|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
Н. Г. Галкин, Д. Т. Ян, К. Н. Галкин, М. В. Боженко, “Влияние погружения слоев пористого кремния в водные растворы Fe(NO$_{3}$)$_{3}$ на фотолюминесценцию в процессе длительного хранения”, Оптика и спектроскопия, 125:2 (2018), 191–196   ; N. G. Galkin, D. T. Yan, K. N. Galkin, M. V. Bozhenko, “The influence of immersion of porous silicon in aqueous solutions of Fe(NO$_{3}$)$_{3}$ on photoluminescence during long storage”, Optics and Spectroscopy, 125:2 (2018), 199–204 |
3
|
|
2015 |
| 2. |
Г. А. Новиков, Р. И. Баталов, Р. М. Баязитов, И. А. Файзрахманов, Н. М. Лядов, В. А. Шустов, К. Н. Галкин, Н. Г. Галкин, И. М. Чернев, Г. Д. Ивлев, С. Л. Прокопьев, П. И. Гайдук, “Импульсная модификация пленок германия на подложках кремния, сапфира и кварца: структура и оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 746–752 ; H. A. Novikov, R. I. Batalov, R. M. Bayazitov, I. A. Faizrakhmanov, N. M. Lyadov, V. A. Shustov, K. N. Galkin, N. G. Galkin, I. M. Chernev, G. D. Ivlev, S. L. Prokopyev, P. I. Gaiduk, “Pulsed modification of germanium films on silicon, sapphire, and quartz substrates: Structure and optical properties”, Semiconductors, 49:6 (2015), 729–735 |
6
|
| 3. |
Т. С. Шамирзаев, Н. Г. Галкин, Е. А. Чусовитин, Д. Л. Горошко, А. В. Шевлягин, А. К. Гутаковский, А. А. Саранин, А. В. Латышев, “Светодиодные 1.5-мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур $p^+$-Si/НК $\beta$-FeSi$_2$/$n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 519–523 ; T. S. Shamirzaev, N. G. Galkin, E. A. Chusovitin, D. L. Goroshko, A. V. Shevlyagin, A. K. Gutakovskii, A. A. Saranin, A. V. Latyshev, “Electroluminescent 1.5-$\mu$m light-emitting diodes based on $p^+$-Si/NC $\beta$-FeSi$_2$/$n$-Si structures”, Semiconductors, 49:4 (2015), 508–512 |
1
|
|
2013 |
| 4. |
Н. Г. Галкин, С. В. Ваванова, К. Н. Галкин, Р. И. Баталов, Р. М. Баязитов, В. И. Нуждин, “Наносекундный импульсный отжиг кремния, имплантированного ионами магния”, ЖТФ, 83:1 (2013), 99–104 ; N. G. Galkin, S. V. Vavanova, K. N. Galkin, R. I. Batalov, R. M. Bayazitov, V. I. Nuzhdin, “Pulsed nanosecond annealing of magnesium-implanted silicon”, Tech. Phys., 58:1 (2013), 94–99 |
4
|
|
2012 |
| 5. |
А. С. Федоров, А. А. Кузубов, Т. А. Кожевникова, Н. С. Елисеева, Н. Г. Галкин, С. Г. Овчинников, А. А. Саранин, А. В. Латышев, “Особенности структуры и свойств нанопленок
$\beta$-FeSi$_2$ и интерфейса
$\beta$-FeSi$_2$/Si”, Письма в ЖЭТФ, 95:1 (2012), 23–28 ; A. S. Fedorov, A. A. Kuzubov, T. A. Kozhevnikova, N. S. Elyseeva, N. G. Galkin, S. G. Ovchinnikov, A. A. Saranin, A. V. Latyshev, “Features of the structure and properties of $\beta$-FeSi$_2$ nanofilms and a $\beta$-FeSi$_2$/Si interface”, JETP Letters, 95:1 (2012), 20–24   |
3
|
|
