|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Е. М. Труханов, C. А. Тийс, “Необычный механизм релаксации напряжений несоответствия в тонких нанопленках”, Письма в ЖТФ, 45:22 (2019), 28–31   ; E. M. Trukhanov, S. A. Teys, “An unusual mechanism of misfit stress relaxation in thin nanofilms”, Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1144–1147 |
2
|
|
2018 |
| 2. |
В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, Т. В. Малин, C. А. Тийс, Е. В. Федосенко, А. С. Кожухов, К. С. Журавлев, Ildikó Cora, Béla Pécz, “Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1407–1413 ; V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, T. V. Malin, S. A. Teys, E. V. Fedosenko, A. S. Kozhukhov, K. S. Zhuravlev, Ildikó Cora, Béla Pécz, “Formation of a graphene-like SiN layer on the surface Si(111)”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1511–1517 |
7
|
|
2017 |
| 3. |
C. А. Тийс, “Различные СТМ-изображения сверхструктуры чистой грани $\mathrm{Si(133)}$-$6\times2$”, Письма в ЖЭТФ, 105:8 (2017), 469–476 ; S. A. Teys, “Different STM images of the superstructure on a clean $\mathrm{Si(133)}$-$6\times2$ surface”, JETP Letters, 105:8 (2017), 477–483   |
5
|
|
2015 |
| 4. |
А. Р. Туктамышев, В. И. Машанов, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, С. А. Тийс, “Начальные стадии роста тройных соединений Si–Ge–Sn, выращенных на Si(100) методом низкотемпературной МЛЭ”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1630–1634 ; A. R. Tuktamyshev, V. I. Mashanov, V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, S. A. Teys, “Initial growth stages of Si–Ge–Sn ternary alloys grown on Si (100) by low-temperature molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1582–1586 |
3
|
| 5. |
В. А. Зиновьев, А. В. Двуреченский, П. А. Кучинская, В. А. Армбристер, С. А. Тийс, А. А. Шкляев, А. В. Мудрый, “Зарождение и рост упорядоченных групп квантовых точек SiGe”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 155–159 ; V. A. Zinovyev, A. V. Dvurechenskii, P. A. Kuchinskaya, V. A. Armbrister, S. A. Teys, A. A. Shklyaev, A. V. Mudryi, “Nucleation and growth of ordered groups of SiGe quantum dots”, Semiconductors, 49:2 (2015), 149–153 |
6
|
|
2014 |
| 6. |
К. А. Свит, Д. Ю. Протасов, Л. Л. Свешникова, А. К. Шестаков, С. А. Тийс, К. С. Журавлев, “Туннельный транспорт через массивы пассивированных нанокристаллов CdS, полученных методом Ленгмюра–Блоджетт”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1237–1242 ; K. A. Svit, D. Yu. Protasov, L. L. Sveshnikova, A. K. Shestakov, S. A. Teys, K. S. Zhuravlev, “Tunneling transport through passivated CdS nanocrystal arrays grown by the Langmuir–Blodgett method”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1205–1210 |
3
|
|
2012 |
| 7. |
C. А. Тийс, “Особенности атомных процессов при формировании смачивающего слоя и
зарождении трехмерных островков Ge на ориентациях (111) и (100) Si”, Письма в ЖЭТФ, 96:12 (2012), 884–893 ; S. A. Teys, “Features of atomic processes at the formation of a wetting layer and nucleation of three-dimensional Ge islands on Si(111) and Si(100) surfaces”, JETP Letters, 96:12 (2012), 794–802 |
12
|
|
2010 |
| 8. |
C. А. Тийс, Е. М. Труханов, А. С. Ильин, А. К. Гутаковский, А. В. Колесников, “Начальные стадии эпитаксии Ge на Si(111) в квазиравновесных условиях роста”, Письма в ЖЭТФ, 92:6 (2010), 429–437 ; S. A. Teys, E. M. Trukhanov, A. S. Il'in, A. K. Gutakovskii, A. V. Kolesnikov, “Initial stages of Ge epitaxy on Si(111) under quasi-equilibrium growth conditions”, JETP Letters, 92:6 (2010), 388–395 |
13
|
|
2004 |
| 9. |
Р. А. Жачук, C. А. Тийс, Б. З. Ольшанецкий, “Формирование наноточек и нанопроволок серебра на поверхности Si(557)”, Письма в ЖЭТФ, 79:8 (2004), 467–469 ; R. A. Zhachuk, S. A. Teys, B. Z. Olshanetskii, “Formation of silver nanodots and nanowires on a Si(557) surface”, JETP Letters, 79:8 (2004), 381–382 |
15
|
|
2002 |
| 10. |
А. Б. Талочкин, C. А. Тийс, “Оптические фононы в квантовых точках Ge, полученных на Si(111)”, Письма в ЖЭТФ, 75:6 (2002), 314–317 ; A. B. Talochkin, S. A. Teys, “Optical phonons in Ge quantum dots obtained on Si(111)”, JETP Letters, 75:6 (2002), 264–267 |
7
|
|
