|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
В. А. Шутаев, Е. А. Гребенщикова, Ю. П. Яковлев, “Водородный генератор тока на основе нанопленок палладия”, Письма в ЖТФ, 51:11 (2025), 15–17   |
|
2024 |
| 2. |
В. А. Шутаев, В. Г. Сидоров, Е. А. Гребенщикова, Ю. П. Яковлев, “Генерация тока в диодах Шоттки Pd/InP в атмосфере водорода”, Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024), 37–41 ; V. A. Shutaev, V. G. Sidorov, E. A. Grebenshchikova, Yu. P. Yakovlev, “Current generation in Pd/InP structures in hydrogen medium”, Semiconductors, 58:4 (2024), 349–353 |
|
2023 |
| 3. |
В. А. Шутаев, Е. А. Гребенщикова, В. А. Матвеев, Н. Н. Губанова, Ю. П. Яковлев, “Кинетика изменения оптической прозрачности нанопленок палладия при взаимодействии с водородом”, Оптика и спектроскопия, 131:3 (2023), 419–423 |
|
2022 |
| 4. |
М. Е. Компан, А. В. Горбатюк, В. Г. Малышкин, В. А. Шутаев, Е. А. Гребенщикова, Ю. П. Яковлев, “Каскад неустойчивостей импеданса структуры Pd-поверхностно-окисленный InP”, Письма в ЖТФ, 48:17 (2022), 6–8 |
| 5. |
Е. А. Гребенщикова, В. А. Шутаев, В. А. Матвеев, Н. Н. Губанова, О. А. Шилова, Ю. П. Яковлев, “Влияние водорода на электрические и фотоэлектрические свойства тонкопленочных структур InP/Pd, полученных золь-гель методом”, Письма в ЖТФ, 48:10 (2022), 12–15 |
|
2021 |
| 6. |
В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, Е. А. Гребенщикова, В. М. Андреев, “Архитектура мезы и эффективность InGaP/Ga(In)As/Ge солнечных элементов”, ЖТФ, 91:7 (2021), 1067–1074 |
| 7. |
В. А. Шутаев, В. А. Матвеев, Е. А. Гребенщикова, В. Г. Щелоков, Ю. П. Яковлев, “Оптические и структурные свойства нанопленок палладия в атмосфере водорода”, Оптика и спектроскопия, 129:9 (2021), 1183–1187 ; V. A. Shutaev, V. A. Matveev, E. A. Grebenshchikova, V. G. Shchelokov, Yu. P. Yakovlev, “Optical and structural properties of palladium nanolayers in hydrogen medium”, Optics and Spectroscopy, 129:12 (2021), 1306–1310 |
4
|
| 8. |
В. А. Шутаев, Е. А. Гребенщикова, В. Г. Сидоров, Ю. П. Яковлев, “Генерация тока в структурах Pd/InP в атмосфере водорода”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1236–1239 |
1
|
|
2020 |
| 9. |
В. А. Шутаев, Е. А. Гребенщикова, В. Г. Сидоров, Ю. П. Яковлев, “Влияние водорода на оптическую прозрачность слоев палладия”, Оптика и спектроскопия, 128:5 (2020), 603–606 ; V. A. Shutaev, E. A. Grebenshchikova, V. G. Sidorov, Yu. P. Yakovlev, “Hydrogen influence on the optical transparency of palladium layers”, Optics and Spectroscopy, 128:5 (2020), 596–599 |
8
|
| 10. |
Е. В. Куницына, М. А. Ройз, И. А. Андреев, Е. А. Гребенщикова, А. А. Пивоварова, M. Ahmetoglu (Afrailov), Е. В. Лебедок, Р. Ю. Микулич, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды для регистрации излучения квантово-размерных дисковых лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.2–2.3 мкм)”, Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020), 677–683 ; E. V. Kunitsyna, M. A. Royz, I. A. Andreev, E. A. Grebenshchikova, A. A. Pivovarova, M. Ahmetoglu (Afrailov), E. V. Lebiadok, R. Yu. Mikulich, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Photodiodes for detecting the emission of quantum-sized disk lasers operating on whispering gallery modes (2.2 – 2.3 $\mu$m)”, Semiconductors, 54:7 (2020), 796–802 |
| 11. |
В. А. Шутаев, Е. А. Гребенщикова, В. Г. Сидоров, М. Е. Компан, Ю. П. Яковлев, “Влияние водорода на импеданс структур Pd/оксид/InP”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 547–551 ; V. A. Shutaev, E. A. Grebenshchikova, V. G. Sidorov, M. E. Kompan, Yu. P. Yakovlev, “Influence of hydrogen on the impedance of Pd/oxide/InP structures”, Semiconductors, 54:6 (2020), 658–661 |
2
|
|
2019 |
| 12. |
В. А. Шутаев, В. Г. Сидоров, Е. А. Гребенщикова, Л. К. Власов, А. А. Пивоварова, Ю. П. Яковлев, “Влияние водорода на электрические свойства структур Pd/InP”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1427–1430 ; V. A. Shutaev, V. G. Sidorov, E. A. Grebenshchikova, L. K. Vlasov, A. A. Pivovarova, Yu. P. Yakovlev, “Influence of hydrogen on the electrical properties of Pd/InP structures”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1389–1392 |
7
|
| 13. |
