|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
В. А. Швец, Д. В. Марин, И. А. Азаров, М. В. Якушев, “Влияние лучистого теплообмена на температуру роста при молекулярно-лучевой эпитаксии слоев HgCdTe”, Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025), 153–159  |
|
2023 |
| 2. |
В. А. Швец, Д. В. Марин, М. В. Якушев, С. В. Рыхлицкий, “Температурная зависимость спектров оптических постоянных CdTe в области края поглощения”, Оптика и спектроскопия, 131:9 (2023), 1213–1218  |
| 3. |
В. А. Швец, Д. В. Марин, М. В. Якушев, С. В. Рыхлицкий, “Эллипсометрический in situ контроль процессов роста буферных слоев ZnTe и CdTe в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии кадмий-ртуть-теллура”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023), 469–475 |
|
2021 |
| 4. |
В. А. Швец, Д. В. Марин, М. В. Якушев, С. В. Рыхлицкий, “Исследование температурной зависимости спектров оптических постоянных пленок Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Оптика и спектроскопия, 129:1 (2021), 33–40 ; V. A. Shvets, D. V. Marin, M. V. Yakushev, S. V. Rykhlitskii, “Investigation of the temperature dependence of the spectra of optical constants of Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te films grown using molecular beam epitaxy”, Optics and Spectroscopy, 129:1 (2021), 29–36 |
| 5. |
В. А. Швец, Д. В. Марин, И. А. Азаров, М. В. Якушев, С. В. Рыхлицкий, “In situ эллипсометрический мониторинг состава и температуры слоeв HgCdTe в процессе их роста”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1240–1247 |
| 6. |
Г. Ю. Сидоров, Ю. Г. Сидоров, В. А. Швец, В. С. Варавин, “Образование акцепторных центров в CdHgTe под воздействием воды и термообработок”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 331–335 ; G. Yu. Sidorov, Yu. G. Sidorov, V. A. Shvets, V. S. Varavin, “Formation of acceptor centers in CdHgTe as a result of water and heat treatments”, Semiconductors, 55:5 (2021), 461–465 |
|
2020 |
| 7. |
В. А. Швец, Д. В. Марин, В. Г. Ремесник, И. А. Азаров, М. В. Якушев, С. В. Рыхлицкий, “Параметрическая модель спектров оптических постоянных Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te и определение состава соединения”, Оптика и спектроскопия, 128:12 (2020), 1815–1820 ; V. A. Shvets, D. V. Marin, V. G. Remesnik, I. A. Azarov, M. V. Yakushev, S. V. Rykhlitskii, “Parametric model of the optical constant spectra of Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te and determination of the compound composition”, Optics and Spectroscopy, 128:12 (2020), 1948–1953 |
5
|
| 8. |
Е. А. Емельянов, А. Г. Настовьяк, М. О. Петрушков, М. Ю. Есин, Т. А. Гаврилова, М. А. Путято, Н. Л. Шварц, В. А. Швец, А. В. Васев, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский, “Маска на основе эпитаксиального слоя Si для самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов на подложках GaAs (111)$B$ и (100)”, Письма в ЖТФ, 46:4 (2020), 11–14 ; E. A. Emelyanov, A. G. Nastovjak, M. O. Petrushkov, M. Yu. Yesin, T. A. Gavrilova, M. A. Putyato, N. L. Shwartz, V. A. Shvets, A. V. Vasev, B. R. Semyagin, V. V. Preobrazhenskii, “A mask based on a Si epitaxial layer for the self-catalytic nanowire growth on GaAs (111)$B$ and GaAs (100) substrates”, Tech. Phys. Lett., 46:2 (2020), 161–164 |
