|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Г. М. Умнягин, В. Е. Дегтярев, С. В. Оболенский, “Численное моделирование вольт-амперных характеристик двуслойной резистивной памяти на основе нестехиометрических оксидов металлов”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1275–1278   ; G. M. Umnyagin, V. E. Degtyarov, S. V. Obolensky, “Numerical simulation of the current–voltage characteristics of bilayer resistive memory based on non-stoichiometric metal oxides”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1246–1248 |
1
|
|
2017 |
| 2. |
В. Е. Дегтярев, С. В. Хазанова, А. А. Конаков, “Влияние электрического поля на соотношение параметров Рашба и Дрессельхауза в гетероструктурах А$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1462–1467 ; V. E. Degtyarov, S. V. Khazanova, A. A. Konakov, “Effect of electric field on the ratio between the rashba and dresselhaus parameters in III–V heterostructures”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1409–1414 |
1
|
|
2015 |
| 3. |
Н. С. Волкова, А. П. Горшков, С. В. Тихов, Н. В. Байдусь, С. В. Хазанова, В. Е. Дегтярев, Д. О. Филатов, “Влияние пространственного расположения $\delta$-слоя Si на оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 145–148 ; N. S. Volkova, A. P. Gorshkov, S. V. Tikhov, N. V. Baidus, S. V. Khazanova, V. E. Degtyarov, D. O. Filatov, “Influence of the spatial arrangement of the Si $\delta$ layer on the optoelectronic properties of InGaAs/GaAs quantum-well nanoheterostructures”, Semiconductors, 49:2 (2015), 139–142 |
| 4. |
С. В. Хазанова, В. Е. Дегтярев, Н. В. Малехонова, Д. А. Павлов, Н. В. Байдусь, “Влияние технологических параметров роста на характеристики двойных туннельно-связанных ям InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 58–62 ; S. V. Khazanova, V. E. Degtyarov, N. V. Malekhonova, D. A. Pavlov, N. V. Baidus, “Influence of the technological parameters of growth on the characteristics of double tunnel-coupled InGaAs/GaAs quantum wells”, Semiconductors, 49:1 (2015), 55–59 |
1
|
| 5. |
С. В. Хазанова, В. Е. Дегтярев, С. В. Тихов, Н. В. Байдусь, “Моделирование эффективного профиля концентрации в гетероструктурах InGaAs/GaAs с $\delta$-легированными слоями”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 53–57 ; S. V. Khazanova, V. E. Degtyarov, S. V. Tikhov, N. V. Baidus, “Simulation of the effective concentration profiles in InGaAs/GaAs heterostructures containing $\delta$-doped layers”, Semiconductors, 49:1 (2015), 50–54 |
5
|
|
2012 |
| 6. |
С. В. Тихов, Н. В. Байдусь, А. А. Бирюков, В. Е. Дегтярев, “Адмиттанс кольцевых диодных структур с квантовыми ямами InGaAs/InAlAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1561–1565 ; S. V. Tikhov, N. V. Baidus, A. A. Biryukov, V. E. Degtyarov, “Admittance spectroscopy of ring diode InGaAs/InAlAs/InP quantum-well structures”, Semiconductors, 46:12 (2012), 1524–1528 |
1
|
| 7. |
С. В. Хазанова, Н. В. Байдусь, Б. Н. Звонков, Д. А. Павлов, Н. В. Малехонова, В. Е. Дегтярев, Д. С. Смотрин, И. А. Бобров, “Туннельно-связанные квантовые ямы InGaAs/GaAs: структура, состав и энергетический спектр”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1510–1514 ; S. V. Khazanova, N. V. Baidus, B. N. Zvonkov, D. A. Pavlov, N. V. Malekhonova, V. E. Degtyarov, D. S. Smotrin, I. A. Bobrov, “Tunnel-coupled InGaAs/GaAs quantum wells: Structure, composition, and energy spectrum”, Semiconductors, 46:12 (2012), 1476–1480 |
4
|
|