Е. А. Гребенщикова, В. Г. Сидоров, В. А. Шутаев, Ю. П. Яковлев, “Влияние концентрации водорода на фототок диодов Шоттки Pd/$n$-InP”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 246–248 ; E. A. Grebenshchikova, V. G. Sidorov, V. A. Shutaev, Yu. P. Yakovlev, “Effect of the hydrogen concentration on the Pd/$n$-InP Schottky diode photocurrent”, Semiconductors, 53:2 (2019), 234–236 |
7
|
|
2018 |
| 14. |
Е. А. Гребенщикова, Х. М. Салихов, В. Г. Сидоров, В. А. Шутаев, Ю. П. Яковлев, “Определение концентрации водорода по фотоэдс МДП структур Pd–оксид–InP”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1183–1186 ; E. A. Grebenshchikova, Kh. M. Salikhov, V. G. Sidorov, V. A. Shutaev, Yu. P. Yakovlev, “Determining the hydrogen concentration from the photovoltage of Pd–oxide–InP MIS structures”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1303–1306 |
6
|
|
2017 |
| 15. |
М. А. Ройз, А. Н. Баранов, А. Н. Именков, Д. С. Буренина, А. А. Пивоварова, А. М. Монахов, Е. А. Гребенщикова, Ю. П. Яковлев, “Коллективные моды в сдвоенных полупроводниковых дисковых лазерах на модах шепчущей галереи”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1273–1277 ; M. A. Royz, A. N. Baranov, A. N. Imenkov, D. S. Burenina, A. A. Pivovarova, A. M. Monakhov, E. A. Grebenshchikova, Yu. P. Yakovlev, “Collective modes in coupled semiconductor disk lasers in the case of whispering-gallery modes”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1224–1228 |
|
2016 |
| 16. |
Е. В. Куницына, Е. А. Гребенщикова, Г. Г. Коновалов, И. А. Андреев, Ю. П. Яковлев, “Повышение спектральной чувствительности фотодиодов для средней инфракрасной области спектра”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1420–1424 ; E. V. Kunitsyna, E. A. Grebenshchikova, G. G. Konovalov, I. A. Andreev, Yu. P. Yakovlev, “Enhancement of the spectral sensitivity of photodiodes for the mid-IR spectral range”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1403–1407 |
3
|
| 17. |
А. Н. Именков, Е. А. Гребенщикова, В. А. Шутаев, А. М. Оспенников, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Фотоэдс и фототок в структурах Pd–оксид–InP в атмосфере водорода”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 946–951 ; A. N. Imenkov, E. A. Grebenshchikova, V. A. Shutaev, A. M. Ospennikov, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “Photovoltage and photocurrent in Pd–oxide–InP structures in a hydrogen medium”, Semiconductors, 50:7 (2016), 929–934 |
5
|
|
2015 |
| 18. |
Е. А. Гребенщикова, В. В. Евстропов, Н. Д. Ильинская, Ю. С. Мельников, О. Ю. Серебренникова, В. Г. Сидоров, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Электрические свойства структур Pd-оксид-InP”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 376–378 ; E. A. Grebenshchikova, V. V. Evstropov, N. D. Il'inskaya, Yu. S. Mel'nikov, O. Yu. Serebrennikova, V. G. Sidorov, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “Electrical properties of Pd-oxide-InP structures”, Semiconductors, 49:3 (2015), 364–366 |
9
|
| 19. |
А. А. Леонидов, В. В. Шерстнев, Е. А. Гребенщикова, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, R. Teissier, А. Н. Баранов, Ю. П. Яковлев, “Синхронизация мод в лазере со связанными дисковыми резонаторами”, Письма в ЖТФ, 41:16 (2015), 77–83 ; A. A. Leonidov, V. V. Sherstnev, E. A. Grebenshchikova, N. D. Il'inskaya, O. Yu. Serebrennikova, R. Teissier, A. N. Baranov, Yu. P. Yakovlev, “Mode synchronization in a laser with coupled disk cavities”, Tech. Phys. Lett., 41:8 (2015), 801–803 |
1
|
|
2014 |
| 20. |
А. Н. Именков, Е. А. Гребенщикова, В. В. Шерстнев, А. А. Леонидов, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, R. Teissier, А. Н. Баранов, Ю. П. Яковлев, “Электролюминесцентные свойства лазера на модах шепчущей галереи со сдвоенными резонаторами”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1434–1438 ; A. N. Imenkov, E. A. Grebenshchikova, V. V. Sherstnev, A. A. Leonidov, N. D. Il'inskaya, O. Yu. Serebrennikova, R. Teissier, A. N. Baranov, Yu. P. Yakovlev, “Electroluminescence properties of a whispering-gallery-mode laser with coupled disk cavities”, Semiconductors, 48:10 (2014), 1399–1403 |
| 21. |
