|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
А. В. Афанасьев, В. В. Забродский, В. А. Ильин, А. В. Серков, В. В. Трушлякова, Д. А. Чигирев, “4H-SiC-фотодиоды с микронаноструктурированной поверхностью приемной области”, Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025), 43–47  |
|
2022 |
| 2. |
А. В. Афанасьев, В. В. Забродский, В. А. Ильин, В. В. Лучинин, А. В. Николаев, А. В. Серков, В. В. Трушлякова, Д. А. Чигирев, “Применение технологии реактивного ионно-плазменного травления для управления чувствительностью 4H-SiC-фотодиодов”, Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022), 997–1001  |
| 3. |
А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, В. В. Лучинин, А. В. Серков, Д. А. Чигирев, “О формировании низкоомных контактов для биполярных приборов на основе 4H-SiC”, Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022), 607–610 |
| 4. |
А. В. Афанасьев, В. И. Зубков, В. А. Ильин, В. В. Лучинин, М. В. Павлова, М. Ф. Панов, В. В. Трушлякова, Д. Д. Фирсов, “Определение толщин и особенностей легирования многослойных $4H$–$\mathrm{SiC}$-структур методом частотного анализа инфракрасных спектров отражения”, Письма в ЖТФ, 48:2 (2022), 34–36 |
|
2020 |
| 5. |
А. И. Михайлов, А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, В. В. Лучинин, С. А. Решанов, A. Schöner, “Cиловой МДП-транзистор на 4$H$-SiC с эпитаксиальным заглубленным каналом”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 79–84 ; A. I. Mikhaylov, A. V. Afanasyev, V. A. Ilyin, V. V. Luchinin, S. A. Reshanov, A. Schöner, “High-power 4$H$-SiC mosfet with an epitaxial buried channel”, Semiconductors, 54:1 (2020), 122–126 |
5
|
|
2016 |
| 6. |
А. И. Михайлов, А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, В. В. Лучинин, С. А. Решанов, A. Schöner, “Метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого 4$H$-SiC-транзистора”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 839–842 ; A. I. Mikhaylov, A. V. Afanasyev, V. A. Ilyin, V. V. Luchinin, S. A. Reshanov, A. Schöner, “Method for increasing the carrier mobility in the channel of the 4$H$-SiC MOSFET”, Semiconductors, 50:6 (2016), 824–827 |
| 7. |
А. И. Михайлов, А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, В. В. Лучинин, T. Sledziewski, С. А. Решанов, A. Schöner, M. Krieger, “Особенности вольт-амперных характеристик МДП-структур SiO$_{2}$/4$H$-SiC c имплантированным в карбид кремния фосфором”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 103–105 ; A. I. Mikhaylov, A. V. Afanasyev, V. A. Ilyin, V. V. Luchinin, T. Sledziewski, S. A. Reshanov, A. Schöner, M. Krieger, “Specific features of the current–voltage characteristics of SiO$_{2}$/4$H$-SiC MIS structures with phosphorus implanted into silicon carbide”, Semiconductors, 50:1 (2016), 103–105 |
4
|
|
2015 |
| 8. |
П. А. Иванов, А. С. Потапов, А. Е. Николаев, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, А. Ф. Цацульников, А. В. Афанасьев, А. А. Романов, Е. В. Осачев, “Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/Al$_2$O$_3$/$n$-GaN”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015), 1061–1064 ; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, A. E. Nikolaev, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, A. F. Tsatsul'nikov, A. V. Afanasyev, A. A. Romanov, E. V. Osachev, “Capacitance-voltage characteristics of (Al/Ti)/Al$_2$O$_3$/$n$-GaN MIS structures”, Semiconductors, 49:8 (2015), 1035–1038 |
1
|
|
2014 |
| 9. |
А. И. Михайлов, А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, В. В. Лучинин, С. А. Решанов, M. Krieger, A. Schöner, T. Sledziewski, “Ионная имплантация фосфора как метод пассивации состояний на границе раздела 4H-SiC и SiO$_2$, полученного термическим окислением в атмосфере сухого кислорода”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1621–1625 ; A. I. Mikhaylov, A. V. Afanasyev, V. A. Ilyin, V. V. Luchinin, S. A. Reshanov, M. Krieger, A. Schöner, T. Sledziewski, “On the ion implantation of phosphorus as a method for the passivation of states at the interface between 4H-SiC and SiO$_2$ produced by thermal oxidation in dry oxygen”, Semiconductors, 48:12 (2014), 1581–1585 |
6
|
|
2013 |
| 10. |
П. А. Иванов, Н. Д. Ильинская, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, “Влияние быстрой термообработки на вольт-амперные характеристики 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 83–86 ; P. A. Ivanov, N. D. Il'inskaya, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, A. V. Afanasyev, V. A. Ilyin, “Effect of rapid thermal annealing on the current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky diodes”, Semiconductors, 47:1 (2013), 81–84 |
8
|
|
