|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
С. Н. Чмырь, А. В. Галеева, Д. Е. Долженко, А. В. Никорич, Д. Р. Хохлов, “Микроволновая фотопроводимость в полуизолирующих твердых растворах Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te(In)”, Физика и техника полупроводников, 59:2 (2025), 97–101  |
|
2024 |
| 2. |
А. В. Галеева, А. С. Казаков, Д. Р. Хохлов, “Терагерцовое зондирование топологических изоляторов: фотоэлектрические эффекты”, УФН, 194:10 (2024), 1046–1058 ; A. V. Galeeva, A. S. Kazakov, D. R. Khokhlov, “Terahertz probing of topological insulators: photoelectric effects”, Phys. Usp., 67:10 (2024), 988–999   |
|
2023 |
| 3. |
С. Н. Чмырь, А. С. Казаков, А. В. Галеева, Д. Е. Долженко, А. И. Артамкин, А. В. Иконников, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, М. И. Банников, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “$PT$-симметричная фотопроводимость, стимулированная микроволновым излучением, в гетероструктурах на основе топологической фазы Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te”, Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023), 341–345 ; S. N. Chmyr, A. S. Kazakov, A. V. Galeeva, D. E. Dolzhenko, A. I. Artamkin, A. V. Ikonnikov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, M. I. Bannikov, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “$PT$-symmetric microwave photoconductivity in heterostructures based on the Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te topological phase”, JETP Letters, 118:5 (2023), 339–342 |
|
2022 |
| 4. |
Д. А. Белов, А. В. Иконников, С. С. Пушкарев, Р. Р. Галиев, Д. С. Пономарев, Д. Р. Хохлов, Д. В. Ушаков, А. А. Афоненко, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, Р. А. Хабибуллин, “Температурное затухание генерации квантово-каскадных лазеров с частотами 2.3, 3.2, 4.1 ТГц”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 705–710  |
|
2021 |
| 5. |
А. С. Казаков, А. В. Галеева, А. В. Иконников, Д. Е. Долженко, Л. И. Рябова, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, М. И. Банников, С. Н. Данилов, Д. Р. Хохлов, “Роли элементов гетероструктуры на основе топологической фазы Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te в эффекте $PT$-симметричной терагерцовой фотопроводимости”, Письма в ЖЭТФ, 113:8 (2021), 548–552 ; A. S. Kazakov, A. V. Galeeva, A. V. Ikonnikov, D. E. Dolzhenko, L. I. Ryabova, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskiy, M. I. Bannikov, S. N. Danilov, D. R. Khokhlov, “Roles of elements of a heterostructure based on the topological phase of Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te in the effect of $PT$-symmetric terahertz photoconductivity”, JETP Letters, 113:8 (2021), 542–546 |
2
|
| 6. |
К. А. Дроздов, И. В. Крылов, В. А. Василик, А. Д. Косов, Т. В. Дубинина, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Эволюция электронного транспорта при резистивных переключениях в пленках порфиразинов”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 224–228 ; K. A. Drozdov, I. V. Krylov, V. A. Vasilik, A. D. Kosov, T. V. Dubinina, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Evolution of electron transport upon resistive switching in porphyrazine films”, Semiconductors, 55:3 (2021), 296–300 |
1
|
|
2020 |
| 7. |
А. С. Казаков, А. В. Галеева, Д. Е. Долженко, Л. И. Рябова, М. И. Банников, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, Д. Р. Хохлов, “Радиочастотная фотопроводимость в гетероструктурах на основе Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te”, Письма в ЖЭТФ, 112:4 (2020), 263–267 ; A. S. Kazakov, A. V. Galeeva, D. E. Dolzhenko, L. I. Ryabova, M. I. Bannikov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskiy, D. R. Khokhlov, “Radiofrequency photoconductivity in Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te te based heterostructures”, JETP Letters, 112:4 (2020), 246–249 |
1
|
| 8. |
