Механизмы токопереноса и резистивного переключения в конденсаторах со слоями стабилизированного иттрием диоксида гафния”, ЖТФ, 89:6 (2019), 927–934 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, A. I. Belov, I. N. Antonov, A. I. Morozov, M. N. Koryazhkina, A. N. Mikhaylov, “Mechanisms of current transport and resistive switching in capacitors with yttria-stabilized hafnia layers”, Tech. Phys., 64:6 (2019), 873–880 |
4
|
| 7. |
Е. В. Окулич, М. Н. Коряжкина, Д. С. Королев, А. И. Белов, М. Е. Шенина, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум, И. Н. Антонов, Ю. А. Дудин, “Влияние облучения ионами Si$^{+}$ на резистивное переключение мемристивных структур на основе стабилизированного диоксида циркония”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019), 3–6 ; E. V. Okulich, M. N. Koryazhkina, D. S. Korolev, A. I. Belov, M. E. Shenina, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, I. N. Antonov, Yu. A. Dudin, “The effect of irradiation with Si$^{+}$ ions on the resistive switching of memristive structures based on yttria stabilized zirconia”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 690–693 |
3
|
|
2016 |
| 8. |
М. Н. Коряжкина, С. В. Тихов, О. Н. Горшков, А. П. Касаткин, И. Н. Антонов, “Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе Si с наночастицами Au на границе раздела диэлектрик/полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1639–1643 ; M. N. Koryazhkina, S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, A. P. Kasatkin, I. N. Antonov, “Electrical and photoelectric properties of Si-based metal–insulator–semiconductor structures with Au nanoparticles at the insulator–semiconductor interface”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1614–1618 |
1
|
| 9. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, М. Н. Коряжкина, А. П. Касаткин, И. Н. Антонов, О. В. Вихрова, А. И. Морозов, “Электрофизические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе $n$-GaAs с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности слоя $n$-GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1615–1619 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, M. N. Koryazhkina, A. P. Kasatkin, I. N. Antonov, O. V. Vikhrova, A. I. Morozov, “Physical properties of metal–insulator–semiconductor structures based on $n$-GaAs with InAs quantum dots deposited onto the surface of an $n$-GaAs layer”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1589–1594 |
1
|
| 10. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, М. Н. Коряжкина, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, “Стимулированное светом резистивное переключение в структурах металл–диэлектрик–полупроводник на основе кремния”, Письма в ЖТФ, 42:10 (2016), 78–84 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, M. N. Koryazhkina, I. N. Antonov, A. P. Kasatkin, “Light-induced resistive switching in silicon-based metal–insulator–semiconductor structures”, Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 536–538 |
20
|
| 11. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, М. Н. Коряжкина, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, “Особенности явления неравновесного обеднения, сопровождаемого процессами захвата неосновных носителей поверхностными состояниями, в структурах металл–диэлектрик–полупроводник”, Письма в ЖТФ, 42:3 (2016), 52–60 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, M. N. Koryazhkina, I. N. Antonov, A. P. Kasatkin, “Specific features of nonequilibrium depletion accompanied by the trapping of minority carriers by surface states in metal–insulator–semiconductor structures”, Tech. Phys. Lett., 42:2 (2016), 138–142 |
2
|
|
2014 |
| 12. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, М. Н. Коряжкина, “Процесс формовки в элементах резистивной памяти на основе структур металл–диэлектрик–полупроводник”, Письма в ЖТФ, 40:19 (2014), 18–26 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, I. N. Antonov, A. P. Kasatkin, M. N. Koryazhkina, “The forming process in resistive-memory elements based on metal–insulator–semiconductor structures”, Tech. Phys. Lett., 40:10 (2014), 837–840 |
10
|
| 13. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, Д. А. Павлов, И. Н. Антонов, А. И. Бобров, А. П. Касаткин, М. Н. Коряжкина, М. Е. Шенина, “Конденсаторы с нелинейными характеристиками на основе стабилизированного диоксида циркония с встроенными наночастицами золота”, Письма в ЖТФ, 40:9 (2014), 9–16 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, D. A. Pavlov, I. N. Antonov, A. I. Bobrov, A. P. Kasatkin, M. N. Koryazhkina, M. E. Shenina, “Capacitors with nonlinear characteristics based on stabilized zirconia with built-in gold nanoparticles”, Tech. Phys. Lett., 40:5 (2014), 369–371 |
13
|
|
2013 |
| 14. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, М. Н. Коряжкина, “Особенности пиннинга уровня Ферми на границе раздела Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As с анодным оксидом и стабилизированным диоксидом циркония”, Письма в ЖТФ, 39:23 (2013), 72–79 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, I. N. Antonov, A. P. Kasatkin, M. N. Koryazhkina, “Features of Fermi-level pinning at the interface of Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As with anodic oxide and stabilized zirconia”, Tech. Phys. Lett., 39:12 (2013), 1064–1067 |
5
|
|
