|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. А. Рахимов, М. Э. Нуриллаев, Х. Х. Болтаев, “Свойства инъективности и ядерности для вещественных С*-алгебр”, СМФН, 67:4 (2021), 755–765  |
|
2020 |
| 2. |
А. А. Рахимов, Х. Х. Болтаев, “Индекс вещественных подфакторов W*-алгебр”, Дальневост. матем. журн., 20:2 (2020), 234–246 |
|
2017 |
| 3. |
Х. Х. Болтаев, Ж. Ш. Содикжанов, Д. А. Ташмухамедова, Б. Е. Умирзаков, “Состав и структура наноразмерных слоев Ga$_{1-x}$Na$_{x}$As, созданных в приповерхностной области GaAs имплантацией ионов Na$^{+}$”, ЖТФ, 87:12 (2017), 1884–1886  ; Kh. Kh. Boltaev, J. Sh. Sodikjanov, D. A. Tashmukhamedova, B. E. Umirzakov, “Composition and structure of Ga$_{1-x}$Na$_{x}$As nanolayers produced near the GaAs surface by Na$^+$ implantation”, Tech. Phys., 62:12 (2017), 1882–1884 |
6
|
|
2015 |
| 4. |
А. А. Абдувайитов, Х. Х. Болтаев, “Исследование состава неконтролируемых примесей, их химических состояний и профиля распределения на границе рездела Al–Si”, ЖТФ, 85:4 (2015), 145–147 ; A. A. Abduvaitov, Kh. Kh. Boltaev, “Composition of uncontrolled impurities and their chemical states and depth profiles at the Al–Si interface”, Tech. Phys., 60:4 (2015), 621–623 |
3
|
|
2013 |
| 5. |
Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, Д. М. Муродкабилов, Х. Х. Болтаев, “Электронная спектроскопия наноструктур, созданных в поверхностных слоях Si, GaAs и CaF$_2$ методом низкоэнергетической ионной имплантации”, ЖТФ, 83:6 (2013), 66–70 |
17
|
|
