Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Гутаковский Антон Константинович
кандидат физико-математических наук
E-mail:

Основные темы научной работы

Электроннная микроскопия

https://www.mathnet.ru/rus/person61448
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2025
1. А. К. Маркелова, Д. А. Калмыков, В. А. Воронковский, В. Ш. Алиев, В. И. Вдовин, А. К. Гутаковский, “Сравнительное исследование кристаллической структуры тонких пленок стехиометрических и нестехиометрических оксидов титана”, Физика твердого тела, 67:6 (2025),  970–977  mathnet  elib
2022
2. В. А. Зиновьев, А. Ф. Зиновьева, В. А. Володин, А. К. Гутаковский, А. С. Дерябин, А. Ю. Крупин, Л. В. Кулик, В. Д. Живулько, А. В. Мудрый, А. В. Двуреченский, “Cинтез эпитаксиальных структур, содержащих двумерные слои Si, встроенные в диэлектрическую матрицу CaF$_2$”, Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022),  608–613  mathnet; V. A. Zinovyev, A. F. Zinovieva, V. A. Volodin, A. K. Gutakovskii, A. S. Deryabin, A. Yu. Krupin, L. V. Kulik, V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, A. V. Dvurechenskii, “Synthesis of epitaxial structures with two-dimensional si layers embedded in a CaF$_2$ dielectric matrix”, JETP Letters, 116:9 (2022), 628–633 3
3. Д. В. Гуляев, Д. А. Колосовский, Д. В. Дмитриев, А. К. Гутаковский, Е. А. Колосовский, К. С. Журавлев, “Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs для электроабсорбционного модулятора”, Письма в ЖТФ, 48:13 (2022),  37–41  mathnet  elib
2021
4. Д. С. Абрамкин, М. О. Петрушков, Е. А. Емельянов, А. В. Ненашев, М. Ю. Есин, А. В. Васев, М. А. Путято, Д. Б. Богомолов, А. К. Гутаковский, В. В. Преображенский, “Формирование InAs/GaP-гетероструктур с квантовыми ямами на подложках кремния методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  139–146  mathnet  elib; D. S. Abramkin, M. O. Petrushkov, E. A. Emelyanov, A. V. Nenashev, M. Yu. Yesin, A. V. Vasev, M. A. Putyato, D. B. Bogomolov, A. K. Gutakovskii, V. V. Preobrazhenskii, “Formation of InAs/GaP heterostructures with quantum wells on silicon substrates by molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 55:2 (2021), 194–201 7
2019
5. Ю. Б. Болховитянов, А. К. Гутаковский, А. С. Дерябин, Л. В. Соколов, “Образование дислокационных пар в гетероструктуре Ge/GeSi/Si(001)”, Физика твердого тела, 61:2 (2019),  284–287  mathnet  elib; Yu. B. Bolkhovityanov, A. K. Gutakovskii, A. S. Deryabin, L. V. Sokolov, “Forming dislocation pairs in the Ge/GeSi/Si(001) heterostructure”, Phys. Solid State, 61:2 (2019), 145–148
6. С. А. Бацанов, А. К. Гутаковский, “Анализ закономерностей формирования нанокристаллов сульфидов металлов, синтезированных с применением технологии Ленгмюра–Блоджетт”, Письма в ЖЭТФ, 109:11 (2019),  734–738  mathnet  elib; S. A. Batsanov, A. K. Gutakovsky, “Analysis of the properties of metal sulfide nanocrystals synthesized by the Langmuir—Blodgett technique”, JETP Letters, 109:11 (2019), 700–703  isi  scopus 1
7. А. Ф. Зиновьева, В. А. Зиновьев, Н. П. Степина, А. В. Кацюба, А. В. Двуреченский, А. К. Гутаковский, Л. В. Кулик, А. С. Богомяков, С. Б. Эренбург, С. В. Трубина, М. Фёльсков, “Электронный парамагнитный резонанс в Ge/Si гетероструктурах с квантовыми точками, легированными марганцем”, Письма в ЖЭТФ, 109:4 (2019),  258–264  mathnet  elib; A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, N. P. Stepina, A. V. Katsyuba, A. V. Dvurechenskii, A. K. Gutakovskii, L. V. Kulik, A. S. Bogomyakov, S. B. Erenburg, S. V. Trubina, M. Voelskow, “Electron paramagnetic resonance in Ge/Si heterostructures with Mn-doped quantum dots”, JETP Letters, 109:4 (2019), 270–275  isi  scopus
8. Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, А. К. Гутаковский, И. П. Просвирин, “Строение сегнетоэлектрических пленок Hf$_{0.9}$La$_{0.1}$O$_2$, полученных методом атомно-слоевого осаждения”, Письма в ЖЭТФ, 109:2 (2019),  112–117  mathnet  elib; T. V. Perevalov, V. A. Gritsenko, A. K. Gutakovskii, I. P. Prosvirin, “Structure of Hf$_{0.9}$La$_{0.1}$O$_2$ ferroelectric films obtained by the atomic layer deposition”, JETP Letters, 109:2 (2019), 116–120  isi  scopus 5
9. Д. С. Абрамкин, М. О. Петрушков, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев, “Гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами, выращенные на Si-подложках”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1167–1171  mathnet  elib; D. S. Abramkin, M. O. Petrushkov, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, E. A. Emelyanov, V. V. Preobrazhenskii, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev, “GaAs/GaP quantum-well heterostructures grown on Si substrates”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1143–1147 7
2018
10. Д. С. Абрамкин, А. К. Бакаров, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев, “Спинодальный распад в InSb/AlAs-гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1280–1285  mathnet  elib; D. S. Abramkin, A. K. Bakarov, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev, “Spinodal decomposition in InSb/AlAs heterostructures”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1392–1397 7
2017
11. А. К. Гутаковский, А. Б. Талочкин, “Деформация сверхтонких слоев SiGeSn в матрице кремния”, Письма в ЖЭТФ, 106:12 (2017),  746–751  mathnet  elib; A. K. Gutakovskii, A. B. Talochkin, “Strain in ultrathin SiGeSn layers in a silicon matrix”, JETP Letters, 106:12 (2017), 780–784  isi  scopus
12. Д. В. Гуляев, С. А. Бацанов, А. К. Гутаковский, К. С. Журавлев, “Природа люминесценции квантовых точек PbS, синтезированных в матрице Ленгмюра–Блоджетт”, Письма в ЖЭТФ, 106:1 (2017),  21–25  mathnet  elib; D. V. Gulyaev, S. A. Batsanov, A. K. Gutakovskii, K. S. Zhuravlev, “Nature of luminescence of PbS quantum dots synthesized in a Langmuir–Blodgett matrix”, JETP Letters, 106:1 (2017), 18–22  isi  scopus
13. А. К. Бакаров, А. К. Гутаковский, К. С. Журавлев, А. П. Ковчавцев, А. И. Торопов, И. Д. Бурлаков, К. О. Болтарь, П. В. Власов, А. А. Лопухин, “Матричные фотоприемные устройства на основе слоев InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, ЖТФ, 87:6 (2017),  900–904  mathnet  elib; A. K. Bakarov, A. K. Gutakovskii, K. S. Zhuravlev, A. P. Kovchavtsev, A. I. Toropov, I. D. Burlakov, K. O. Boltar, P. V. Vlasov, A. A. Lopukhin, “MBE-grown InSb photodetector arrays”, Tech. Phys., 62:6 (2017), 915–919 11
14. Д. С. Абрамкин, А. К. Бакаров, М. А. Путято, Е. А. Емельянов, Д. А. Колотовкина, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев, “Формирование низкоразмерных структур в гетеросистеме InSb/AlAs”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1282–1288  mathnet  elib; D. S. Abramkin, A. K. Bakarov, M. A. Putyato, E. A. Emelyanov, D. A. Kolotovkina, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev, “Formation of low-dimensional structures in the InSb/AlAs heterosystem”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1233–1239 7
2016
15. Д. С. Абрамкин, К. М. Румынин, А. К. Бакаров, Д. А. Колотовкина, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев, “Квантовые точки, сформированные в гетеросистемах InSb/AlAs и AlSb/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 103:11 (2016),  785–791  mathnet  elib; D. S. Abramkin, K. M. Rumynin, A. K. Bakarov, D. A. Kolotovkina, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev, “Quantum dots formed in InSb/AlAs and AlSb/AlAs heterostructures”, JETP Letters, 103:11 (2016), 692–698  isi  scopus 17