А. В. Иконников, В. C. Дудин, А. И. Артамкин, А. Н. Акимов, А. Э. Климов, О. Е. Терещенко, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Оптические и транспортные свойства эпитаксиальных пленок Pb$_{0.74}$Sn$_{0.26}$Te(In) с модифицируемой поверхностью”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 896–901 ; A. V. Ikonnikov, V. S. Dudin, A. I. Artamkin, A. N. Akimov, A. E. Klimov, O. E. Tereshchenko, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Optical and transport properties of epitaxial Pb$_{0.74}$Sn$_{0.26}$Te(In) films with a modifiable surface”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1086–1091 |
5
|
| 9. |
А. В. Галеева, А. С. Казаков, А. И. Артамкин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. И. Банников, С. Н. Данилов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Особенности транспорта в топологической фазе Hg$_{0.87}$Cd$_{0.13}$Te в условиях терагерцового фотовозбуждения”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 873–877 ; A. V. Galeeva, A. S. Kazakov, A. I. Artamkin, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, M. I. Bannikov, S. N. Danilov, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Transport features in the topological phase Hg$_{0.87}$Cd$_{0.13}$Te under terahertz photoexcitation”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1064–1068 |
1
|
|
2019 |
| 10. |
А. В. Иконников, В. И. Черничкин, В. С. Дудин, Д. А. Акопян, А. Н. Акимов, А. Э. Климов, О. Е. Терещенко, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Особенности спектров примесной фотопроводимости эпитаксиальных пленок PbSnTe(In) при изменении температуры”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1303–1308 ; A. V. Ikonnikov, V. I. Chernichkin, V. S. Dudin, D. A. Akopian, A. N. Akimov, A. E. Klimov, O. E. Tereshchenko, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Features of the impurity-photoconductivity spectra of PbSnTe(In) epitaxial films with temperature changes”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1272–1277 |
2
|
| 11. |
К. А. Дроздов, И. В. Крылов, А. С. Чижов, М. Н. Румянцева, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Оптически индуцированный зарядовый обмен в композитных структурах на основе ZnO с внедренными нанокристаллами CsPbBr$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 824–828 ; K. A. Drozdov, I. V. Krylov, A. S. Chizhov, M. N. Rumyantseva, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Optically induced charge exchange in composite structures based on ZnO with embedded CsPbBr$_{3}$ nanocrystals”, Semiconductors, 53:6 (2019), 814–818 |
1
|
| 12. |
А. В. Галеева, М. А. Гоманько, М. Е. Тамм, Л. В. Яшина, С. Н. Данилов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Фотоэлектромагнитный эффект, индуцированный терагерцовым излучением, в топологических изоляторах (Bi$_{1-x}$Sb$_{x}$)$_{2}$Te$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 41–45 ; A. V. Galeeva, M. A. Gomanko, M. E. Tamm, L. V. Yashina, S. N. Danilov, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Photoelectromagnetic effect induced by terahertz radiation in (Bi$_{1-x}$Sb$_{x}$)$_{2}$Te$_{3}$ topological insulators”, Semiconductors, 53:1 (2019), 37–41 |
2
|
|
2018 |
| 13. |
А. В. Галеева, А. Е. Парафин, Д. В. Мастеров, С. А. Павлов, А. Л. Панкратов, С. Н. Данилов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Особенности терагерцовой фотопроводимости в YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-\delta}$ вблизи температуры сверхпроводящего перехода”, Письма в ЖЭТФ, 107:12 (2018), 810–813 ; A. V. Galeeva, A. E. Parafin, D. V. Masterov, S. A. Pavlov, A. L. Pankratov, S. N. Danilov, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Features of the terahertz photoconductivity in YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-\delta}$ near the superconducting transition temperature”, JETP Letters, 107:12 (2018), 785–788 |
| 14. |
