|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
С. Э. Тягинов, А. А. Макаров, B. Kaczer, M. Jech, A. Chasin, A. Grill, G. Hellings, М. И. Векслер, D. Linten, T. Grasser, “О влиянии параметров топологии транзистора с каналом в форме плавника на деградацию, вызываемую горячими носителями”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1631–1635   ; S. È. Tyaginov, A. A. Makarov, B. Kaczer, M. Jech, A. Chasin, A. Grill, G. Hellings, M. I. Vexler, D. Linten, T. Grasser, “Impact of the device geometric parameters on hot-carrier degradation in FinFETs”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1738–1742 |
3
|
| 2. |
А. А. Макаров, С. Э. Тягинов, B. Kaczer, M. Jech, A. Chasin, A. Grill, G. Hellings, М. И. Векслер, D. Linten, T. Grasser, “Анализ особенностей деградации, вызываемой горячими носителями, в транзисторах с каналом в форме плавника”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1177–1182 ; A. A. Makarov, S. È. Tyaginov, B. Kaczer, M. Jech, A. Chasin, A. Grill, G. Hellings, M. I. Vexler, D. Linten, T. Grasser, “Analysis of the features of hot-carrier degradation in FinFETs”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1298–1302 |
3
|
| 3. |
С. Э. Тягинов, А. А. Макаров, M. Jech, М. И. Векслер, J. Franco, B. Kaczer, T. Grasser, “Физические основы самосогласованного моделирования процессов генерации интерфейсных состояний и транспорта горячих носителей в транзисторах на базе структур металл–диэлектрик–кремний”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 254–259 ; S. È. Tyaginov, A. A. Makarov, M. Jech, M. I. Vexler, J. Franco, B. Kaczer, T. Grasser, “Physical principles of self-consistent simulation of the generation of interface states and the transport of hot charge carriers in field-effect transistors based on metal–oxide–semiconductor structures”, Semiconductors, 52:2 (2018), 242–247 |
2
|
|
2015 |
| 4. |
М. И. Векслер, Ю. Ю. Илларионов, С. Э. Тягинов, T. Grasser, “Адаптация модели туннелирования в системе металл/CaF$_2$/Si(111) к использованию в симуляторах МДП-приборов”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 266–270 ; M. I. Vexler, Yu. Yu. Illarionov, S. È. Tyaginov, T. Grasser, “Adaptation of the model of tunneling in a metal/CaF$_2$/Si(111) system for use in industrial simulators of MIS devices”, Semiconductors, 49:2 (2015), 259–263 |
1
|
|
2013 |
| 5. |
М. И. Векслер, С. Э. Тягинов, Ю. Ю. Илларионов, Yew Kwang Sing, Ang Diing Shenp, В. В. Федоров, Д. В. Исаков, “Общая процедура расчета электрических характеристик туннельных МДП-структур”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 675–683 ; M. I. Vexler, S. È. Tyaginov, Yu. Yu. Illarionov, Yew Kwang Sing, Ang Diing Shenp, V. V. Fedorov, D. V. Isakov, “A general simulation procedure for the electrical characteristics of metal-insulator-semiconductor tunnel structures”, Semiconductors, 47:5 (2013), 686–694 |
28
|
|
