|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
В. А. Ромака, P. Rogl, В. В. Ромака, D. Kaczorowski, В. Я. Крайовский, Ю. В. Стаднык, А. М. Горынь, “Особенности зонной структуры и механизмов проводимости полупроводника $n$-HfNiSn, сильно легированного Y”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 147–153   ; V. A. Romaka, P. Rogl, V. V. Romaka, D. Kaczorowski, V. Ya. Krayovskyy, Yu. V. Stadnyk, A. M. Horyn, “Features of the band structure and conduction mechanisms of $n$-HfNiSn heavily doped with Y”, Semiconductors, 51:2 (2017), 139–145 |
1
|
|
2016 |
| 2. |
В. А. Ромака, P. Rogl, В. В. Ромака, D. Kaczorowski, Ю. В. Стаднык, В. Я. Крайовский, А. М. Горынь, “Особенности механизмов проводимости сильно легированного и компенсированного полупроводника V$_{1-x}$Ti$_{x}$FeSb”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 877–885 ; V. A. Romaka, P. Rogl, V. V. Romaka, D. Kaczorowski, Yu. V. Stadnyk, V. Ya. Krayovskyy, A. M. Horyn, “Features of conductivity mechanisms in heavily doped compensated V$_{1-x}$Ti$_{x}$FeSb semiconductor”, Semiconductors, 50:7 (2016), 860–868 |
6
|
|
2015 |
| 3. |
В. А. Ромака, P. Rogl, В. В. Ромака, Ю. В. Стаднык, В. Я. Крайовский, D. Kaczorowski, И. Н. Наконечный, А. М. Горынь, “Механизм генерирования структурных дефектов и особенности зонной структуры полупроводника HfNi$_{1-x}$Co$_x$Sn”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015), 1009–1015 ; V. A. Romaka, P. Rogl, V. V. Romaka, Yu. V. Stadnyk, V. Ya. Krayovskyy, D. Kaczorowski, I. N. Nakonechnyy, A. M. Horyn, “Structural defect generation and band-structure features in the HfNi$_{1-x}$Co$_x$Sn semiconductor”, Semiconductors, 49:8 (2015), 985–991 |
1
|
|
2014 |
| 4. |
В. А. Ромака, P. Rogl, В. В. Ромака, Ю. В. Стаднык, Р. О. Корж, В. Я. Крайовский, А. М. Горынь, “Особенности зонной структуры и механизмов проводимости полупроводника $n$-HfNiSn, сильно легированного Ru”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1585–1591 ; V. A. Romaka, P. Rogl, V. V. Romaka, Yu. V. Stadnyk, R. O. Korzh, V. Ya. Krayovskyy, A. M. Horyn, “Features of the band structure and conduction mechanisms in the $n$-HfNiSn semiconductor heavily doped with Ru”, Semiconductors, 48:12 (2014), 1545–1551 |
2
|
|
2013 |
| 5. |
В. А. Ромака, P. Rogl, Ю. В. Стаднык, В. В. Ромака, E. K. Hlil, В. Я. Крайовский, А. М. Горынь, “Особенности механизмов проводимости полупроводника $n$-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Rh”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1157–1164 ; V. A. Romaka, P. Rogl, Yu. V. Stadnyk, V. V. Romaka, E. K. Hlil, V. Ya. Krayovskyy, A. M. Horyn, “Features of conduction mechanisms in $n$-HfNiSn semiconductor heavily doped with a Rh acceptor impurity”, Semiconductors, 47:9 (2013), 1145–1152 |
5
|
| 6. |
В. А. Ромака, P. F. Rogl, В. В. Ромака, Ю. В. Стаднык, E. K. Hlil, В. Я. Крайовский, А. М. Горынь, “Эффект аккумулирования избыточных атомов Ni в кристаллической структуре интерметаллического полупроводника $n$-ZrNiSn”, Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013), 882–889 ; V. A. Romaka, P. F. Rogl, V. V. Romaka, Yu. V. Stadnyk, E. K. Hlil, V. Ya. Krayovskyy, A. M. Horyn, “Effect of the accumulation of excess Ni atoms in the crystal structure of the intermetallic semiconductor $n$-ZrNiSn”, Semiconductors, 47:7 (2013), 892–898 |
14
|
|
2012 |
| 7. |
В. А. Ромака, P. Rogl, Ю. В. Стаднык, В. В. Ромака, E. K. Hlil, В. Я. Крайовский, А. М. Горынь, “Особенности механизмов проводимости полупроводника $n$-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Co”, Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012), 1130–1137 ; V. A. Romaka, P. Rogl, Yu. V. Stadnyk, V. V. Romaka, E. K. Hlil, V. Ya. Krayovskyy, A. M. Horyn, “Features of the conduction mechanisms of the $n$-HfNiSn semiconductor heavily doped with the Co acceptor impurity”, Semiconductors, 46:9 (2012), 1106–1113 |
5
|
| 8. |
В. А. Ромака, P. Rogl, Ю. В. Стаднык, E. K. Hlil, В. В. Ромака, А. М. Горынь, “Особенности проводимости интерметаллического полупроводника $n$-ZrNiSn, сильно легированного донорной примесью Bi”, Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012), 910–917 ; V. A. Romaka, P. Rogl, Yu. V. Stadnyk, E. K. Hlil, V. V. Romaka, A. M. Horyn, “Features of conductivity of the intermetallic semiconductor $n$-ZrNiSn heavily doped with a Bi donor impurity”, Semiconductors, 46:7 (2012), 887–893 |
7
|
|
