|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Е. В. Куницына, М. А. Ройз, И. А. Андреев, Е. А. Гребенщикова, А. А. Пивоварова, M. Ahmetoglu (Afrailov), Е. В. Лебедок, Р. Ю. Микулич, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды для регистрации излучения квантово-размерных дисковых лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.2–2.3 мкм)”, Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020), 677–683   ; E. V. Kunitsyna, M. A. Royz, I. A. Andreev, E. A. Grebenshchikova, A. A. Pivovarova, M. Ahmetoglu (Afrailov), E. V. Lebiadok, R. Yu. Mikulich, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Photodiodes for detecting the emission of quantum-sized disk lasers operating on whispering gallery modes (2.2 – 2.3 $\mu$m)”, Semiconductors, 54:7 (2020), 796–802 |
|
2019 |
| 2. |
Д. С. Милахин, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, А. С. Кожухов, И. А. Александров, Н. В. Ржеуцкий, Е. В. Лебедок, Е. А. Разумец, К. С. Журавлев, “Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных $g$-AlN и $g$-Si$_{3}$N$_{3}$”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2327–2332 ; D. S. Milakhin, T. V. Malin, V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, A. S. Kozhukhov, I. A. Aleksandrov, N. V. Rzheutskii, E. V. Lebiadok, A. A. Razumets, K. S. Zhuravlev, “Forming the GaN nanocrystals on the graphene-like $g$-AlN and $g$-Si$_{3}$N$_{3}$ surface”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2329–2334 |
1
|
|
2017 |
| 3. |
М. В. Богданович, Д. М. Кабанов, Е. В. Лебедок, П. В. Шпак, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, М. А. Щемелев, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, Э. В. Иванов, Ю. П. Яковлев, “Измеритель содержания воды в нефти и нефтепродуктах на основе инфракрасных оптоэлектронных пар светодиод–фотодиод”, ЖТФ, 87:2 (2017), 315–318 ; M. V. Bogdanovich, D. M. Kabanov, E. V. Lebiadok, P. V. Shpak, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, M. A. Shchemelev, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, È. V. Ivanov, Yu. P. Yakovlev, “Measurement of the water content in oil and oil products using IR light-emitting diode–photodiode optrons”, Tech. Phys., 62:2 (2017), 344–346 |
3
|
|
2015 |
| 4. |
Т. В. Безъязычная, М. В. Богданович, В. В. Кабанов, Д. М. Кабанов, Е. В. Лебедок, В. В. Паращук, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, П. В. Шпак, М. А. Щемелев, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Оптоэлектронные пары светодиод-фотодиод на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования углекислого газа”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 1003–1006 ; T. V. Bez'yazychnaya, M. V. Bogdanovich, V. V. Kabanov, D. M. Kabanov, E. V. Lebiadok, V. V. Parashchuk, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, P. V. Shpak, M. A. Shchemelev, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “Light emitting diode–photodiode optoelectronic pairs based on the InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructure for the detection of carbon dioxide”, Semiconductors, 49:7 (2015), 980–983 |
7
|
|
2012 |
| 5. |
В. В. Кабанов, Е. В. Лебедок, Г. И. Рябцев, А. С. Смаль, М. А. Щемелев, Д. А. Винокуров, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, “Излучательная и безызлучательная рекомбинация в активных слоях мощных лазерных диодов InGaAs/GaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012), 1339–1343 ; V. V. Kabanov, E. V. Lebiadok, G. I. Ryabtsev, A. S. Smal, M. A. Shchemelev, D. A. Vinokurov, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, “Radiative and nonradiative recombination in the active layers of high-power InGaAs/GaAs/AlGaAs laser diodes”, Semiconductors, 46:10 (2012), 1316–1320 |
7
|
|
2011 |
| 6. |
В. В. Кабанов, Е. В. Лебедок, А. А. Романенко, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, М. А. Щемелев, С. К. Мехта, “Усиленная люминесценция и выходные характеристики мощных линеек лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов”, Квантовая электроника, 41:2 (2011), 95–98 [V. V. Kabanov, E. V. Lebiadok, A. A. Romanenko, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, M. A. Shchemelev, S. K. Mekhta, “Amplified luminescence and output characteristics of high-power InGaAs/AlGaAs laser diode arrays”, Quantum Electron., 41:2 (2011), 95–98   ] |
6
|
|
|
|
2013 |
| 7. |
Т. В. Безъязычная, М. В. Богданович, А. В. Григорьев, В. М. Зеленковский, В. В. Кабанов, Д. М. Кабанов, Е. В. Лебедок, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, М. А. Щемелев, “Точечные дефекты и усиление в активных слоях InGaAs/AlGaAs-гетероструктур”, Физика твердого тела, 55:10 (2013), 2050–2053 ; T. V. Bez'yazychnaya, M. V. Bogdanovich, A. V. Grigor'ev, V. M. Zelenkovskii, V. V. Kabanov, D. M. Kabanov, E. V. Lebiadok, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, M. A. Shchemelev, “Point defects and amplification in active layers of InGaAs/AlGaAs heterostructures”, Phys. Solid State, 55:10 (2013), 2165–2168 |
3
|
|
