|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
А. И. Стручков, К. В. Карабешкин, П. А. Карасев, А. И. Титов, “Анализ параметров индивидуальных каскадов столкновений при облучении Ga$_2$O$_3$ атомарными и молекулярными ионами”, Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023), 738–742   |
|
2022 |
| 2. |
П. А. Карасев, К. В. Карабешкин, А. И. Стручков, А. И. Печников, В. И. Николаев, В. Д. Андреева, А. И. Титов, “Накопление структурных нарушений при облучении $\alpha$-Ga$_2$O$_3$ ионами P и PF$_4$”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022), 882–887 ; P. A. Karaseov, K. V. Karabeshkin, A. I. Struchkov, A. I. Pechnikov, V. I. Nikolaev, V. D. Andreeva, A. I. Titov, “Radiation damage accumulation in $\alpha$-Ga$_2$O$_3$ under P and PF$_4$ ion bombardment”, Semiconductors, 57:10 (2023), 459–464 |
3
|
|
2020 |
| 3. |
А. Е. Калядин, К. Ф. Штельмах, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, К. В. Карабешкин, Е. И. Шек, Н. А. Соболев, “Кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 580–584 ; A. E. Kalyadin, K. F. Shtel'makh, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskii, K. V. Karabeshkin, E. I. Shek, N. A. Sobolev, “Silicon light-emitting diodes with luminescence from (113) defects”, Semiconductors, 54:6 (2020), 687–690 |
5
|
| 4. |
М. С. Тужилкин, П. Г. Беспалова, М. В. Мишин, И. Е. Колесников, К. В. Карабешкин, П. А. Карасев, А. И. Титов, “Формирование наночастиц Au и особенности травления подложки Si после облучения атомарными и молекулярными ионами”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 90–96 ; M. S. Tuzhilkin, P. G. Bespalova, M. V. Mishin, I. E. Kolesnikov, K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Titov, “Formation of Au nanoparticles and features of etching of a Si substrate under irradiation with atomic and molecular ions”, Semiconductors, 54:1 (2020), 137–143 |
7
|
|
2019 |
| 5. |
А. И. Титов, К. В. Карабешкин, П. А. Карасев, А. И. Стручков, “Влияют ли химические эффекты на накопление структурных нарушений при имплантации в GaN ионов фтора?”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1455–1458 ; A. I. Titov, K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Struchkov, “Do chemical effects affect the accumulation of structural damage during the implantation of fluorine ions into GaN?”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1415–1418 |
7
|
| 6. |
Н. А. Соболев, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, А. Д. Бондарев, К. В. Карабешкин, Е. В. Фомин, А. Е. Калядин, В. М. Микушкин, Е. И. Шек, Е. В. Шерстнев, “Образование дефектов в структурах GaAs с непокрытой и покрытой пленкой AlN поверхностями при имплантации ионов азота и последующем отжиге”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 437–440 ; N. A. Sobolev, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, A. D. Bondarev, K. V. Karabeshkin, E. V. Fomin, A. E. Kalyadin, V. M. Mikushkin, E. I. Shek, E. V. Sherstnev, “Defect formation under nitrogen-ion implantation and subsequent annealing in GaAs structures with an uncovered surface and a surface covered with an AlN film”, Semiconductors, 53:4 (2019), 415–418 |
2
|
|
2018 |
| 7. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, К. В. Карабешкин, Р. Н. Кютт, В. М. Микушкин, Е. И. Шек, Е. В. Шерстнев, В. И. Вдовин, “Дефектная структура слоев GaAs, имплантированных ионами азота”, Письма в ЖТФ, 44:18 (2018), 24–30 ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, K. V. Karabeshkin, R. N. Kyutt, V. M. Mikushkin, E. I. Shek, E. V. Sherstnev, V. I. Vdovin, “Defect structure of GaAs layers implanted with nitrogen ions”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 817–819 |
3
|
| 8. |
Н. А. Соболев, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Е. Калядин, К. В. Карабешкин, В. М. Микушкин, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, Е. В. Шерстнев, Н. М. Шмидт, “Влияние дозы имплантации ионов азота на концентрацию точечных дефектов, введенных в слои GaAs”, Письма в ЖТФ, 44:13 (2018), 44–50 ; N. A. Sobolev, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. E. Kalyadin, K. V. Karabeshkin, V. M. Mikushkin, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, E. V. Sherstnev, N. M. Shmidt, “The effect of dose of nitrogen-ion implantation on the concentration of point defects introduced into GaAs layers”, Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 574–576 |
6
|
|
2017 |
| 9. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, К. В. Карабешкин, П. А. Карасев, А. И. Титов, “Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами фтора”, Письма в ЖТФ, 43:1 (2017), 14–20 ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Titov, “Dislocation-related photoluminescence in silicon implanted with fluorine ions”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 50–52 |
4
|
|
2016 |
| 10. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, Е. И. Шек, К. Ф. Штельмах, К. В. Карабешкин, “Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2411–2414 ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskii, E. I. Shek, K. F. Shtel'makh, K. V. Karabeshkin, “Effect of the implantation dose and annealing time on the luminescence properties of (113) defects in silicon implanted by oxygen ions”, Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2499–2502 |
4
|
| 11. |
К. В. Карабешкин, П. А. Карасев, А. И. Титов, “Влияние повышения плотности каскадов столкновений на эффективность генерации первичных смещений при ионной бомбардировке Si”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1009–1015 ; K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Titov, “Effect of an increase in the density of collision cascades on the efficiency of the generation of primary displacements during the ion bombardment of Si”, Semiconductors, 50:8 (2016), 989–995 |
7
|
|
2014 |
| 12. |
П. А. Карасев, К. В. Карабешкин, А. И. Титов, В. Б. Шилов, Г. М. Ермолаева, В. Г. Маслов, А. О. Орлова, “Нелинейный оптический эффект при облучении GaN малыми кластерными ионами”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 462–466 ; P. A. Karaseov, K. V. Karabeshkin, A. I. Titov, V. B. Shilov, G. M. Ermolaeva, V. G. Maslov, A. O. Orlova, “Nonlinear optical effect upon the irradiation of GaN with cluster ions”, Semiconductors, 48:4 (2014), 446–450 |
10
|
|
2013 |
| 13. |
К. В. Карабешкин, П. А. Карасёв, А. И. Титов, “Накопление структурных нарушений при облучении кремния ионами PF$_n^+$ различных энергий”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 206–210 ; K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Titov, “Damage formation in Si under irradiation with PF$^+_n$ ions of different energies”, Semiconductors, 47:2 (2013), 242–246 |
13
|
|
