|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
В. Г. Мансуров, Т. В. Малин, Д. Д. Башкатов, Д. С. Милахин, К. С. Журавлев, “Химическая кинетика процесса нитридизации поверхности Si(111) при температурах ниже структурного фазового перехода (7$\times$7)$\to$(1$\times$1)”, Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024), 349–357   |
|
2022 |
| 2. |
Д. С. Милахин, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, А. С. Кожухов, Н. Н. Новикова, В. А. Яковлев, К. С. Журавлев, “Определение толщины зародышевого слоя AlN, сформированного на поверхности Al$_2$O$_3$(0001) в процессе нитридизации, методами РФЭС и ИК-спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022), 734–741 |
|
2019 |
| 3. |
Д. С. Милахин, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, А. С. Кожухов, И. А. Александров, Н. В. Ржеуцкий, Е. В. Лебедок, Е. А. Разумец, К. С. Журавлев, “Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных $g$-AlN и $g$-Si$_{3}$N$_{3}$”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2327–2332 ; D. S. Milakhin, T. V. Malin, V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, A. S. Kozhukhov, I. A. Aleksandrov, N. V. Rzheutskii, E. V. Lebiadok, A. A. Razumets, K. S. Zhuravlev, “Forming the GaN nanocrystals on the graphene-like $g$-AlN and $g$-Si$_{3}$N$_{3}$ surface”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2329–2334 |
1
|
| 4. |
Т. В. Малин, Д. С. Милахин, И. А. Александров, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, А. А. Зайцев, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, В. Г. Мансуров, К. С. Журавлёв, “Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN”, Письма в ЖТФ, 45:15 (2019), 21–24 ; T. V. Malin, D. S. Milakhin, I. A. Aleksandrov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, A. A. Zaitsev, D. Yu. Protasov, A. S. Kozhukhov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, V. G. Mansurov, K. S. Zhuravlev, “Undoped high-resistance GaN buffer layer for AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 761–764 |
6
|
|
2018 |
| 5. |
В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, Т. В. Малин, C. А. Тийс, Е. В. Федосенко, А. С. Кожухов, К. С. Журавлев, Ildikó Cora, Béla Pécz, “Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1407–1413 ; V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, T. V. Malin, S. A. Teys, E. V. Fedosenko, A. S. Kozhukhov, K. S. Zhuravlev, Ildikó Cora, Béla Pécz, “Formation of a graphene-like SiN layer on the surface Si(111)”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1511–1517 |
7
|
| 6. |
Т. В. Малин, Д. С. Милахин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, А. С. Кожухов, В. В. Ратников, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, К. С. Журавлев, “Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 643–650 ; T. V. Malin, D. S. Milakhin, V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, A. S. Kozhukhov, V. V. Ratnikov, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, K. S. Zhuravlev, “Effect of the sapphire-nitridation level and nucleation-layer enrichment with aluminum on the structural properties of AlN layers”, Semiconductors, 52:6 (2018), 789–796 |
8
|
|
2017 |
| 7. |
К. С. Журавлев, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, О. Е. Терещенко, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, Я. М. Парнес, В. Г. Тихомиров, И. П. Просвирин, “AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 395–402 ; K. S. Zhuravlev, T. V. Malin, V. G. Mansurov, O. E. Tereshchenko, K. K. Abgaryan, D. L. Reviznikov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, Ya. M. Parnes, V. G. Tikhomirov, I. P. Prosvirin, “AlN/GaN heterostructures for normally-off transistors”, Semiconductors, 51:3 (2017), 379–386 |
5
|
|
2016 |
| 8. |
И. А. Александров, В. Г. Мансуров, К. С. Журавлев, “Замедление кинетики фотолюминесценции ансамбля квантовых точек GaN/AlN при туннельном взаимодействии с дефектами”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1059–1063 ; I. A. Aleksandrov, V. G. Mansurov, K. S. Zhuravlev, “Photoluminescence kinetics slowdown in an ensemble of GaN/AlN quantum dots upon tunneling interaction with defects”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1038–1042 |
2
|
| 9. |
И. А. Александров, К. С. Журавлев, В. Г. Мансуров, “Влияние дефектов на кинетику фотолюминесценции структур с квантовыми точками GaN/AlN”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 191–194 ; I. A. Aleksandrov, K. S. Zhuravlev, V. G. Mansurov, “Influence of defects on the photoluminescence kinetics in GaN/AlN quantum-dot structures”, Semiconductors, 50:2 (2016), 191–194 |
1
|
| 10. |
