|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
А. Т. Салказанов, А. С. Гусев, М. М. Калошин, Т. А. Косогорова, Н. С. Кукин, А. П. Низовцев, С. Я. Килин, Н. И. Каргин, “Наносенсор слабых магнитных полей на основе крамерсово-вырожденной спиновой системы $^{14}$NV–$^{13}$C”, Письма в ЖТФ, 51:13 (2025), 7–10   |
|
2021 |
| 2. |
А. С. Гусев, Н. И. Каргин, С. М. Рындя, Г. К. Сафаралиев, Н. В. Сигловая, М. О. Смирнова, И. О. Соломатин, А. О. Султанов, А. А. Тимофеев, “Релаксация механических напряжений в эпитаксиальных пленках кубического карбида кремния на кремниевых подложках с буферным пористым слоем”, ЖТФ, 91:6 (2021), 988–996 ; A. S. Gusev, N. I. Kargin, S. M. Ryndya, G. K. Safaraliev, N. V. Siglovaya, M. O. Smirnova, I. O. Solomatin, A. O. Sultanov, A. A. Timofeev, “Relaxation of mechanical stress in epitaxial films of cubic silicon carbide on silicon substrates with a buffer porous layer”, Tech. Phys., 66:7 (2021), 869–877  |
3
|
| 3. |
Н. В. Гапоненко, П. А. Холов, Ю. Д. Корнилова, Е. И. Лашковская, В. А. Лабунов, И. Л. Мартынов, Е. В. Осипов, А. А. Чистяков, Н. И. Каргин, Т. Ф. Райченок, С. А. Тихомиров, “Фотонные кристаллы BaTiO$_{3}$/SiO$_{2}$, сформированные золь-гель методом”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 912–915 ; N. V. Gaponenko, P. A. Kholov, Yu. D. Kornilava, E. I. Lashkovskaya, V. A. Labunov, I. L. Martynov, E. V. Osipov, A. A. Chistyakov, N. I. Kargin, T. F. Raichenok, S. A. Tikhomirov, “Sol–gel derived photonic crystals BaTiO$_{3}$/SiO$_{2}$”, Semiconductors, 55:11 (2021), 831–834 |
3
|
|
2019 |
| 4. |
А. Н. Виниченко, Д. А. Сафонов, Н. И. Каргин, И. С. Васильевский, “Электронный квантовый транспорт в псевдоморфных и метаморфных квантовых ямах на основе In$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 359–364 ; A. N. Vinichenko, D. A. Safonov, N. I. Kargin, I. S. Vasil'evskii, “Electron-quantum transport in pseudomorphic and metamorphic In$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As-based quantum wells”, Semiconductors, 53:3 (2019), 339–344 |
|
2018 |
| 5. |
И. Ю. Долинский, К. П. Катин, К. С. Гришаков, В. С. Прудковский, Н. И. Каргин, М. М. Маслов, “Влияние механического растяжения на адсорбционные свойства легированного азотом графена”, Физика твердого тела, 60:4 (2018), 816–820 ; I. Yu. Dolinskii, K. P. Katin, K. S. Grishakov, V. S. Prudkovskii, N. I. Kargin, M. M. Maslov, “Influence of mechanical stretching on adsorption properties of nitrogen-doped graphene”, Phys. Solid State, 60:4 (2018), 821–825 |
9
|
| 6. |
Д. А. Сафонов, А. Н. Виниченко, Н. И. Каргин, И. С. Васильевский, “Электронный транспорт в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs РНЕМТ при различных температурах: влияние одностороннего дельта-легирования Si”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 201–206 ; D. A. Safonov, A. N. Vinichenko, N. I. Kargin, I. S. Vasil'evskii, “Electron transport in phemt AlGaAs/InGaAs/GaAs РНЕМТ quantum wells at different temperatures: influence of one-side $\delta$-Si doping”, Semiconductors, 52:2 (2018), 189–194 |
11
|
| 7. |