1
|
|
2019 |
| 9. |
В. А. Швец, Н. Н. Михайлов, Д. Г. Икусов, И. Н. Ужаков, С. А. Дворецкий, “Определение профиля состава квантовых ям HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te методом одноволновой эллипсометрии”, Оптика и спектроскопия, 127:2 (2019), 318–324 ; V. A. Shvets, N. N. Mikhailov, D. G. Ikusov, I. N. Uzhakov, S. A. Dvoretskii, “Determination of the composition profile of HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te quantum wells by single wavelength ellipsometry”, Optics and Spectroscopy, 127:2 (2019), 340–346 |
24
|
| 10. |
В. А. Швец, И. А. Азаров, Д. В. Марин, М. В. Якушев, С. В. Рыхлицкий, “Эллипсометрический метод измерения температуры буферных слоев CdTe в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 137–142 ; V. A. Shvets, I. A. Azarov, D. V. Marin, M. V. Yakushev, S. V. Rykhlitskii, “Ellipsometric method for measuring the CdTe buffer-layer temperature in the molecular-beam epitaxy of CdHgTe”, Semiconductors, 53:1 (2019), 132–137 |
5
|
|
2014 |
| 11. |
Н. Н. Косырев, В. А. Швец, Н. Н. Михайлов, С. Н. Варнаков, С. Г. Овчинников, С. В. Рыхлицкий, И. А. Яковлев, “Эллипсометрическая методика определения показателя поглощения полупроводниковых нанослоев in situ”, ЖТФ, 84:5 (2014), 109–112 ; N. N. Kosyrev, V. A. Shvets, N. N. Mikhailov, S. N. Varnakov, S. G. Ovchinnikov, S. V. Rykhlitskii, I. A. Yakovlev, “Ellipsometric technique for determining in situ the absorption coefficient of semiconducting nanolayers”, Tech. Phys., 59:5 (2014), 736–739 |
|
2013 |
| 12. |
В. А. Швец, С. В. Рыхлицкий, И. Я. Миттова, Е. В. Томина, “Исследование оптических и структурных свойств оксидных пленок на InP методом спектральной эллипсометрии”, ЖТФ, 83:11 (2013), 92–99 ; V. A. Shvets, S. V. Rykhlitskii, I. Ya. Mittova, E. V. Tomina, “Analysis of the optical and structural properties of oxide films on InP using spectroscopic ellipsometry”, Tech. Phys., 58:11 (2013), 1638–1645 |
2
|
| 13. |
С. А. Лященко, И. А. Тарасов, С. Н. Варнаков, Д. В. Шевцов, В. А. Швец, В. Н. Заблуда, С. Г. Овчинников, Н. Н. Косырев, Г. В. Бондаренко, С. В. Рыхлицкий, “Исследования магнитооптических свойств тонких слоев Fe in situ методами”, ЖТФ, 83:10 (2013), 139–142 ; S. A. Lyaschenko, I. A. Tarasov, S. N. Varnakov, D. V. Shevtsov, V. A. Shvets, V. N. Zabluda, S. G. Ovchinnikov, N. N. Kosyrev, G. V. Bondarenko, S. V. Rykhlitskii, “In situ investigations of magneto-optical properties of thin Fe layers”, Tech. Phys., 58:10 (2013), 1529–1532 |
|
2012 |
| 14. |
И. А. Тарасов, Н. Н. Косырев, С. Н. Варнаков, С. Г. Овчинников, С. М. Жарков, В. А. Швец, С. Г. Бондаренко, О. Е. Терещенко, “Эллипсометрическая экспресс-методика определения толщины и профилей оптических постоянных в процессе роста наноструктур Fe/SiO$_2$/Si(100)”, ЖТФ, 82:9 (2012), 44–48 ; I. A. Tarasov, N. N. Kosyrev, S. N. Varnakov, S. G. Ovchinnikov, S. M. Zharkov, V. A. Shvets, S. G. Bondarenko, O. E. Tereshchenko, “Quick ellipsometric technique for determining the thicknesses and optical constant profiles of Fe/SiO$_2$/Si(100) nanostructures during growth”, Tech. Phys., 57:9 (2012), 1225–1229 |
8
|
|