К. А. Дроздов, И. В. Крылов, А. С. Чижов, М. Н. Румянцева, Л. И. Pябова, Д. Р. Хохлов, “Модификация спектров фотопроводимости в композитных структурах ZnO-квантовые точки CdSe под действием дополнительного фотовозбуждения”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 763–767 ; K. A. Drozdov, I. V. Krylov, A. S. Chizhov, M. N. Rumyantseva, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Modification of photoconductivity spectra in ZnO–CdSe quantum- dot composites upon exposure to additional photoexcitation”, Semiconductors, 52:7 (2018), 902–906 |
1
|
|
2017 |
| 15. |
А. В. Галеева, А. И. Артамкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. Н. Данилов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Терагерцовая фотопроводимость в Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te вблизи перехода от прямого к инверсному спектру”, Письма в ЖЭТФ, 106:3 (2017), 156–160 ; A. V. Galeeva, A. I. Artamkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. N. Danilov, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Terahertz photoconductivity in Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te near the transition from the direct to inverted spectrum”, JETP Letters, 106:3 (2017), 162–166 |
24
|
|
2016 |
| 16. |
А. В. Галеева, С. Г. Егорова, В. И. Черничкин, Л. И. Рябова, С. Н. Данилов, А. В. Никорич, Д. Р. Хохлов, “Терагерцовая фотогенерация в PbTe(Ga), индуцированная магнитным полем”, Письма в ЖЭТФ, 104:1 (2016), 64–67 ; A. V. Galeeva, S. G. Egorova, V. I. Chernichkin, L. I. Ryabova, S. N. Danilov, A. V. Nikorici, D. R. Khokhlov, “Magnetic-field-induced terahertz photogeneration in PbTe(Ga)”, JETP Letters, 104:1 (2016), 68–70 |
1
|
| 17. |
Д. Р. Хохлов, “Об итогах 12-й Российской конференции по физике полупроводников (Ершово, Звенигород, Москва, 20-25 сентября 2015 г.)”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 721–724 ; D. R. Khokhlov, “Summary of the 12th Russian Conference on Semiconductor Physics (Ershovo, Zvenigorod, Moscow, September 20–25, 2015)”, Semiconductors, 50:6 (2016), 705–708 |
|
2014 |
| 18. |
К. А. Дроздов, И. В. Крылов, Р. Б. Васильев, А. А. Ирхина, М. Н. Румянцева, А. М. Гаськов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Влияние примеси олова на энергетический спектр и фотоэлектрические свойства наноструктурированных пленок In$_2$O$_3$”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 467–470 ; K. A. Drozdov, I. V. Krylov, R. B. Vasiliev, A. A. Irkhina, M. N. Rumyantseva, A. M. Gaskov, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Effect of the tin impurity on the energy spectrum and photoelectric properties of nanostructured In$_2$O$_3$ films”, Semiconductors, 48:4 (2014), 451–454 |
| 19. |
Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца”, УФН, 184:10 (2014), 1033–1044 ; L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Terahertz photoconductivity and nontrivial local electronic states in doped lead telluride-based semiconductors”, Phys. Usp., 57:10 (2014), 959–969 |
32
|
|
2013 |
| 20. |
Е. В. Тихонов, Ю. А. Успенский, Д. Р. Хохлов, “Особенности электронной структуры и фотоэмиссионных спектров
органических молекулярных полупроводников:
молекулы металл-фталоцианинов и PTCDA”, Письма в ЖЭТФ, 98:1 (2013), 17–22 ; E. V. Tikhonov, Yu. A. Uspenskii, D. R. Khokhlov, “Features in the electronic structure and photoemission spectra of organic molecular semiconductors: The molecules of metal-phthalocyanines and PTCDA”, JETP Letters, 98:1 (2013), 14–18 |
3
|
| 21. |
Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Зондирование локальных электронных состояний в узкощелевых
полупроводниках
Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te(In) с помощью лазерного
терагерцового излучения”, Письма в ЖЭТФ, 97:12 (2013), 825–831 ; L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Probing of local electron states in Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te(In) narrow-gap semiconductors by laser terahertz radiation”, JETP Letters, 97:12 (2013), 720–726 |
8
|
| 22. |
Л. И. Рябова, А. В. Никорич, С. Н. Данилов, Д. Р. Хохлов, “Влияние электрического тока и магнитного поля на терагерцовую