Д. А. Сафонов, А. Н. Виниченко, Н. И. Каргин, И. С. Васильевский, “Эффективная масса и время релаксации импульса электронов в односторонне $\delta$-легированных PHEMT квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs с высокой электронной плотностью”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 120–127 ; D. A. Safonov, A. N. Vinichenko, N. I. Kargin, I. S. Vasil'evskii, “Electron effective mass and momentum relaxation time in one-sided $\delta$-doped PHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum wells with high electron density”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1174–1176 |
2
|
| 8. |
Д. А. Сафонов, А. Н. Виниченко, Н. И. Каргин, И. С. Васильевский, “Особенности ионизации доноров кремния и рассеяние электронов в псевдоморфных квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs при сильном одностороннем $\delta$-легировании”, Письма в ЖТФ, 44:4 (2018), 34–41 ; D. A. Safonov, A. N. Vinichenko, N. I. Kargin, I. S. Vasil'evskii, “Peculiarities of silicon-donor ionization and electron scattering in pseudomorphous AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum wells with heavy unilateral $\delta$-doping”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 145–148 |
3
|
|
2015 |
| 9. |
Ю. Д. Сибирмовский, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, И. С. Еремин, Д. М. Жигунов, Н. И. Каргин, О. С. Коленцова, П. А. Мартюк, М. Н. Стриханов, “Фотолюминесценция массивов квантовых колец GaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 652–657 ; Yu. D. Sibirmovsky, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, I. S. Eremin, D. M. Zhigunov, N. I. Kargin, O. S. Kolentsova, P. A. Martyuk, M. N. Strikhanov, “Photoluminescence of GaAs/AlGaAs quantum ring arrays”, Semiconductors, 49:5 (2015), 638–643 |
26
|
|
2014 |
| 10. |
А. Н. Виниченко, В. П. Гладков, Н. И. Каргин, М. Н. Стриханов, И. С. Васильевский, “Увеличение подвижности электронов в НЕМТ гетероструктурах с составным спейсером, содержащим нанослои AlAs”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1660–1665 ; A. N. Vinichenko, V. P. Gladkov, N. I. Kargin, M. N. Strikhanov, I. S. Vasil'evskii, “Increase of the electron mobility in HEMT heterostructures with composite spacers containing AlAs nanolayers”, Semiconductors, 48:12 (2014), 1619–1625 |
7
|
| 11. |
И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, М. М. Грехов, В. П. Гладков, Н. И. Каргин, М. Н. Стриханов, “Технология и электронные свойства PHEMT-квантовых ям AlGaAs/In$_{y(z)}$Ga$_{1-y(z)}$As/GaAs с переменным профилем состава”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1258–1264 ; I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, M. M. Grekhov, V. P. Gladkov, N. I. Kargin, M. N. Strikhanov, “Technology and electronic properties of PHEMT AlGaAs/In$_{y(z)}$Ga$_{1-y(z)}$As/GaAs compositionally graded quantum wells”, Semiconductors, 1226–1232 |
2
|
| 12. |
Ш. М. Рамазанов, М. А. Курбанов, Г. К. Сафаралиев, Б. А. Билалов, Н. И. Каргин, А. С. Гусев, “Структурные свойства эпитаксиальных пленок твердого раствора (SiC)$_{1-x}$(AlN)$_x$, полученных магнетронным распылением составных мишеней SiC с Al”, Письма в ЖТФ, 40:7 (2014), 49–55 ; Sh. M. Ramazanov, M. A. Kurbanov, G. K. Safaraliev, B. A. Bilalov, N. I. Kargin, A. S. Gusev, “Structural properties of the epitaxial (SiC)$_{1-x}$(AlN)$_x$ solid solution films fabricated by magnetron sputtering of SiC–Al composite targets”, Tech. Phys. Lett., 40:4 (2014), 300–302 |
8
|
|
