|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Т. В. Перевалов, Д. Р. Исламов, В. А. Володин, “Электронная структура и природа мелких ловушек в обогащенном кремнием SiO$_x$N$_y$: ab initio моделирование”, Физика твердого тела, 67:1 (2025), 126–131   |
|
2024 |
| 2. |
В. А. Тимофеев, И. В. Скворцов, В. И. Машанов, А. А. Блошкин, В. В. Кириенко, И. Д. Лошкарев, Т. М. Залялов, Т. В. Перевалов, Д. Р. Исламов, “Фотоэлектрические свойства структур с множественными квантовыми ямами GeSiSn|Ge и релаксированными слоями GeSiSn”, Физика твердого тела, 66:11 (2024), 1871–1878 |
|
2022 |
| 3. |
Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, А. В. Бухтияров, И. П. Просвирин, “Электронная структура дефектов вакансионного типа в гексагональном нитриде бора”, Физика твердого тела, 64:7 (2022), 787–793 |
| 4. |
Т. В. Перевалов, Р. М. Х. Исхакзай, И. П. Просвирин, В. Ш. Алиев, В. А. Гриценко, “Бесформовочные мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса”, Письма в ЖЭТФ, 115:2 (2022), 89–93 ; T. V. Perevalov, R. M. Kh. Iskhakzai, I. P. Prosvirin, V. Sh. Aliev, V. A. Gritsenko, “Forming-free memristors based on hafnium oxide processed in electron cyclotron resonance hydrogen plasma”, JETP Letters, 115:2 (2022), 79–83   |
4
|
| 5. |
Т. В. Перевалов, Е. В. Спесивцев, С. В. Рыхлицкий, П. Г. Бобовников, Г. Я. Красников, В. А. Гриценко, “Оптические свойства пиролитического нитрида кремния SiN$_x$, обогащённого кремнием”, Оптика и спектроскопия, 130:11 (2022), 1718–1722 |
|
2020 |
| 6. |
Т. В. Перевалов, В. Н. Кручинин, С. В. Рыхлицкий, В. А. Гриценко, А. П. Елисеев, Е. Е. Ломонова, “Оптические свойства кристаллов (ZrO$_{2}$)$_{1-x}$(Y$_{2}$O$_{3}$)$_{x}$ ($x$ = 0–0.037), полученных направленной кристаллизацией расплава”, Оптика и спектроскопия, 128:12 (2020), 1830–1836 ; T. V. Perevalov, V. N. Kruchinin, S. V. Rykhlitskii, V. A. Gritsenko, A. P. Eliseev, E. E. Lomonova, “Optical properties of (ZrO$_{2}$)$_{1-x}$(Y$_{2}$O$_{3}$)$_{x}$ ($x$ = 0–0.037) crystals grown by directional crystallization of the melt”, Optics and Spectroscopy, 128:12 (2020), 1963–1969 |
| 7. |
В. Н. Кручинин, Т. В. Перевалов, В. Ш. Алиев, Р. М. Х. Исхакзай, Е. В. Спесивцев, В. А. Гриценко, В. А. Пустоваров, “Оптические свойства тонких пленок SiO$_{x}$ $(x<2)$, полученных обработкой термического диоксида кремния в водородной плазме”, Оптика и спектроскопия, 128:10 (2020), 1467–1472 ; V. N. Kruchinin, T. V. Perevalov, V. Sh. Aliev, R. M. Kh. Iskhakzai, E. V. Spesivtsev, V. A. Gritsenko, V. A. Pustovarov, “Optical properties of thin films of SiO$_{x}$ $(x<2)$, obtained by exposure of thermal silicon dioxide in hydrogen plasma”, Optics and Spectroscopy, 128:10 (2020), 1577–1582 |
4
|
|
2019 |
| 8. |
Т. В. Перевалов, В. А. Володин, Ю. Н. Новиков, Г. Н. Камаев, В. А. Гриценко, И. П. Просвирин, “Наноразмерные флуктуации потенциала в SiO$_{x}$, синтезированном плазмохимическим осаждением”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2528–2535 ; T. V. Perevalov, V. A. Volodin, Yu. N. Novikov, G. N. Kamaev, V. A. Gritsenko, I. P. Prosvirin, “Nanoscale potential fluctuations in SiO$_{x}$ synthesized by the plasma enhanced chemical vapor deposition”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2560–2568 |
2
|
| 9. |
Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, А. К. Гутаковский, И. П. Просвирин, “Строение сегнетоэлектрических пленок Hf$_{0.9}$La$_{0.1}$O$_2$, полученных методом атомно-слоевого осаждения”, Письма в ЖЭТФ, 109:2 (2019), 112–117 ; T. V. Perevalov, V. A. Gritsenko, A. K. Gutakovskii, I. P. Prosvirin, “Structure of Hf$_{0.9}$La$_{0.1}$O$_2$ ferroelectric films obtained by the atomic layer deposition”, JETP Letters, 109:2 (2019), 116–120 |
5
|
| 10. |
В. Н. Кручинин, Т. В. Перевалов, Г. Н. Камаев, С. В. Рыхлицкий, В. А. Гриценко, “Оптические свойства нестехиометрического оксида кремния SiO$_{x}$ ($x<$ 2)”, Оптика и спектроскопия, 127:5 (2019), 769–773 ; V. N. Kruchinin, T. V. Perevalov, G. N. Kamaev, S. V. Rykhlitskii, V. A. Gritsenko, “Optical properties of nonstoichiometric silicon oxide SiO$_{x}$ ($x<$ 2)”, Optics and Spectroscopy, 127:5 (2019), 836–840 |
5
|
|
2018 |
| 11. |