фотопроводимость в Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te(In)”, Письма в ЖЭТФ, 97:9 (2013), 607–610 ; L. I. Ryabova, A. V. Nikorich, S. N. Danilov, D. R. Khokhlov, “Influence of electric current and magnetic field on terahertz photoconductivity in Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te(In)”, JETP Letters, 97:9 (2013), 607–610 |
3
|
| 23. |
К. А. Дроздов, В. И. Кочнев, А. А. Добровольский, Р. Б. Васильев, А. В. Бабынина, М. Н. Румянцева, А. М. Гаськов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Фотопроводимость композитных структур на основе пористого SnO$_2$, сенсибилизированного нанокристаллами CdSe”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 360–363 ; K. A. Drozdov, V. I. Kochnev, A. A. Dobrovolsky, R. B. Vasiliev, A. V. Babynina, M. N. Rumyantseva, A. M. Gaskov, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Photoconductivity of composite structures based on porous SnO$_2$ sensitized with CdSe nanocrystals”, Semiconductors, 47:3 (2013), 383–386 |
4
|
| 24. |
А. И. Артамкин, А. А. Добровольский, А. А. Винокуров, В. П. Зломанов, С. Н. Данилов, В. В. Бельков, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Фотопроводимость теллурида свинца, легированного ванадием, в терагерцовом спектральном диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 293–297 ; A. I. Artamkin, A. A. Dobrovolsky, A. A. Vinokurov, V. P. Zlomanov, S. N. Danilov, V. V. Bel'kov, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Photoconductivity of vanadium-doped lead telluride in the terahertz spectral region”, Semiconductors, 47:3 (2013), 319–322 |
1
|
|
2012 |
| 25. |
И. А. Белогорохов, Е. В. Тихонов, М. А. Дронов, Л. И. Белогорохова, Ю. В. Рябчиков, Л. Г. Томилова, Д. Р. Хохлов, “Вибронные состояния в органических полупроводниках на основе безметалльного нафталоцианина, обнаружение гетероцикличных соединений в гибкой диэлектрической матрице”, Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012), 103–108 ; I. A. Belogorohov, E. V. Tikhonov, M. A. Dronov, L. I. Belogorokhova, Yu. V. Ryabchikov, L. G. Tomilova, D. R. Khokhlov, “Vibronic states in organic semiconductors based on non-metal naphthalocyanine. Detection of heterocyclic phthalocyanine compounds in a flexible dielectric matrix”, Semiconductors, 46:1 (2012), 99–104 |
2
|
|
2010 |
| 26. |
И. А. Белогорохов, Д. А. Мамичев, В. Е. Пушкарев, Л. Г. Томилова, Д. Р. Хохлов, “Люминесцентные свойства полупроводниковых композитных систем, состоящих из молекул трифталоцианина эрбия и щелевой кремниевой структуры, в ближней ИК-области”, Письма в ЖЭТФ, 92:10 (2010), 746–750 ; I. A. Belogorohov, D. A. Mamichev, V. E. Pushkarev, L. G. Tomilova, D. R. Khokhlov, “Luminescent properties of semiconductor composite systems composed of erbium triphthalocyanine molecules and a silicon slot structure in the near-infrared region”, JETP Letters, 92:10 (2010), 676–680 |
2
|
| 27. |
И. А. Белогорохов, М. А. Дронов, Е. В. Тихонов, В. Е. Пушкарев, Л. Г. Томилова, Д. Р. Хохлов, “Частотные зависимости мнимой и действительной частей диэлектрической проницаемости органических полупроводников на основе бутилзамещенных молекул монофталоцианина эрбия”, Письма в ЖЭТФ, 91:11 (2010), 676–679 ; I. A. Belogorohov, M. A. Dronov, E. V. Tikhonov, V. E. Pushkarev, L. G. Tomilova, D. R. Khokhlov, “Frequency dependences of the imaginary and real parts of the permittivity of organic semiconductors based on butyl-substituted erbium monophthalocyanine molecules”, JETP Letters, 91:11 (2010), 607–610 |
4
|
| 28. |
А. В. Галеева, Л. И. Рябова, А. В. Никорич, С. Д. Ганичев, С. Н. Данилов, В. В. Бельков, Д. Р. Хохлов, “Фотопроводимость узкощелевых полупроводников Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te(In) в терагерцовой спектральной области”, Письма в ЖЭТФ, 91:1 (2010), 37–39 ; A. V. Galeeva, L. I. Ryabova, A. V. Nikorich, S. D. Ganichev, S. N. Danilov, V. V. Bel'kov, D. R. Khokhlov, “Photoconductivity of the narrow-gap Pb<sub>1 - x</sub>Sn<sub>x</sub>Te(In) semiconductors in the terahertz spectral range”, JETP Letters, 91:1 (2010), 35–37 |
17
|
|
2007 |
| 29. |
