|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Р. П. Сейсян, С. А. Ваганов, “Температурно-зависимое интегральное поглощение экситонных поляритонов в полупроводниковых кристаллах”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 327–330   ; R. Seisyan, S. A. Vaganov, “Temperature-dependent total absorption of exciton polaritons in bulk semiconductors”, Semiconductors, 54:4 (2020), 399–402 |
2
|
|
2016 |
| 2. |
В. А. Бурцев, Н. В. Калинин, С. А. Ваганов, “Численная оптимизация электрофизических характеристик ЭУФ-лазера на переходе 3$p$–3$s$ Ne-подобного аргона в малоиндуктивном разряде капиллярного типа”, Письма в ЖТФ, 42:24 (2016), 33–40 ; V. A. Burtsev, N. V. Kalinin, S. A. Vaganov, “Numerical optimization of the electrical characteristics of an EUV laser on 3$p$–3$s$ transition in neonlike argon ions in low-inductance capillary-type discharge”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 31–34 |
1
|
|
2013 |
| 3. |
С. А. Ваганов, Д. А. Зайцев, Р. П. Сейсян, “Экситонное поглощение полупроводниковых кристаллов GaAs при оптической накачке в зону проводимости”, ЖТФ, 83:7 (2013), 111–114 ; S. A. Vaganov, D. A. Zaitsev, R. P. Seisyan, “Exciton absorption of the GaAs semiconductor crystals under optical pumping to the conduction band”, Tech. Phys., 58:7 (2013), 1039–1042 |
|
2012 |
| 4. |
С. А. Ваганов, Р. П. Сейсян, “Температурно-зависимое интегральное поглощение экситона в полупроводниковых кристаллах GaAs”, Письма в ЖТФ, 38:19 (2012), 9–13 ; S. A. Vaganov, R. P. Seisyan, “Temperature-dependent integral exciton absorption in semiconducting GaAs crystals”, Tech. Phys. Lett., 38:10 (2012), 873–875 |
4
|
| 5. |
С. А. Ваганов, Р. П. Сейсян, “Температурно-зависимое интегральное поглощение экситона в полупроводниковых кристаллах InP”, Письма в ЖТФ, 38:3 (2012), 39–45 ; S. A. Vaganov, R. P. Seisyan, “Temperature-dependent integral exciton absorption in semiconducting InP crystals”, Tech. Phys. Lett., 38:2 (2012), 121–124 |
9
|
|
