|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
Д. Ю. Протасов, П. П. Камеш, К. А. Свит, Д. В. Дмитриев, А. А. Макеева, Э. М. Рзаев, К. С. Журавлев, “Электрохимическое профилирование структур $n^+/n$ GaAs для полевых транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024), 53–61   ; D. Yu. Protasov, P. P. Kamesh, K. A. Svit, D. V. Dmitriev, A. A. Makeeva, E. M. Rzaev, K. S. Zhuravlev, “The electrochemical profiling of $n^+/n$ GaAs structures for field-effect transistors”, Semiconductors, 58:3 (2024), 254–262 |
|
2023 |
| 2. |
М. А. Суханов, Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, А. А. Макеева, И. Д. Лошкарев, К. С. Журавлев, “InSb/GaAs-гетероструктуры для датчиков магнитного поля”, Письма в ЖТФ, 49:20 (2023), 27–30 |
|
2022 |
| 3. |
Д. Ю. Протасов, Д. В. Дмитриев, К. С. Журавлев, Г. И. Айзенштат, А. Ю. Ющенко, А. Б. Пашковский, “Гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs для ключевых pHEMT-транзисторов”, Письма в ЖТФ, 48:17 (2022), 20–23 |
| 4. |
А. Б. Пашковский, С. А. Богданов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлев, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, С. Н. Карпов, Д. Ю. Протасов, И. А. Рогачёв, Е. В. Терёшкин, “Всплеск дрейфовой скорости электронов в обращенных транзисторных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием и дополнительными цифровыми потенциальными барьерами”, Письма в ЖТФ, 48:12 (2022), 11–14 |
|
2021 |
| 5. |
Д. В. Гуляев, Д. В. Дмитриев, Н. В. Фатеев, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов, К. С. Журавлев, “GaAs/AlGaAs- и InGaAs/AlGaAs-гетероструктуры для мощных полупроводниковых инфракрасных излучателей”, ЖТФ, 91:11 (2021), 1727–1731 |
|
2020 |
| 6. |
М. А. Суханов, А. К. Бакаров, Д. Ю. Протасов, К. С. Журавлёв, “AlInSb/InSb-гетероструктуры для ИК-фотоприемников, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 46:4 (2020), 3–6 ; M. A. Sukhanov, A. K. Bakarov, D. Yu. Protasov, K. S. Zhuravlev, “AlInSb/InSb heterostructures for IR photodetectors grown by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 46:2 (2020), 154–157 |
3
|
|
2019 |
| 7. |
Т. В. Малин, Д. С. Милахин, И. А. Александров, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, А. А. Зайцев, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, В. Г. Мансуров, К. С. Журавлёв, “Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN”, Письма в ЖТФ, 45:15 (2019), 21–24 ; T. V. Malin, D. S. Milakhin, I. A. Aleksandrov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, A. A. Zaitsev, D. Yu. Protasov, A. S. Kozhukhov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, V. G. Mansurov, K. S. Zhuravlev, “Undoped high-resistance GaN buffer layer for AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 761–764 |
6
|
|
2018 |
| 8. |
Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, К. С. Журавлев, “Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 48–56 ; D. Yu. Protasov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, K. S. Zhuravlev, “Mobility of the two-dimensional electron gas in DA-$p$HEMT heterostructures with various $\delta$–$n$-layer profile widths”, Semiconductors, 52:1 (2018), 44–52 |
4
|
| 9. |
Д. Ю. Протасов, Д. В. Гуляев, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Е. В. Ерофеев, К. С. Журавлев, “Увеличение насыщенной скорости дрейфа электронов в pHEMT-гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием”, Письма в ЖТФ, 44:6 (2018), 77–84 ; D. Yu. Protasov, D. V. Gulyaev, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, E. V. Erofeev, K. S. Zhuravlev, “Increasing saturated electron-drift velocity in donor–acceptor doped phemt heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 260–262 |
7
|
|
2017 |
| 10. |
Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, К. С. Журавлев, “Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1696 ; D. Yu. Protasov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, K. S. Zhuravlev, “Mobility of the two-dimensional electron gas in DA-$p$HEMT heterostructures with various $\delta$–$n$-layer profile widths”, Semiconductors, 52:1 (2018), 44–52 |
4
|
|
2015 |
| 11. |
Т. В. Малин, А. М. Гилинский, В. Г. Мансуров, Д. Ю. Протасов, А. К. Шестаков, Е. Б. Якимов, К. С. Журавлев, “Синтез AlGaN/GaN-гетероструктур для ультрафиолетовых фотоприемников методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, ЖТФ, 85:4 (2015), 67–73 ; T. V. Malin, A. M. Gilinskii, V. G. Mansurov, D. Yu. Protasov, A. K. Shestakov, E. B. Yakimov, K. S. Zhuravlev, “MBE-grown AlGaN/GaN heterostructures for UV photodetectors”, Tech. Phys., 60:3 (2015), 546–552 |
3
|
| 12. |
Т. В. Малин, А. М. Гилинский, В. Г. Мансуров, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов, Е. Б. Якимов, К. С. Журавлев, “Увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в твердых растворах Al$_x$Ga$_{1-x}$N ($x$ = 0–0.1), полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1329–1334 ; T. V. Malin, A. M. Gilinskii, V. G. Mansurov, D. Yu. Protasov, A. S. Kozhukhov, E. B. Yakimov, K. S. Zhuravlev, “Increase in the diffusion length of minority carriers in Al$_x$Ga$_{1-x}$N ($x$ = 0–0.1) fabricated by ammonia molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 49:10 (2015), 1285–1289 |
6
|
|
2014 |
| 13. |
Д. Ю. Протасов, Н. Р. Вицина, Н. А. Валишева, Ф. Н. Дульцев, Т. В. Малин, К. С. Журавлев, “Использование маски из хрома для плазмохимического травления слоев Al$_x$Ga$_{1-x}$N”, ЖТФ, 84:9 (2014), 96–99 ; D. Yu. Protasov, N. R. Vitsina, N. A. Valisheva, F. N. Dultsev, T. V. Malin, K. S. Zhuravlev, “Chromium mask for plasma-chemical etching of Al$_x$Ga$_{1-x}$N layers”, Tech. Phys., 59:9 (2014), 1356–1359 |
| 14. |
К. А. Свит, Д. Ю. Протасов, Л. Л. Свешникова, А. К. Шестаков, С. А. Тийс, К. С. Журавлев, “Туннельный транспорт через массивы пассивированных нанокристаллов CdS, полученных методом Ленгмюра–Блоджетт”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1237–1242 ; K. A. Svit, D. Yu. Protasov, L. L. Sveshnikova, A. K. Shestakov, S. A. Teys, K. S. Zhuravlev, “Tunneling transport through passivated CdS nanocrystal arrays grown by the Langmuir–Blodgett method”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1205–1210 |
3
|
|
2013 |
| 15. |
Д. Ю. Протасов, Т. В. Малин, А. В. Тихонов, А. Ф. Цацульников, К. С. Журавлев, “Рассеяние электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 36–47 ; D. Yu. Protasov, T. V. Malin, A. V. Tikhonov, A. F. Tsatsul'nikov, K. S. Zhuravlev, “Electron scattering in AlGaN/GaN heterostructures with a two-dimensional electron gas”, Semiconductors, 47:1 (2013), 33–44 |
31
|
|
