|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
К. С. Журавлев, А. М. Гилинский, И. Б. Чистохин, Н. А. Валишева, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, М. С. Аксенов, А. Л. Чиж, К. Б. Микитчук, “Мощные СВЧ-фотодиоды на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs, синтезируемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, ЖТФ, 91:7 (2021), 1158–1163   ; K. S. Zhuravlev, A. M. Gilinskii, I. B. Chistokhin, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, M. S. Aksenov, A. L. Chizh, K. B. Mikitchuk, “High-power microwave photodiodes based on MBE-grown InAlAs/InGaAs heterostructures”, Tech. Phys., 66:9 (2021), 1072–1077  |
4
|
|
2019 |
| 2. |
Н. Н. Новикова, В. А. Яковлев, С. А. Климин, Т. В. Малин, А. М. Гилинский, К. С. Журавлев, “Поверхностные поляритоны в пленках нитридов алюминия и галлия, легированных кремнием”, Оптика и спектроскопия, 127:1 (2019), 42–45 ; N. N. Novikova, V. A. Yakovlev, S. A. Klimin, T. V. Malin, A. M. Gilinskii, K. S. Zhuravlev, “Surface polaritons in silicon-doped aluminum and gallium nitride films”, Optics and Spectroscopy, 127:1 (2019), 36–39 |
2
|
| 3. |
А. Л. Чиж, К. Б. Микитчук, К. С. Журавлев, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, Н. А. Валишева, М. С. Аксенов, А. М. Гилинский, И. Б. Чистохин, “Мощные высокоскоростные фотодиоды Шоттки для аналоговых волоконно-оптических линий передачи СВЧ-сигналов”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019), 52–54 ; A. L. Chizh, K. B. Mikitchuk, K. S. Zhuravlev, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, N. A. Valisheva, M. S. Aksenov, A. M. Gilinskii, I. B. Chistokhin, “High-power high-speed Schottky photodiodes for analog fiber-optic microwave signal transmission lines”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 739–741 |
12
|
|
2015 |
| 4. |
Т. В. Малин, А. М. Гилинский, В. Г. Мансуров, Д. Ю. Протасов, А. К. Шестаков, Е. Б. Якимов, К. С. Журавлев, “Синтез AlGaN/GaN-гетероструктур для ультрафиолетовых фотоприемников методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, ЖТФ, 85:4 (2015), 67–73 ; T. V. Malin, A. M. Gilinskii, V. G. Mansurov, D. Yu. Protasov, A. K. Shestakov, E. B. Yakimov, K. S. Zhuravlev, “MBE-grown AlGaN/GaN heterostructures for UV photodetectors”, Tech. Phys., 60:3 (2015), 546–552 |
3
|
| 5. |
Т. В. Малин, А. М. Гилинский, В. Г. Мансуров, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов, Е. Б. Якимов, К. С. Журавлев, “Увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в твердых растворах Al$_x$Ga$_{1-x}$N ($x$ = 0–0.1), полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1329–1334 ; T. V. Malin, A. M. Gilinskii, V. G. Mansurov, D. Yu. Protasov, A. S. Kozhukhov, E. B. Yakimov, K. S. Zhuravlev, “Increase in the diffusion length of minority carriers in Al$_x$Ga$_{1-x}$N ($x$ = 0–0.1) fabricated by ammonia molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 49:10 (2015), 1285–1289 |
6
|
|
2003 |
| 6. |
Т. С. Шамирзаев, А. М. Гилинский, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Д. А. Тэннэ, К. С. Журавлев, К. фон Борцисковски, Д. Цан, “Миллисекундная кинетика фотолюминесценции в системе прямозонных квантовых точек InAs в матрице AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 77:7 (2003), 459–463 ; T. S. Shamirzaev, A. M. Gilinskii, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, D. A. Tenne, K. S. Zhuravlev, C. von Borczyskowski, D. Zahn, “Millisecond photoluminescence kinetics in a system of direct-bandgap InAs quantum dots in an AlAs matrix”, JETP Letters, 77:7 (2003), 389–392 |
30
|
|
