|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Д. В. Коляда, Д. Д. Фирсов, О. С. Комков, И. В. Скворцов, В. И. Машанов, И. Д. Лошкарев, В. А. Тимофеев, “Влияние Ge нанослоев и квантовых точек на фотолюминесцентные свойства гетероструктур с множественными квантовыми ямами GeSiSn/Si”, Физика твердого тела, 67:9 (2025), 1642–1646  |
|
2024 |
| 2. |
В. А. Тимофеев, И. В. Скворцов, В. И. Машанов, А. А. Блошкин, В. В. Кириенко, И. Д. Лошкарев, Т. М. Залялов, Т. В. Перевалов, Д. Р. Исламов, “Фотоэлектрические свойства структур с множественными квантовыми ямами GeSiSn|Ge и релаксированными слоями GeSiSn”, Физика твердого тела, 66:11 (2024), 1871–1878  |
|
2022 |
| 3. |
Д. В. Коляда, Д. Д. Фирсов, В. А. Тимофеев, В. И. Машанов, А. А. Караборчев, О. С. Комков, “Исследование влияния отжига и состава на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Si с множественными квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022), 765–769 |
|
2019 |
| 4. |
В. А. Володин, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, М. Штоффель, Э. Риннерт, М. Вернья, “Колебательные и светоизлучающие свойства гетероструктур Si/Si$_{(1-x)}$Sn$_x$”, Письма в ЖЭТФ, 109:6 (2019), 371–374 ; V. A. Volodin, V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, “Vibrational and light-emitting properties of Si/Si$_{1-x}$Sn$_x$ heterostructures”, JETP Letters, 109:6 (2019), 368–371   |
1
|
|
2018 |
| 5. |
М. Ю. Есин, А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, А. Р. Туктамышев, В. И. Машанов, И. Д. Лошкарев, А. С. Дерябин, О. П. Пчеляков, “Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 409–413 ; M. Yu. Yesin, A. I. Nikiforov, V. A. Timofeev, A. R. Tuktamyshev, V. I. Mashanov, I. D. Loshkarev, A. S. Deryabin, O. P. Pchelyakov, “Formation of a stepped Si(100) surface and its effect on the growth of Ge islands”, Semiconductors, 52:3 (2018), 390–393 |
|
2017 |
| 6. |
В. А. Володин, В. А. Тимофеев, А. Р. Туктамышев, А. И. Никифоров, “Расщепление частот оптических фононов в растянутых слоях германия”, Письма в ЖЭТФ, 105:5 (2017), 305–310 ; V. A. Volodin, V. A. Timofeev, A. R. Tuktamyshev, A. I. Nikiforov, “Splitting of frequencies of optical phonons in tensile-strained germanium layers”, JETP Letters, 105:5 (2017), 327–331 |
16
|
| 7. |
А. А. Блошкин, А. И. Якимов, В. А. Тимофеев, А. Р. Туктамышев, А. И. Никифоров, В. В. Мурашов, “Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 342–347 ; A. A. Bloshkin, A. I. Yakimov, V. A. Timofeev, A. R. Tuktamyshev, A. I. Nikiforov, V. V. Murashov, “Valence-band offsets in strained SiGeSn/Si layers with different tin contents”, Semiconductors, 51:3 (2017), 329–334 |
3
|
|
2016 |
| 8. |
А. Ф. Зиновьева, В. А. Зиновьев, А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, А. В. Мудрый, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, “Усиление фотолюминесценции в гетероструктурах Ge/Si с двойными квантовыми точками”, Письма в ЖЭТФ, 104:12 (2016), 845–848 ; A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, A. I. Nikiforov, V. A. Timofeev, A. V. Mudryi, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, “Photoluminescence enhancement in double Ge/Si quantum dot structures”, JETP Letters, 104:12 (2016), 823–826 |
18
|
| 9. |
В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. Р. Туктамышев, М. Ю. Есин, В. И. Машанов, А. К. Гутаковский, Н. А. Байдакова, “Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1610–1614 ; V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, A. R. Tuktamyshev, M. Yu. Yesin, V. I. Mashanov, A. K. Gutakovskii, N. A. Baidakova, “Strained multilayer structures with pseudomorphic GeSiSn layers”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1584–1588 |
5
|
|
2015 |
| 10. |
А. Р. Туктамышев, В. И. Машанов, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, С. А. Тийс, “Начальные стадии роста тройных соединений Si–Ge–Sn, выращенных на Si(100) методом низкотемпературной МЛЭ”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1630–1634 ; A. R. Tuktamyshev, V. I. Mashanov, V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, S. A. Teys, “Initial growth stages of Si–Ge–Sn ternary alloys grown on Si (100) by low-temperature molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1582–1586 |
3
|
| 11. |
А. С. Паршин, А. Ю. Игуменов, Ю. Л. Михлин, О. П. Пчеляков, А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, “Тонкая структура спектров сечения неупругого рассеяния электронов и поверхностный параметр Si”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 435–439 ; A. S. Parshin, A. Yu. Igumenov, Yu. L. Mikhlin, O. P. Pchelyakov, A. I. Nikiforov, V. A. Timofeev, “On the fine structure of spectra of the inelastic-electron-scattering cross section and the Si surface parameter”, Semiconductors, 49:4 (2015), 423–427 |
9
|
|
2014 |
| 12. |
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, В. А. Тимофеев, А. В. Двуреченский, “Двунаправленный фототок дырок в слоях квантовых точек Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 100:2 (2014), 99–103 ; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, V. A. Timofeev, A. V. Dvurechenskii, “Bidirectional photocurrent of holes in layers of Ge/Si quantum dots”, JETP Letters, 100:2 (2014), 91–94 |
3
|
| 13. |
А. А. Блошкин, А. И. Якимов, В. А. Тимофеев, А. В. Двуреченский, “Процесс захвата дырок в гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками Ge”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1065–1069 ; A. A. Bloshkin, A. I. Yakimov, V. A. Timofeev, A. V. Dvurechenskii, “On the process of hole trapping in Ge/Si heterostructures with Ge quantum dots”, Semiconductors, 48:8 (2014), 1036–1040 |
4
|
| 14. |
А. С. Паршин, Е. П. Пьяновская, О. П. Пчеляков, Ю. Л. Михлин, А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, М. Ю. Есин, “Спектроскопия сечения неупругого рассеяния электронов наногетероструктур Ge$_x$Si$_{1-x}$”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 237–241 ; A. S. Parshin, E. P. P’yanovskaya, O. P. Pchelyakov, Yu. L. Mikhlin, A. I. Nikiforov, V. A. Timofeev, M. Yu. Yesin, “Inelastic electron scattering cross-section spectroscopy of Ge$_x$Si$_{1-x}$ nanoheterostructures”, Semiconductors, 48:2 (2014), 224–227 |
6
|
|
2013 |
| 15. |
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, “Внутризонные оптические переходы дырок в напряженных квантовых ямах
SiGe”, Письма в ЖЭТФ, 97:3 (2013), 180–184 ; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, “Intraband optical transitions of holes in strained SiGe quantum wells”, JETP Letters, 97:3 (2013), 159–162 |
3
|
|
2011 |
| 16. |
А. И. Якимов, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. В. Двуреченский, “Антисвязывающее основное состояние дырок в двойных вертикально
связанных квантовых точках Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 94:10 (2011), 806–810 ; A. I. Yakimov, V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, A. V. Dvurechenskii, “Antibonding ground state of holes in double vertically coupled Ge/Si quantum dots”, JETP Letters, 94:10 (2011), 744–747 |
9
|
|
