|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, А. С. Власов, В. П. Хвостиков, “Фотоэлектрические преобразователи террасированного типа на основе GaSb”, Письма в ЖТФ, 51:14 (2025), 15–19   |
|
2024 |
| 2. |
Н. С. Потапович, А. В. Малевская, Ф. Ю. Солдатенков, В. П. Хвостиков, “Контактные системы для фотоэлектрических преобразователей на основе InGaAsP/InP”, Письма в ЖТФ, 50:5 (2024), 28–31 |
| 3. |
Н. С. Потапович, В. П. Хвостиков, О. А. Хвостикова, А. С. Власов, “Моделирование профилей распределения алюминия в эпитаксиальном слое в системе Al–Ga–As–Sn”, Письма в ЖТФ, 50:1 (2024), 36–38 |
|
2023 |
| 4. |
Н. С. Потапович, В. П. Хвостиков, О. А. Хвостикова, А. С. Власов, “Получение градиентных слоев в четырехкомпонентной системе Al–Ga–As–Sn методом жидкофазной эпитаксии”, ЖТФ, 93:10 (2023), 1476–1480 |
| 5. |
Н. А. Садчиков, Н. С. Потапович, Д. А. Малевский, Н. Ю. Давидюк, А. В. Андреева, А. В. Чекалин, “Исследование концентраторных фотоэлектрических модулей с отражающими элементами вторичной оптики”, ЖТФ, 93:6 (2023), 809–816 |
| 6. |
С. В. Сорокина, Ф. Ю. Солдатенков, Н. С. Потапович, В. П. Хвостиков, “Фронтальный контакт к GaSb-фотопреобразователям: свойства и температурная стабильность”, Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023), 35–41 |
| 7. |
А. В. Малевская, Ф. Ю. Солдатенков, Р. В. Левин, Н. С. Потапович, “Влияние режимов формирования контактной системы Pd/Ge/Au к $n$-GaAs на ее электрические характеристики”, Письма в ЖТФ, 49:3 (2023), 15–18 |
|
2021 |
| 8. |
А. В. Чекалин, А. В. Андреева, Н. Ю. Давидюк, Н. С. Потапович, Н. А. Садчиков, В. М. Андреев, Д. А. Малевский, “К 125-летию со дня рождения лауреата Нобелевской премии академика Николая Николаевича Семенова. Высокоэффективные фотоэлектрические модули с концентраторами солнечного излучения”, ЖТФ, 91:6 (2021), 915–921 ; A. V. Chekalin, A. V. Andreeva, N. Yu. Daviduk, N. S. Potapovich, N. A. Sadchikov, V. M. Andreev, D. A. Malevskii, “High-efficiency photovoltaic modules with solar concentrators”, Tech. Phys., 66:7 (2021), 857–863  |
4
|
| 9. |
Н. С. Потапович, М. В. Нахимович, В. П. Хвостиков, “Фотоэлектрические преобразователи узкополосного излучения на основе гетероструктур InGaAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1091–1094 |
| 10. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, А. Н. Паньчак, П. В. Покровский, Н. С. Потапович, В. М. Андреев, “Влияние внутренних отражателей на эффективность инфракрасных (850 нм) светодиодов”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 614–617 ; A. V. Malevskaya, N. A. Kalyuzhnyy, D. A. Malevskii, S. A. Mintairov, R. A. Salii, A. N. Panchak, P. V. Pokrovskii, N. S. Potapovich, V. M. Andreev, “Infrared (850 nm) light-emitting diodes with multiple InGaAs quantum wells and “back” reflector”, Semiconductors, 55:8 (2021), 686–690 |
7
|
|
2020 |
| 11. |
Н. С. Потапович, Н. Ю. Давидюк, В. Р. Ларионов, В. П. Хвостиков, “Исследование влияния вторичных объемных концентраторов на выходные параметры фотоэлектрических модулей”, ЖТФ, 90:12 (2020), 2118–2122 ; N. S. Potapovich, N. Yu. Daviduk, V. R. Larionov, V. P. Khvostikov, “An investigation of the influence of secondary optical elements on the output parameters of photovoltaic modules”, Tech. Phys., 65:12 (2020), 2026–2030 |
2
|
| 12. |
В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, “Модули фотоэлектрических преобразователей лазерного ($\lambda$ = 809–850 nm) излучения”, ЖТФ, 90:10 (2020), 1764–1768 ; V. P. Khvostikov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, S. V. Sorokina, M. Z. Shvarts, “Laser power converter modules with a wavelength of 809–850 nm”, Tech. Phys., 65:10 (2020), 1690–1694 |
| 13. |
А. В. Чекалин, А. В. Андреева, Н. Ю. Давидюк, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, Н. С. Потапович, Н. А. Садчиков, В. М. Андреев, “Высокоэффективные фотоэлектрические модули с концентраторами солнечного излучения”, Письма в ЖТФ, 46:13 (2020), 24–26 ; A. V. Chekalin, A. V. Andreeva, N. Yu. Daviduk, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, N. S. Potapovich, N. A. Sadchikov, V. M. Andreev, “High-efficiency photoelectric units with sunlight concentrators”, Tech. Phys. Lett., 46:7 (2020), 646–648 |
| 14. |
Н. Ю. Давидюк, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, Н. С. Потапович, Н. А. Садчиков, А. В. Чекалин, “Увеличение КПД концентраторных фотоэлектрических модулей при использовании фоконов в качестве вторичных оптических концентраторов”, Письма в ЖТФ, 46:5 (2020), 38–40 ; N. Yu. Daviduk, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, N. S. Potapovich, N. A. Sadchikov, A. V. Chekalin, “Increasing the efficiency of concentrator photovoltaic units with focons as secondary optical concentrators”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 239–241 |
|
2019 |
| 15. |
