|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
З. А. Исаханов, Б. Е. Умирзаков, С. С. Насриддинов, З. Э. Мухтаров, Р. М. Ёркулов, “Изучение критического угла каналирования ионов активных металлов через тонкие пленки алюминия”, Письма в ЖТФ, 47:23 (2021), 12–14   |
| 2. |
Б. Е. Умирзаков, З. А. Исаханов, Г. Х. Аллаёрова, Р. М. Ёркулов, “Влияние поэтапного постимплантационного отжига на состав и структуру поверхностных слоев кремния, имплантированного ионами щелочных металлов”, Письма в ЖТФ, 47:1 (2021), 15–19 ; B. E. Umirzakov, Z. A. Isakhanov, G. Kh. Allayarova, R. M. Yorkulov, “The effect of stepwise postimplantation annealing on the composition and structure of silicon surface layers implanted with alkali metal ions”, Tech. Phys. Lett., 47:1 (2021), 11–15 |
|
2020 |
| 3. |
З. А. Исаханов, И. О. Косимов, Б. Е. Умирзаков, Р. М. Ёркулов, “Модификация свойств поверхности свободных пленок Si–Cu имплантацией ионов активных металлов”, ЖТФ, 90:1 (2020), 123–127 ; Z. A. Isakhanov, I. O. Kosimov, B. E. Umirzakov, R. M. Yorkulov, “Modification of the surface properties of free Si–Cu films by implantation of active metal ions”, Tech. Phys., 65:1 (2020), 114–117 |
5
|
|
2019 |
| 4. |
Б. Е. Умирзаков, М. К. Рузибаева, З. А. Исаханов, Р. М. Ёркулов, “Формирование наноразмерных пленок SiO$_{2}$ на поверхности свободной пленочной системы Si/Cu при имплантации ионов O$_{2}^{+}$”, ЖТФ, 89:6 (2019), 935–937 ; B. E. Umirzakov, M. K. Ruzibaeva, Z. A. Isakhanov, R. M. Yorkulov, “Formation of nanodimensional SiO$_{2}$ films on the surface of a free si/cu film system by O$_{2}^{+}$ ion implantation”, Tech. Phys., 64:6 (2019), 881–883 |
1
|
|
2016 |
| 5. |
Ё. С. Эргашов, З. А. Исаханов, Б. Е. Умирзаков, “Прохождение электромагнитных излучений через тонкие пленки Cu”, ЖТФ, 86:6 (2016), 156–158 ; Y. S. Ergashov, Z. A. Isakhanov, B. E. Umirzakov, “Transmission of electromagnetic waves through thin Cu films”, Tech. Phys., 61:6 (2016), 953–955 |
7
|
|
2015 |
| 6. |
З. Э. Мухтаров, З. А. Исаханов, Б. Е. Умирзаков, Т. Кодиров, Е. С. Эргашев, “Влияние имплантации ионов активных металлов на элементный и химический составы поверхности CdTe”, ЖТФ, 85:12 (2015), 146–149 ; Z. È. Мuhtarov, Z. A. Isakhanov, B. E. Umirzakov, T. Kodirov, E. S. Ergashev, “Effect of implantation of active metal ions on the elemental and chemical compositions of the CdTe surface”, Tech. Phys., 60:12 (2015), 1880–1883 |
5
|
| 7. |
Б. Е. Умирзаков, З. А. Исаханов, М. К. Рузибаева, З. Э. Мухтаров, А. С. Халматов, “Изучение профилей распределения атомов по глубине свободных нанопленочных систем типа Si–Me”, ЖТФ, 85:4 (2015), 123–125 ; B. E. Umirzakov, Z. A. Isakhanov, M. K. Ruzibaeva, Z. È. Мuhtarov, A. S. Khalmatov, “Analysis of profiles of atomic distribution over the depth of Si–Me free nanofilm systems”, Tech. Phys., 60:4 (2015), 600–602 |
3
|
| 8. |
З. А. Исаханов, Ю. Е. Умирзаков, М. К. Рузибаева, С. Б. Донаев, “Влияние бомбардировки ионов O$_2^+$ на состав и структуру TiN”, ЖТФ, 85:2 (2015), 156–158 ; Z. A. Isakhanov, Yu. E. Umirzakov, M. K. Ruzibaeva, S. B. Donaev, “Effect of the O$_2^+$-ion bombardment on the TiN composition and structure”, Tech. Phys., 60:2 (2015), 313–315 |
8
|
|
2012 |
| 9. |
З. А. Исаханов, “Энергетическое распределение ионов металлов и инертных газов, прошедших через монокристаллические пленки меди”, ЖТФ, 82:9 (2012), 116–118 ; Z. A. Isakhanov, “Energy distribution of metal and noble gas ions traversing single-crystal copper films”, Tech. Phys., 57:9 (2012), 1297–1299 |
2
|
|
2011 |
| 10. |
З. А. Исаханов, З. Э. Мухтаров, Б. Е. Умирзаков, М. К. Рузибаева, “Оптимальные режимы ионной имплантации и отжига для стимулирования вторичной отрицательной ионной эмиссии”, ЖТФ, 81:4 (2011), 117–120 ; Z. A. Isakhanov, Z. È. Мuhtarov, B. E. Umirzakov, M. K. Ruzibaeva, “Optimum ion implantation and annealing conditions for stimulating secondary negative ion emission”, Tech. Phys., 56:4 (2011), 546–549 |
17
|
|