16. В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. Р. Туктамышев, М. Ю. Есин, В. И. Машанов, А. К. Гутаковский, Н. А. Байдакова, “Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1610–1614  mathnet  elib; V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, A. R. Tuktamyshev, M. Yu. Yesin, V. I. Mashanov, A. K. Gutakovskii, N. A. Baidakova, “Strained multilayer structures with pseudomorphic GeSiSn layers”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1584–1588 5
2015
17. Ю. Б. Болховитянов, А. К. Гутаковский, А. С. Дерябин, Л. В. Соколов, “Роль краевых дислокаций в пластической релаксации гетероструктур GeSi/Si(001): зависимость механизмов введения от толщины пленки”, Физика твердого тела, 57:4 (2015),  746–752  mathnet  elib; Yu. B. Bolkhovityanov, A. K. Gutakovskii, A. S. Deryabin, L. V. Sokolov, “Role of edge dislocations in plastic relaxation of GeSi/Si(001) heterostructures: Dependence of introduction mechanisms on film thickness”, Phys. Solid State, 57:4 (2015), 765–770 3
18. Ж. В. Смагина, А. В. Двуреченский, В. А. Селезнев, П. А. Кучинская, В. А. Армбристер, В. А. Зиновьев, Н. П. Степина, А. Ф. Зиновьева, А. В. Ненашев, А. К. Гутаковский, “Линейные цепочки квантовых точек Ge/Si при росте на структурированной поверхности, сформированной ионным облучением”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015),  767–771  mathnet  elib; Zh. V. Smagina, A. V. Dvurechenskii, V. A. Seleznev, P. A. Kuchinskaya, V. A. Armbrister, V. A. Zinovyev, N. P. Stepina, A. F. Zinov'eva, A. V. Nenashev, A. K. Gutakovskii, “Linear chains of Ge/Si quantum dots grown on a prepatterned surface formed by ion irradiation”, Semiconductors, 49:6 (2015), 749–752 25
19. Т. С. Шамирзаев, Н. Г. Галкин, Е. А. Чусовитин, Д. Л. Горошко, А. В. Шевлягин, А. К. Гутаковский, А. А. Саранин, А. В. Латышев, “Светодиодные 1.5-мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур $p^+$-Si/НК $\beta$-FeSi$_2$/$n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  519–523  mathnet  elib; T. S. Shamirzaev, N. G. Galkin, E. A. Chusovitin, D. L. Goroshko, A. V. Shevlyagin, A. K. Gutakovskii, A. A. Saranin, A. V. Latyshev, “Electroluminescent 1.5-$\mu$m light-emitting diodes based on $p^+$-Si/NC $\beta$-FeSi$_2$/$n$-Si structures”, Semiconductors, 49:4 (2015), 508–512 1
2014
20. Ю. Б. Болховитянов, А. К. Гутаковский, А. С. Дерябин, Л. В. Соколов, “Особенности пластической релаксации метастабильного слоя Ge$_x$Si$_{1-x}$, захороненного между подложкой Si и релаксированным слоем Ge”, Физика твердого тела, 56:2 (2014),  247–253  mathnet  elib; Yu. B. Bolkhovityanov, A. K. Gutakovskii, A. S. Deryabin, L. V. Sokolov, “Specific features of plastic relaxation of a metastable Ge$_x$Si$_{1-x}$ layer buried between a silicon substrate and a relaxed germanium layer”, Phys. Solid State, 56:2 (2014), 247–253 5
21. D. S. Abramkin, V. T. Shamirzaev, M. A. Putyato, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev, “Coexistence of type-I and type-II band alignment in Ga(Sb,P)/GaP heterostructures with pseudomorphic self-assembled quantum dots”, Письма в ЖЭТФ, 99:2 (2014),  81–86  mathnet  isi  elib  scopus; JETP Letters, 99:2 (2014), 76–81  isi  elib  scopus 11
2012
22. T. S. Shamirzaev, D. S. Abramkin, A. K. Gutakovskii, M. A. Putyato, “Novel self-assembled quantum dots in the GaSb/AlAs heterosystem”, Письма в ЖЭТФ, 95:10 (2012),  601–603  mathnet  isi  elib  scopus; JETP Letters, 95:10 (2012), 534–536  isi  elib  scopus 13