И. А. Белогорохов, М. Н. Мартышов, Е. В. Тихонов, М. О. Бреусова, В. Е. Пушкарев, П. А. Форш, А. В. Зотеев, Л. Г. Томилова, Д. Р. Хохлов, “Вибронные и электрические свойства полупроводниковых структур на основе бутилзамещенных моно- и трифталоцианина, содержащих ионы эрбия”, Письма в ЖЭТФ, 85:12 (2007), 791–794 ; I. A. Belogorohov, M. N. Martyshov, E. V. Tikhonov, M. O. Breusova, V. E. Pushkarev, P. A. Forsh, A. V. Zoteev, L. G. Tomilova, D. R. Khokhlov, “Vibronic and electric properties of semiconductor structures based on butyl-substituted mono-and triphthalocyanine containing erbium ions”, JETP Letters, 85:12 (2007), 655–657 |
8
|
|
2006 |
| 30. |
А. И. Белогорохов, И. А. Белогорохов, М. И. Василевский, С. А. Гаврилов, Р. П. Миранда, Х. Диттрих, Д. Р. Хохлов, “Поглощение ИК излучения полярными оптическими фононами в массиве нанокристаллов CdS, состоящем из квантовых точек и квантовых нитей”, Письма в ЖЭТФ, 84:3 (2006), 152–155 ; A. I. Belogorokhov, I. A. Belogorohov, M. I. Vasilevskii, S. A. Gavrilov, R. P. Miranda, T. Dittrich, D. R. Khokhlov, “Infrared absorption by polar optical phonons in a CdS nanocrystal array consisting of quantum dots and quantum wires”, JETP Letters, 84:3 (2006), 124–126 |
| 31. |
Д. Р. Хохлов, “Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов”, УФН, 176:9 (2006), 983–987 ; D. R. Khokhlov, “High-sensitivity terahertz radiation detectors based on a new class of semiconductor materials”, Phys. Usp., 49:9 (2006), 955–959 |
11
|
|
2004 |
| 32. |
Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Проблема примесных состояний в узкощелевых полупроводниках на основе теллурида свинца”, Письма в ЖЭТФ, 80:2 (2004), 143–149 ; L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Problem of impurity states in narrow-gap lead telluride-based semiconductors”, JETP Letters, 80:2 (2004), 133–139 |
36
|
|
2002 |
| 33. |
Б. А. Волков, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца”, УФН, 172:8 (2002), 875–906 ; B. A. Volkov, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Mixed-valence impurities in lead telluride-based solid solutions”, Phys. Usp., 45:8 (2002), 819–846 |
271
|
|
1992 |
| 34. |
А. И. Белогорохов, С. А. Белоконь, И. И. Иванчик, Д. Р. Хохлов, “Особенности спектров ИК-отражения PbTe(Ga)”, Физика твердого тела, 34:9 (1992), 2966–2968 |
| 35. |
Д. Р. Хохлов, С. Н. Чесноков, “Релаксация задержанной фотопроводимости в электрическом поле в сплавах Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te$\langle\text{In}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992), 1135–1138 |
| 36. |
А. де Виссер, И. И. Иванчик, А. В. Никорич, Д. Р. Хохлов, “Локализация и делокализация в Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te $\langle\text{In}\rangle$, индуцированные сверхсильным магнитным полем и ИК подсветкой”, Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992), 1034–1040 |
| 37. |
С. А. Белоконь, Л. Н. Верещагина, И. И. Иванчик, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Характер изменения свойств PbTe$\langle{\text{Ga}}\rangle$ при изменении степени легирования”, Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992), 264–269 |
|
|
|
2024 |
| 38. |
В. В. Василевская, М. О. Галлямов, А. Ю. Гросберг, Р. А. Гумеров, А. В. Емельяненко, В. А. Иванов, Е. Ю. Крамаренко, И. И. Потёмкин, О. В. Руденко, А. М. Сергеев, О. Е. Филиппова, Д. Р. Хохлов, “Алексей Ремович Хохлов (к 70-летию со дня рождения)”, УФН, 194:2 (2024), 227–228 ; V. V. Vasilevskaya, M. O. Gallyamov, A. Yu. Grosberg, R. A. Gumerov, A. V. Emel'yanenko, V. A. Ivanov, E. Yu. Kramarenko, I. I. Potemkin, O. V. Rudenko, A. M. Sergeev, O. E. Philippova, D. R. Khokhlov, “Aleksei Removich Khokhlov (on his 70th birthday)”, Phys. Usp., 67:2 (2024), 211–212 |
|
2021 |
| 39. |
П. И. Арсеев, В. А. Волков, Ю. В. Гуляев, Я. В. Гиндикин, С. В. Зайцев-Зотов, Е. Л. Ивченко, З. Ф. Красильник, И. В. Кукушкин, С. А. Никитов, В. А. Петров, Р. А. Сурис, А. А. Суханов, Ю. Я. Ткач, Д. Р. Хохлов, Б. С. Щамхалова, “К 80-летию со дня рождения Владимира Алексеевича Сабликова”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 481 |
|
