|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
А. А. Лебедев, И. П. Никитина, Н. В. Середова, Н. К. Полетаев, С. П. Лебедев, В. В. Козловский, А. В. Зубов, “Исследование влияния структурных дефектов на спектры фотолюминесценции в $n$-3$C$-SiC”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 28–30   ; A. A. Lebedev, I. P. Nikitina, N. V. Seredova, N. K. Poletaev, S. P. Lebedev, V. V. Kozlovskii, A. V. Zubov, “A study of the influence exerted by structural defects on photoluminescence spectra in $n$-3$C$-SiC”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 557–559 |
3
|
|
2017 |
| 2. |
Н. К. Полетаев, А. П. Скворцов, “Спектры оптического поглощения и схема уровней энергии ионов Er$^{3+}$ в объемных кристаллах нитрида алюминия”, Физика твердого тела, 59:12 (2017), 2387–2391 ; N. K. Poletaev, A. P. Skvortsov, “Spectra of optical absorption and energy levels diagram of Er$^{3+}$ ions in bulk crystals of aluminum nitride”, Phys. Solid State, 59:12 (2017), 2413–2417 |
2
|
|
2016 |
| 3. |
Ю. В. Жиляев, В. В. Зеленин, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, Н. К. Полетаев, А. П. Скворцов, “Спектры поглощения объемных кристаллов нитрида алюминия, легированных ионами Er$^{3+}$”, Письма в ЖТФ, 42:3 (2016), 91–96 ; Yu. V. Zhilyaev, V. V. Zelenin, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, N. K. Poletaev, A. P. Skvortsov, “Absorption spectra of bulk aluminum nitride crystals doped with Er$^{3+}$ ions”, Tech. Phys. Lett., 42:2 (2016), 156–159 |
1
|
|
2015 |
| 4. |
Р. И. Джиоев, К. В. Кавокин, Ю. Г. Кусраев, Н. К. Полетаев, “Динамика рекомбинации носителей в полупроводниковой лазерной структуре”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015), 1578–1582 ; R. I. Dzhioev, K. V. Kavokin, Yu. G. Kusrayev, N. K. Poletaev, “Dynamics of carrier recombination in a semiconductor laser structure”, Semiconductors, 49:11 (2015), 1531–1535 |
1
|
| 5. |
Ю. В. Жиляев, В. В. Зеленин, Т. А. Орлова, В. Н. Пантелеев, Н. К. Полетаев, С. Н. Родин, С. А. Сныткина, “Влияние поверхностно-активных веществ на эпитаксиальный рост нитрида галлия, выращенного из газовой фазы в системе Ga–HCl–NH$_3$–H$_2$–Ar”, Письма в ЖТФ, 41:10 (2015), 29–34 ; Yu. V. Zhilyaev, V. V. Zelenin, T. A. Orlova, V. N. Panteleev, N. K. Poletaev, S. N. Rodin, S. A. Snytkina, “The effect of surfactants on epitaxial growth of gallium nitride from gas phase in the Ga–HCl–NH$_3$–H$_2$–Ar system”, Tech. Phys. Lett., 41:10 (2015), 476–478 |
1
|
|
2013 |
| 6. |
М. М. Мездрогина, Е. С. Москаленко, Н. К. Полетаев, Ю. В. Кожанова, “Влияние напряженности магнитного поля и интенсивности возбуждения на вид спектров микрофотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе GaN/InGaN, легированных Sm, Eu + Sm”, Физика твердого тела, 55:5 (2013), 962–967 ; M. M. Mezdrogina, E. S. Moskalenko, N. K. Poletaev, Yu. V. Kozhanova, “Influence of the magnetic field strength and excitation intensity on the shape of microphotoluminescence spectra of quantum-well structures based on GaN/InGaN doped with Sm and Eu+Sm”, Phys. Solid State, 55:5 (2013), 1043–1049 |
1
|
| 7. |
А. П. Скворцов, Н. К. Полетаев, К. Полгар, А. Петер, “Спектры поглощения ионов Er$^{3+}$ в кристаллах Li$_6$Y(BO$_3$)$_3$”, Письма в ЖТФ, 39:9 (2013), 41–46 ; A. P. Skvortsov, N. K. Poletaev, K. Polgar, A. Peter, “Absorption spectra of Er$^{3+}$ ions in Li$_6$Y(BO$_3$)$_3$ crystals”, Tech. Phys. Lett., 39:5 (2013), 424–426 |
2
|
|
2012 |
| 8. |
Ю. В. Жиляев, Д. И. Микулик, А. В. Насонов, А. Орлова, В. Н. Пантелеев, Н. К. Полетаев, Л. М. Федоров, М. П. Щеглов, “Арсенид-галлиевые $p$–$i$–$n$-структуры для детекторов рентгеновского излучения на германиевых и арсенид-галлиевых подложках”, Письма в ЖТФ, 38:9 (2012), 1–7 ; Yu. V. Zhilyaev, D. I. Mikulik, A. V. Nasonov, A. Orlova, V. N. Panteleev, N. K. Poletaev, L. M. Fedorov, M. P. Scheglov, “GaAs $p$–$i$–$n$ structures for X-ray detectors grown on Ge and GaAs substrates”, Tech. Phys. Lett., 38:5 (2012), 399–401 |
3
|
| 9. |
В. Н. Бессолов, Ю. В. Жиляев, Е. В. Коненкова, Н. К. Полетаев, Ш. Ш. Шарофидинов, М. П. Щеглов, “Эпитаксия нитрида галлия в полуполярном направлении на кремнии”, Письма в ЖТФ, 38:1 (2012), 21–26 ; V. N. Bessolov, Yu. V. Zhilyaev, E. V. Konenkova, N. K. Poletaev, Sh. Sh. Sharofidinov, M. P. Scheglov, “Epitaxy of gallium nitride in semi-polar direction on silicon”, Tech. Phys. Lett., 38:1 (2012), 9–11 |
9
|
|
2011 |
| 10. |
Ю. В. Тубольцев, М. М. Мездрогина, Е. М. Хилькевич, Ю. В. Чичагов, Н. К. Полетаев, Р. В. Кузьмин, “Установка для измерения спектров излучения широкозонных полупроводниковых материалов”, ЖТФ, 81:9 (2011), 77–81 ; Yu. V. Tuboltsev, M. M. Mezdrogina, E. M. Khilkevich, Yu. V. Chichagov, N. K. Poletaev, R. V. Kuz'min, “Setup for taking the radiation spectra of wideband semiconductors”, Tech. Phys., 56:9 (2011), 1297–1301 |
|