В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Н. С. Потапович, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, “Модуль фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм)”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1135–1139 ; V. P. Khvostikov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, N. S. Potapovich, S. V. Sorokina, M. Z. Shvarts, “Module of laser-radiation ($\lambda$ = 1064 nm) photovoltaic converters”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1110–1113 |
8
|
|
2018 |
| 16. |
В. П. Хвостиков, В. С. Калиновский, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, А. С. Власов, В. М. Андреев, “Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1647–1650 ; V. P. Khvostikov, V. S. Kalinovskii, S. V. Sorokina, M. Z. Shvarts, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, A. S. Vlasov, V. M. Andreev, “AlGaAs/GaAs photovoltaic converters of tritium radioluminescent-lamp radiation”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1754–1757 |
10
|
| 17. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Н. Х. Тимошина, Б. В. Пушный, “Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм) на основе GaInAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1641–1646 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, R. V. Levin, A. E. Marichev, N. Kh. Timoshina, B. V. Pushnii, “GaInAsP/InP-based laser power converters ($\lambda$ = 1064 nm)”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1748–1753 |
14
|
| 18. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, “Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 808 нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 385–389 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, “Modification of photovoltaic laser-power ($\lambda$ = 808 nm) converters grown by LPE”, Semiconductors, 52:3 (2018), 366–370 |
22
|
| 19. |
Н. С. Потапович, Н. Х. Тимошина, В. П. Хвостиков, “Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения на основе гетероструктур InP(GaAs)/InP, полученные методом жидкофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:18 (2018), 31–38 ; N. S. Potapovich, N. Kh. Timoshina, V. P. Khvostikov, “Photovoltaic laser-power converters based on LPE-grown InP(GaAs)/InP heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 820–822 |
1
|
|
2017 |
| 20. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, Н. Х. Тимошина, “Фотоэлектрический приемник лазерного излучения ($\lambda$ = 809 нм) на основе GаAs”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 676–679 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, N. Kh. Timoshina, “Laser ($\lambda$ = 809 nm) power converter based on GaAs”, Semiconductors, 51:5 (2017), 645–648 |
20
|
|
2016 |
| 21. |
В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, В. М. Емельянов, Н. Х. Тимошина, В. М. Андреев, “Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1242–1246 ; V. P. Khvostikov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, V. M. Emelyanov, N. Kh. Timoshina, V. M. Andreev, “Photovoltaic laser-power converter based on AlGaAs/GaAs heterostructures”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1220–1224 |
50
|
|
2014 |
| 22. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, Н. Х. Тимошина, Ф. Ю. Солдатенков, “Температурная стабильность контактных систем фотоэлектрических преобразователей на основе GaSb”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1280–1286 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, N. Kh. Timoshina, F. Yu. Soldatenkov, “Temperature stability of contact systems for GaSb-based photovoltaic converters”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1248–1253 |
3
|
|
2013 |
| 23. |
А. С. Власов, В. П. Хвостиков, Л. Б. Карлина, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, М. З. Шварц, Н. Х. Тимошина, В. М. Лантратов, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Е. П. Марухина, В. М. Андреев, “Концентраторные фотоэлектрические модули со спектральным расщеплением света с солнечными элементами на основе структур AlGaAs/GaAs/GaSb и GaInP/InGaAs(P)”, ЖТФ, 83:7 (2013), 106–110 ; A. S. Vlasov, V. P. Khvostikov, L. B. Karlina, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, M. Z. Shvarts, N. Kh. Timoshina, V. M. Lantratov, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, E. P. Marukhina, V. M. Andreev, “Spectral-splitting concentrator photovoltaic modules based on AlGaAs/GaAs/GaSb and GaInP/InGaAs(P) solar cells”, Tech. Phys., 58:7 (2013), 1034–1038 |
9
|
| 24. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, О. А. Хвостикова, Н. Х. Тимошина, Н. С. Потапович, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, В. М. Андреев, “Высокоэффективные фотоэлементы на основе GaSb”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 273–279 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, O. A. Khvostikova, N. Kh. Timoshina, N. S. Potapovich, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, V. M. Andreev, “High-efficiency GaSb photocells”, Semiconductors, 47:2 (2013), 307–313 |
11
|
|
