|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, М. В. Дорогов, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, И. Н. Ужаков, Н. Н. Михайлов, “Оптические свойства эпитаксиальных пленок Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te, легированных индием”, Физика твердого тела, 67:5 (2025), 805–809   |
| 2. |
М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, М. В. Дорогов, А. М. Смирнов, В. В. Бельков, М. В. Томкович, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, И. Н. Ужаков, Н. Н. Михайлов, “Термический отжиг HgCdTe с большим содержанием CdTe: структурные и оптические исследования”, Физика твердого тела, 67:1 (2025), 22–27 |
|
2023 |
| 3. |
М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, М. В. Дорогов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, И. Н. Ужаков, “Характеризация широкозонных слоев в лазерных структурах на основе CdHgTe”, Физика твердого тела, 65:3 (2023), 411–414 |
1
|
| 4. |
С. А. Дворецкий, М. Ф. Ступак, Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, С. Н. Макаров, А. Г. Елесин, А. Г. Верхогляд, “Новые центры рекомбинации в слоях КРТ МЛЭ на подложках (013) GaAs”, Физика твердого тела, 65:1 (2023), 56–62 |
| 5. |
М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, “Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te и Hg$_{0.7}$Cd$_{0.3}$Te”, Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023), 640–643 |
|
2021 |
| 6. |
Д. А. Андрющенко, М. С. Ружевич, А. М. Смирнов, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, В. Г. Ремесник, “Оптические и структурные свойства эпитаксиальных слоев Hg$_{0.7}$Cd$_{0.3}$Te”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1040–1044 |
1
|
|
2020 |
| 7. |
В. А. Швец, Д. В. Марин, В. Г. Ремесник, И. А. Азаров, М. В. Якушев, С. В. Рыхлицкий, “Параметрическая модель спектров оптических постоянных Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te и определение состава соединения”, Оптика и спектроскопия, 128:12 (2020), 1815–1820 ; V. A. Shvets, D. V. Marin, V. G. Remesnik, I. A. Azarov, M. V. Yakushev, S. V. Rykhlitskii, “Parametric model of the optical constant spectra of Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te and determination of the compound composition”, Optics and Spectroscopy, 128:12 (2020), 1948–1953 |
5
|
| 8. |
К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. М. Смирнов, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, М. В. Якушев, “Оптические и структурные свойства твердых растворов HgCdTe с большим содержанием CdTe”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1302–1308 ; K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, A. M. Smirnov, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, M. V. Yakushev, “Optical and structural properties of HgCdTe solid solutions with a high CdTe content”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1561–1566 |
3
|
|
2019 |
| 9. |
В. И. Иванов-Омский, К. Д. Мынбаев, И. Н. Трапезникова, Д. А. Андрющенко, Н. Л. Баженов, Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, С. А. Дворецкий, М. В. Якушев, “Исследование разупорядочения в твердых растворах теллуридов кадмия-ртути оптическими методами”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 24–27 ; V. I. Ivanov-Omskii, K. J. Mynbaev, I. N. Trapeznikova, D. A. Andryushchenko, N. L. Bazhenov, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, V. G. Remesnik, S. A. Dvoretskii, M. V. Yakushev, “An optical study of disordering in cadmium mercury telluride solid solutions”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 553–556 |
2
|
|
2018 |
| 10. |
В. С. Евстигнеев, В. С. Варавин, А. В. Чилясов, В. Г. Ремесник, А. Н. Моисеев, Б. С. Степанов, “Электрофизические свойства нелегированных и легированных мышьяком эпитаксиальных слоев Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te $p$-типа проводимости с $x\approx$ 0.4, выращенных методом MOCVD”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 554–559 ; V. S. Evstigneev, V. S. Varavin, A. V. Chilyasov, V. G. Remesnik, A. N. Moiseev, B. S. Stepanov, “Electrophysical properties of $p$-type undoped and arsenic-doped Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te epitaxial layers with $x\approx$ 0.4 grown by the MOCVD method”, Semiconductors, 52:6 (2018), 702–707 |
4
|
|
2014 |
| 11. |
М. В. Якушев, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, Д. В. Марин, “Гетероструктуры CdHgTe на подложках Si(310) большой площади для матричных ИК фотоприемников коротковолнового спектрального диапазона”, Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 788–792 ; M. V. Yakushev, V. S. Varavin, V. G. Remesnik, D. V. Marin, “CdHgTe heterostructures on large-area Si(310) substrates for infrared photodetector arrays of the short-wavelength spectral range”, Semiconductors, 48:6 (2014), 767–771 |
7
|
|
2013 |
| 12. |
К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. В. Шиляев, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, В. Г. Ремесник, В. С. Варавин, “Высокотемпературная фотолюминесценция твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией”, ЖТФ, 83:10 (2013), 147–150 ; K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, A. V. Shilyaev, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev, V. G. Remesnik, V. S. Varavin, “High-temperature photoluminescence of CdHgTe solid solutions grown by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys., 58:10 (2013), 1536–1539 |
5
|
|
2012 |
| 13. |
П. В. Волков, А. В. Горюнов, А. Ю. Лукьянов, А. Д. Тертышник, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, В. Д. Кузьмин, “Оптический мониторинг технологических параметров в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1505–1509 ; P. V. Volkov, A. V. Goryunov, A. Yu. Luk'yanov, A. D. Tertyshnik, A. V. Novikov, D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, V. D. Kuz'min, “Optical monitoring of technological parameters during molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 46:12 (2012), 1471–1475 |
18
|
|
1992 |
| 14. |
Н. Х. Талипов, В. П. Попов, В. Г. Ремесник, З. А. Налькина, “Влияние отжига под анодным окислом на изменение состава поверхности и конверсию типа проводимости монокристаллов $p$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($x\simeq0.2$)”, Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992), 310–317 |
|
1980 |
| 15. |
В. Е. Карнатовский, В. Г. Ремесник, В. Г. Цукерман, “Высокоэффективная фазовая запись голограмм на халькогенидных пленках в области повышенных температур”, Квантовая электроника, 7:5 (1980), 1110–1112 [V. E. Karnatovskii, V. G. Remesnik, V. G. Tsukerma, “High-efficiency phase hologram recording in chalcogenide films at elevated temperatures”, Sov J Quantum Electron, 10:5 (1980), 636–638  ] |
|
