|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
М. М. Иванова, А. Н. Качемцев, А. Н. Михайлов, Д. О. Филатов, А. П. Горшков, Н. С. Волкова, В. Ю. Чалков, В. Г. Шенгуров, “Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 651–655   ; M. M. Ivanova, A. N. Kachemtsev, A. N. Mikhaylov, D. O. Filatov, A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, V. Yu. Chalkov, V. G. Shengurov, “Effect of pulsed gamma-neutron irradiation on the photosensitivity of Si-based photodiodes with GeSi nanoislands and Ge epitaxial layers”, Semiconductors, 52:6 (2018), 797–801 |
2
|
|
2015 |
| 2. |
В. Г. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, Н. А. Алябина, Д. В. Гусейнов, В. Н. Трушин, А. П. Горшков, Н. С. Волкова, М. М. Иванова, А. В. Круглов, Д. О. Филатов, “Фотодетекторы на базе гетероструктур Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1411–1414 ; V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, N. A. Alyabina, D. V. Guseinov, V. N. Trushin, A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, M. M. Ivanova, A. V. Kruglov, D. O. Filatov, “Photodetectors on the basis of Ge/Si(001) heterostructures grown by the hot-wire CVD technique”, Semiconductors, 49:10 (2015), 1365–1368 |
9
|
| 3. |
Д. О. Филатов, А. П. Горшков, Н. С. Волкова, Д. В. Гусейнов, Н. А. Алябина, М. М. Иванова, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, В. Г. Шенгуров, “Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 399–405 ; D. O. Filatov, A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, D. V. Guseinov, N. A. Alyabina, M. M. Ivanova, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, V. G. Shengurov, “Photodiodes based on self-assembled GeSi/Si(001) nanoisland arrays grown by the combined sublimation molecular-beam epitaxy of silicon and vapor-phase epitaxy of germanium”, Semiconductors, 49:3 (2015), 387–393 |
5
|
|