В. М. Андреев, Е. А. Гребенщикова, П. А. Дмитриев, Н. Д. Ильинская, В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, А. В. Малевская, А. А. Усикова, “Влияние постростовых технологий на характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/Ga(In)As/Ge”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1249–1253 ; V. M. Andreev, E. A. Grebenshchikova, P. A. Dmitriev, N. D. Il'inskaya, V. S. Kalinovskii, E. V. Kontrosh, A. V. Malevskaya, A. A. Usikova, “Effect of postgrowth techniques on the characteristics of triple-junction InGaP/Ga(In)As/Ge solar cells”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1217–1221 |
9
|
|
2013 |
| 22. |
М. П. Михайлова, И. А. Андреев, Э. В. Иванов, Г. Г. Коновалов, Е. А. Гребенщикова, Ю. П. Яковлев, E. Hulicius, A. Hospodkova, Y. Pangrac, “Фотоэлектрические и люминесцентные свойства наногетероструктур на основе GaSb с глубокой квантовой ямой Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013), 1037–1042 ; M. P. Mikhailova, I. A. Andreev, È. V. Ivanov, G. G. Konovalov, E. A. Grebenshchikova, Yu. P. Yakovlev, E. Hulicius, A. Hospodkova, Y. Pangrac, “Photoelectric and luminescence properties of GaSb-Based nanoheterostructures with a deep Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb quantum well grown by metalorganic vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 47:8 (2013), 1041–1045 |
2
|
| 23. |
А. Н. Именков, Е. А. Гребенщикова, Д. А. Старостенко, В. В. Шерстнев, Г. Г. Коновалов, И. А. Андреев, Ю. П. Яковлев, “Повышение квантовой чувствительности фотодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 690–695 ; A. N. Imenkov, E. A. Grebenshchikova, D. A. Starostenko, V. V. Sherstnev, G. G. Konovalov, I. A. Andreev, Yu. P. Yakovlev, “Improvement in the quantum sensitivity of InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructure photodiodes”, Semiconductors, 47:5 (2013), 701–706 |
2
|
| 24. |
А. В. Золотухин, В. В. Шерстнев, К. А. Савельева, Е. А. Гребенщикова, О. Ю. Серебренникова, Н. Д. Ильинская, С. И. Слобожанюк, Э. В. Иванов, Ю. П. Яковлев, “Увеличение мощности излучения светодиодов ($\lambda$ = 1.7–2.4 $\mu$m) за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb”, Письма в ЖТФ, 39:4 (2013), 39–45 ; A. V. Zolotukhin, V. V. Sherstnev, K. A. Savel'eva, E. A. Grebenshchikova, O. Yu. Serebrennikova, N. D. Il'inskaya, S. I. Slobozhanyuk, È. V. Ivanov, Yu. P. Yakovlev, “Increasing output power of LEDs ($\lambda$ = 1.7–2.4 $\mu$m) by changing directions of reflected light fluxes in GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 39:2 (2013), 203–205 |
1
|
|
2012 |
| 25. |
Е. А. Гребенщикова, А. Н. Именков, С. С. Кижаев, А. С. Головин, Ю. П. Яковлев, “Исследование эффективности вывода излучения из меза-светодиодов на основе узкозонной активной области InAsSb”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 247–251 ; E. A. Grebenshchikova, A. N. Imenkov, S. S. Kizhaev, A. S. Golovin, Yu. P. Yakovlev, “Study of the emission extraction efficiency of mesa-LEDs with a narrow-gap InAsSb active region”, Semiconductors, 46:2 (2012), 236–240 |
| 26. |
Е. А. Гребенщикова, Д. А. Старостенко, В. В. Шерстнев, Г. Г. Коновалов, И. А. Андреев, О. Ю. Серебренникова, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Повышение квантовой эффективности фотодиодов за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре InAs/InAsSb/InAsSbP”, Письма в ЖТФ, 38:10 (2012), 43–49 ; E. A. Grebenshchikova, D. A. Starostenko, V. V. Sherstnev, G. G. Konovalov, I. A. Andreev, O. Yu. Serebrennikova, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Photodiodes based on InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructures with quantum efficiency increased by changing directions of reflected light fluxes”, Tech. Phys. Lett., 38:5 (2012), 470–473 |
3
|
| 27. |
Е. А. Гребенщикова, В. В. Шерстнев, М. И. Ларченков, О. Ю. Серебренникова, Н. Д. Ильинская, А. М. Монахов, R. Teissier, А. Н. Баранов, Ю. П. Яковлев, “Источники излучения в средней инфракрасной области спектра на основе связанных дисковых резонаторов”, Письма в ЖТФ, 38:7 (2012), 7–13 ; E. A. Grebenshchikova, V. V. Sherstnev, M. I. Larchenkov, O. Yu. Serebrennikova, N. D. Il'inskaya, A. M. Monakhov, R. Teissier, A. N. Baranov, Yu. P. Yakovlev, “Mid-infrared radiation sources based on coupled disk cavities”, Tech. Phys. Lett., 38:4 (2012), 304–306 |
1
|
|
