|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
Г. А. Новиков, Р. И. Баталов, И. А. Файзрахманов, В. А. Шустов, С. Г. Симакин, К. Н. Галкин, Н. А. Байдакова, “Оптоэлектронные свойства сильно легированных слоев Ge:Sb, полученных ионно-пучковыми методами”, Оптика и спектроскопия, 132:11 (2024), 1189–1195   |
|
2020 |
| 2. |
Д. В. Ананченко, С. В. Никифоров, Г. Р. Рамазанова, Р. И. Баталов, Р. М. Баязитов, Г. А. Новиков, “Люминесценция дефектов $F$-типа и их термическая стабильность в сапфире, облученном импульсными ионными пучками”, Оптика и спектроскопия, 128:2 (2020), 211–217 ; D. V. Ananchenko, S. V. Nikiforov, G. R. Ramazanova, R. I. Batalov, R. M. Bayazitov, H. A. Novikov, “Luminescence and thermal stability of $F$-type defects in sapphire irradiated with pulsed ion beams”, Optics and Spectroscopy, 128:2 (2020), 207–213 |
7
|
|
2015 |
| 3. |
Г. А. Новиков, Р. И. Баталов, Р. М. Баязитов, И. А. Файзрахманов, Г. Д. Ивлев, С. Л. Прокопьев, “Оптическая диагностика лазерно-индуцированных фазовых превращений в тонких пленках германия на кремнии, сапфире и кварце”, ЖТФ, 85:3 (2015), 89–95 ; H. A. Novikov, R. I. Batalov, R. M. Bayazitov, I. A. Faizrakhmanov, G. D. Ivlev, S. L. Prokopyev, “Optical diagnostics of the laser-induced phase transformations in thin germanium films on silicon, sapphire, and fused silica”, Tech. Phys., 60:3 (2015), 406–412 |
5
|
| 4. |
Г. А. Новиков, Р. И. Баталов, Р. М. Баязитов, И. А. Файзрахманов, Н. М. Лядов, В. А. Шустов, К. Н. Галкин, Н. Г. Галкин, И. М. Чернев, Г. Д. Ивлев, С. Л. Прокопьев, П. И. Гайдук, “Импульсная модификация пленок германия на подложках кремния, сапфира и кварца: структура и оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 746–752 ; H. A. Novikov, R. I. Batalov, R. M. Bayazitov, I. A. Faizrakhmanov, N. M. Lyadov, V. A. Shustov, K. N. Galkin, N. G. Galkin, I. M. Chernev, G. D. Ivlev, S. L. Prokopyev, P. I. Gaiduk, “Pulsed modification of germanium films on silicon, sapphire, and quartz substrates: Structure and optical properties”, Semiconductors, 49:6 (2015), 729–735 |
6
|
|
