|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2012 |
| 1. |
А. П. Горшков, И. А. Карпович, Е. Д. Павлова, Н. С. Волкова, “Влияние облучения ионами He$^+$ на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами и точками In(Ga)As/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1542–1545   ; A. P. Gorshkov, I. A. Karpovich, E. D. Pavlova, N. S. Volkova, “Effect of He$^+$ ion irradiation on the photosensitivity spectra of In(Ga)As/GaAs quantum well and quantum dot heterostructures”, Semiconductors, 46:12 (2012), 1506–1509 |
2
|
| 2. |
А. П. Горшков, И. А. Карпович, Е. Д. Павлова, И. Л. Калентьева, “Влияние дефектообразования при встраивании $\delta$-слоя Mn на спектр фоточувствительности от квантовых ям InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 194–197 ; A. P. Gorshkov, I. A. Karpovich, E. D. Pavlova, I. L. Kalentyeva, “Influence of defect formation as a result of incorporation of a Mn $\delta$ layer on the photosensitiviy spectrum of InGaAs/GaAs quantum wells”, Semiconductors, 46:2 (2012), 184–187 |
7
|
|
1992 |
| 3. |
Б. И. Бедный, Л. А. Суслов, Н. В. Байдусь, И. А. Карпович, “Электронное состояние поверхности InP, модифицированной обработкой в парах серы”, Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992), 1983–1985 |
| 4. |
И. А. Карпович, В. Я. Алешкин, А. В. Аншон, Н. В. Байдусь, Л. М. Батукова, Б. Н. Звонков, С. М. Планкина, “Фотоэлектронные явления в слоях GaAs с встроенной на поверхности квантовой гетероямой”, Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992), 1886–1893 |
| 5. |
В. Я. Алешкин, А. В. Аншон, Л. М. Батукова, Е. В. Демидов, Е. Р. Демидова, Б. Н. Звонков, И. А. Карпович, И. Г. Малкина, “Фотолюминесценция в $\delta$-легированных углеродом сверхрешетках в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1848–1849 |
| 6. |
Б. И. Бедный, Н. В. Байдусь, Т. В. Белич, И. А. Карпович, “Влияние сульфидирования на состояние поверхности и фотоэлектрические свойства InP и GaAs”, Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992), 1383–1389 |
| 7. |
И. А. Карпович, С. М. Планкина, “Фотоэлектрический метод определения коэффициента оптического поглощения и его применение к полуизолирующему GaAs”, Физика и техника полупроводников, 26:7 (1992), 1313–1320 |
|
1957 |
| 8. |
И. А. Карпович, А. Т. Вартанян, “К вопросу о вентильной фотоэдс фотоэлементов с красителями”, Докл. АН СССР, 117:1 (1957), 57–60 |
| 9. |
А. Т. Вартанян, И. А. Карпович, “О фотопроводимости виолантрона и пирантрона”, Докл. АН СССР, 113:5 (1957), 1020–1022 |
|