Т. В. Перевалов, “Моделирование атомной и электронной структуры вакансий и поливакансий кислорода в ZrO$_{2}$”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 421–425 ; T. V. Perevalov, “Simulation of the atomic and electronic structure of oxygen vacancies and polyvacancies in ZrO$_{2}$”, Phys. Solid State, 60:3 (2018), 423–427 |
5
|
| 12. |
В. А. Гриценко, Т. В. Перевалов, В. А. Володин, В. Н. Кручинин, А. К. Герасимова, И. П. Просвирин, “Строение и электронная структура нестехиометрического обогащенного металлом ZrO$_x$”, Письма в ЖЭТФ, 108:4 (2018), 230–235 ; V. A. Gritsenko, T. V. Perevalov, V. A. Volodin, V. N. Kruchinin, A. K. Gerasimova, I. P. Prosvirin, “Atomic and electronic structures of metal-rich noncentrosymmetric ZrO$_x$”, JETP Letters, 108:4 (2018), 226–230 |
2
|
| 13. |
Т. В. Перевалов, Д. Р. Исламов, И. Г. Черных, “Атомная и электронная структура собственных дефектов в Ta$_2$O$_5$: ab initio моделирование”, Письма в ЖЭТФ, 107:12 (2018), 788–793 ; T. V. Perevalov, D. R. Islamov, I. G. Chernykh, “Atomic and electronic structures of intrinsic defects in Ta$_2$O$_5$: ab initio simulation”, JETP Letters, 107:12 (2018), 761–765 |
7
|
| 14. |
Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, Д. Р. Исламов, И. П. Просвирин, “Электронная структура вакансий кислорода в орторомбической нецентросимметричной фазе Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$”, Письма в ЖЭТФ, 107:1 (2018), 62–67 ; T. V. Perevalov, V. A. Gritsenko, D. R. Islamov, I. P. Prosvirin, “Electronic structure of oxygen vacancies in the orthorhombic noncentrosymmetric phase Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$”, JETP Letters, 107:1 (2018), 55–60 |
11
|
| 15. |
В. Н. Кручинин, В. А. Володин, Т. В. Перевалов, А. К. Герасимова, В. Ш. Алиев, В. А. Гриценко, “Оптические свойства нестехиометрического оксида тантала TaO$_{x}$ ($x<$ 5/2) по данным спектроэллипсометрии и комбинационного рассеяния”, Оптика и спектроскопия, 124:6 (2018), 777–782 ; V. N. Kruchinin, V. A. Volodin, T. V. Perevalov, A. K. Gerasimova, V. Sh. Aliev, V. A. Gritsenko, “Optical properties of nonstoichiometric tantalum oxide TaO$_{x}$ ($x<$ 5/2) according to spectral-ellipsometry and Raman-scattering data”, Optics and Spectroscopy, 124:6 (2018), 808–813 |
17
|
|
2016 |
| 16. |
Т. В. Перевалов, Д. Р. Исламов, А. А. Сараев, “Атомная и электронная структура поливакансий кислорода в анатазе”, Письма в ЖТФ, 42:11 (2016), 97–104 ; T. V. Perevalov, D. R. Islamov, A. A. Saraev, “The atomic and electronic structure of oxygen polyvacancies in anatase”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 601–604 |
5
|
|
2015 |
| 17. |
Д. В. Гуляев, Т. В. Перевалов, В. Ш. Алиев, К. С. Журавлев, В. А. Гриценко, А. П. Елисеев, А. В. Заблоцкий, “Происхождение синей полосы люминесценции в оксиде циркония”, Физика твердого тела, 57:7 (2015), 1320–1324 ; D. V. Gulyaev, T. V. Perevalov, V. Sh. Aliev, K. S. Zhuravlev, V. A. Gritsenko, A. P. Eliseev, A. V. Zablotskii, “Origin of the blue luminescence band in zirconium oxide”, Phys. Solid State, 57:7 (2015), 1347–1351 |
8
|
| 18. |
Д. Р. Исламов, А. Г. Черникова, М. Г. Козодаев, А. М. Маркеев, Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, О. М. Орлов, “Механизм транспорта заряда в тонких пленках аморфного и сегнетоэлектрического Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$”, Письма в ЖЭТФ, 102:8 (2015), 610–614 ; D. R. Islamov, A. G. Chernikova, M. G. Kozodaev, A. M. Markeev, T. V. Perevalov, V. A. Gritsenko, O. M. Orlov, “Charge transport mechanism in thin films of amorphous and ferroelectric Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$”, JETP Letters, 102:8 (2015), 544–547 |
30
|
|
2010 |
| 19. |
Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, “Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью”, УФН, 180:6 (2010), 587–603 ; T. V. Perevalov, V. A. Gritsenko, “Application and electronic structure of high-permittivity dielectrics”, Phys. Usp., 53:6 (2010), 561–575 |
73
|
|
2007 |
| 20. |
Т. В. Перевалов, А. В. Шапошников, В. А. Гриценко, Х. Вонг, Ж. Х. Хан, Ч. В. Ким, “Электронная структура $\alpha$-Al$_2$O$_3$: ab initio моделирование и сравнение с экспериментом”, Письма в ЖЭТФ, 85:3 (2007), 197–201 ; T. V. Perevalov, A. V. Shaposhnikov, V. A. Gritsenko, H. Wong, J. H. Han, C. W. Kim, “Electronic structure of $\alpha$-Al$_2$O$_3$: ab initio simulations and comparison with experiment”, JETP Letters, 85:3 (2007), 165–168 |
98
|
|