К. С. Журавлев, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, Я. М. Парнес, “Нормально закрытые транзисторы на основе in situ пассивированных гетероструктур AlN/GaN”, Письма в ЖТФ, 42:14 (2016), 72–79 ; K. S. Zhuravlev, T. V. Malin, V. G. Mansurov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, Ya. M. Parnes, “Normally off transistors based on in situ passivated AlN/GaN heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 750–753 |
3
|
|
2015 |
| 11. |
Т. В. Малин, А. М. Гилинский, В. Г. Мансуров, Д. Ю. Протасов, А. К. Шестаков, Е. Б. Якимов, К. С. Журавлев, “Синтез AlGaN/GaN-гетероструктур для ультрафиолетовых фотоприемников методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, ЖТФ, 85:4 (2015), 67–73 ; T. V. Malin, A. M. Gilinskii, V. G. Mansurov, D. Yu. Protasov, A. K. Shestakov, E. B. Yakimov, K. S. Zhuravlev, “MBE-grown AlGaN/GaN heterostructures for UV photodetectors”, Tech. Phys., 60:3 (2015), 546–552 |
3
|
| 12. |
Т. В. Малин, А. М. Гилинский, В. Г. Мансуров, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов, Е. Б. Якимов, К. С. Журавлев, “Увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в твердых растворах Al$_x$Ga$_{1-x}$N ($x$ = 0–0.1), полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1329–1334 ; T. V. Malin, A. M. Gilinskii, V. G. Mansurov, D. Yu. Protasov, A. S. Kozhukhov, E. B. Yakimov, K. S. Zhuravlev, “Increase in the diffusion length of minority carriers in Al$_x$Ga$_{1-x}$N ($x$ = 0–0.1) fabricated by ammonia molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 49:10 (2015), 1285–1289 |
6
|
| 13. |
Д. С. Милахин, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицин, К. С. Журавлев, “Нитридизация нереконструированной и реконструированной $(\sqrt{31}\times\sqrt{31})R\pm9^\circ$ поверхности (0001) сапфира в потоке аммиака”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 925–931 ; D. S. Milakhin, T. V. Malin, V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, K. S. Zhuravlev, “Nitridation of an unreconstructed and reconstructed $(\sqrt{31}\times\sqrt{31})R\pm9^\circ$ (0001) sapphire surface in an ammonia flow”, Semiconductors, 49:7 (2015), 905–910 |
2
|
|
2010 |
| 14. |
И. А. Александров, К. С. Журавлев, В. Г. Мансуров, П. Хольтц, “Линейно поляризованная фотолюминесценция ансамбля вюрцитных GaN/AlN квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 91:9 (2010), 498–500 ; I. A. Aleksandrov, K. S. Zhuravlev, V. G. Mansurov, P. Holtz, “Linearly polarized photoluminescence from an ensemble of wurtzite GaN/AlN quantum dots”, JETP Letters, 91:9 (2010), 452–454   |
2
|
|
2007 |
| 15. |
Ю. Г. Галицын, Д. В. Дмитриев, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов, “Роль латерального взаимодействия в гомоэпитаксии GaAs на поверхности (001)-$\beta(2\times 4)$”, Письма в ЖЭТФ, 86:7 (2007), 553–557 ; Yu. G. Galitsyn, D. V. Dmitriev, V. G. Mansurov, S. P. Moshchenko, A. I. Toropov, “Role of lateral interaction in the homoepitaxy of GaAs on the (001)-$\beta(2\times 4)$ surface”, JETP Letters, 86:7 (2007), 482–486 |
9
|
|
2006 |
| 16. |
Ю. Г. Галицын, Д. В. Дмитриев, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов, “Асимметричный реконструкционный фазовый переход $c(4\times4)\to\gamma(2\times4)$ на поверхности (001) GaAs”, Письма в ЖЭТФ, 84:9 (2006), 596–600 ; Yu. G. Galitsyn, D. V. Dmitriev, V. G. Mansurov, S. P. Moshchenko, A. I. Toropov, “Asymmetric c(4×4) → γ(2×4) reconstruction phase transition on the (001)GaAs surface”, JETP Letters, 84:9 (2006), 505–508 |
9
|
|
2005 |
| 17. |
Ю. Г. Галицын, Д. В. Дмитриев, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов, “Критические явления в реконструкционном переходе $\beta$-$(2\times 4)$ $\to$ $\alpha$-$(2\times4)$ на поверхности (001) GaAs”, Письма в ЖЭТФ, 81:12 (2005), 766–770 ; Yu. G. Galitsyn, D. V. Dmitriev, V. G. Mansurov, S. P. Moshchenko, A. I. Toropov, “Critical phenomena in the β-(2×4) → α-(2×4) reconstruction transition on the (001) GaAs surface”, JETP Letters, 81:12 (2005), 629–633 |
12
|
| 18. |
Д. Д. Ри, В. Г. Мансуров, А. Ю. Никитин, А. К. Гутаковский, К. С. Журавлев, П. Тронк, “Кинетика фотолюминесценции вюрцитных GaN квантовых точек в матрице AlN”, Письма в ЖЭТФ, 81:2 (2005), 70–73 ; D. D. Ri, V. G. Mansurov, A. Yu. Nikitin, A. K. Gutakovskii, K. S. Zhuravlev, P. Tronc, “Photoluminescence kinetics of wurtzite GaN quantum dots in an AlN matrix”, JETP Letters, 81:2 (2005), 62–65 |
4
|
|
1995 |
| 19. |
А. А. Быков, З. Д. Квон, Е. Б. Ольшанский, А. Л. Асеев, М. Р. Бакланов, Л. В. Литвин, Ю. В. Настаушев, В. Г. Мансуров, В. П. Мигаль, С. П. Мощенко, “Квазибаллистический квантовый интерферометр”, УФН, 165:2 (1995), 227–229 ; A. A. Bykov, Z. D. Kvon, E. B. Ol'shanskii, A. L. Aseev, M. R. Baklanov, L. V. Litvin, Yu. V. Nastaushev, V. G. Mansurov, V. P. Migal', S. P. Moshchenko, “Quasiballistic quantum interferometer”, Phys. Usp., 38:2 (1995), 217–219 |
1
|
|