23. Д. С. Абрамкин, М. А. Путято, А. К. Гутаковский, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский, Т. С. Шамирзаев, “Новая система самоорганизованных квантовых точек GaSb/GaP”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1571–1575  mathnet  elib; D. S. Abramkin, M. A. Putyato, A. K. Gutakovskii, B. R. Semyagin, V. V. Preobrazhenskii, T. S. Shamirzaev, “New system of self-assembled GaSb/GaP quantum dots”, Semiconductors, 46:12 (2012), 1534–1538 10
2011
24. И. В. Сабинина, А. К. Гутаковский, Ю. Г. Сидоров, А. В. Латышев, “Самопроизвольная модуляция состава при молекулярно-лучевой эпитаксии Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te(301)”, Письма в ЖЭТФ, 94:4 (2011),  348–352  mathnet; I. V. Sabinina, A. K. Gutakovskii, Yu. G. Sidorov, A. V. Latyshev, “Spontaneous composition modulation during Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te(301) molecular beam epitaxy”, JETP Letters, 94:4 (2011), 324–328  isi  scopus 5
2010
25. C. А. Тийс, Е. М. Труханов, А. С. Ильин, А. К. Гутаковский, А. В. Колесников, “Начальные стадии эпитаксии Ge на Si(111) в квазиравновесных условиях роста”, Письма в ЖЭТФ, 92:6 (2010),  429–437  mathnet; S. A. Teys, E. M. Trukhanov, A. S. Il'in, A. K. Gutakovskii, A. V. Kolesnikov, “Initial stages of Ge epitaxy on Si(111) under quasi-equilibrium growth conditions”, JETP Letters, 92:6 (2010), 388–395  isi  scopus 13
2005
26. И. В. Сабинина, А. К. Гутаковский, Ю. Г. Сидоров, М. В. Якушев, В. С. Варавин, А. В. Латышев, “Наблюдение антифазных доменов в пленках $\mathrm{Cd}_x\mathrm{Hg}_{1-x}\mathrm{Te}$ на кремнии методом фазового контраста в атомно-силовой микроскопии”, Письма в ЖЭТФ, 82:5 (2005),  326–330  mathnet; I. V. Sabinina, A. K. Gutakovskii, Yu. G. Sidorov, M. V. Yakushev, V. S. Varavin, A. V. Latyshev, “Observation of antiphase domains in Cd<sub>x</sub>Hg<sub>1-x</sub>Te films on silicon by the phase contrast method in atomic force microscopy”, JETP Letters, 82:5 (2005), 292–296  isi  scopus 4
27. С. С. Косолобов, С. А. Цонг, Л. И. Федина, А. К. Гутаковский, А. В. Латышев, “Нестабильность распределения атомных ступеней на Si(111) при субмонослойной адсорбции золота при высоких температурах”, Письма в ЖЭТФ, 81:3 (2005),  149–153  mathnet; S. S. Kosolobov, S. A. Song, L. I. Fedina, A. K. Gutakovskii, A. V. Latyshev, “Instability of the distribution of atomic steps on Si(111) upon submonolayer gold adsorption at high temperatures”, JETP Letters, 81:3 (2005), 117–121  isi  scopus 9
28. Д. Д. Ри, В. Г. Мансуров, А. Ю. Никитин, А. К. Гутаковский, К. С. Журавлев, П. Тронк, “Кинетика фотолюминесценции вюрцитных GaN квантовых точек в матрице AlN”, Письма в ЖЭТФ, 81:2 (2005),  70–73  mathnet; D. D. Ri, V. G. Mansurov, A. Yu. Nikitin, A. K. Gutakovskii, K. S. Zhuravlev, P. Tronc, “Photoluminescence kinetics of wurtzite GaN quantum dots in an AlN matrix”, JETP Letters, 81:2 (2005), 62–65  isi  scopus 4
1989
29. С. А. Дворецкий, В. И. Бударных, А. К. Гутаковский, В. Ю. Карасев, Н. А. Киселев, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, С. И. Стенин, “Двойникование в пленках $\mathrm{CdTe(111)}$ на подложках $\mathrm{GaAs(100)}$”, Докл. АН СССР, 304:3 (1989),  604–606  mathnet
30. А. К. Гутаковский, Ю. О. Кантер, В. Ю. Караcёв, Н. А. Киселев, С. М. Пинтус, С. В. Рубанов, С. И. Стенин, А. А. Федоров, “Структура пленок и границ раздела в многослойных системах на основе арсенидов индия и галлия”, Докл. АН СССР, 304:2 (1989),  355–357  mathnet

Организации