|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
Д. А. Похабов, А. Г. Погосов, А. А. Шевырин, Е. Ю. Жданов, А. К. Бакаров, “Особенности квантования кондактанса многоканальных квантовых точечных контактов”, Письма в ЖЭТФ, 119:5 (2024), 372–380  ; D. A. Pokhabov, A. G. Pogosov, A. A. Shevyrin, E. Yu. Zhdanov, A. K. Bakarov, “Conductance quantization features in multichannel quantum point contacts”, JETP Letters, 119:5 (2024), 380–388 |
1
|
| 2. |
А. К. Бакаров, М. А. Суханов, А. С. Ярошевич, И. Д. Лошкарев, К. С. Журавлев, “Сверхрешетки InAs/GaSb для инфракрасных фотоприемников”, Письма в ЖТФ, 50:20 (2024), 33–36  |
|
2023 |
| 3. |
Н. С. Кузьмин, А. С. Ярошевич, З. Д. Квон, В. А. Ткаченко, А. К. Бакаров, Е. Е. Родякина, “Особенности микроволнового фотокондактанса квантового точечного контакта”, Физика твердого тела, 65:10 (2023), 1842–1847 |
| 4. |
Д. А. Похабов, А. Г. Погосов, Е. Ю. Жданов, А. К. Бакаров, “Сканирование электронных состояний в квантовом точечном контакте с помощью асимметрично смещенных боковых затворов”, Письма в ЖЭТФ, 117:4 (2023), 299–305 ; D. A. Pokhabov, A. G. Pogosov, E. Yu. Zhdanov, A. K. Bakarov, “Scanning of electronic states in a quantum point contact using asymmetrically biased side gates”, JETP Letters, 117:4 (2023), 299–305 |
1
|
| 5. |
А. А. Быков, Д. В. Номоконов, И. С. Стрыгин, И. В. Марчишин, А. К. Бакаров, “Двухподзонный магнетотранспорт в одиночной GaAs-квантовой яме с модулированным сверхрешеточным легированием”, Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023), 577–583 |
| 6. |
А. А. Быков, Д. В. Номоконов, А. В. Горан, И. С. Стрыгин, И. В. Марчишин, А. К. Бакаров, “Влияние подсветки на квантовое время жизни в селективно-легированных одиночных GaAs квантовых ямах с короткопериодными AlAs/GaAs-сверхрешеточными барьерами”, Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023), 181–186 |
| 7. |
М. А. Суханов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлев, “Процесс десорбции оксида с поверхности InSb в потоке сурьмы”, Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023), 138–144 |
| 8. |
Д. В. Номоконов, А. К. Бакаров, А. А. Быков, “Осцилляции Шубникова–де Гааза в двумерном электронном газе с анизотропной подвижностью”, Физика и техника полупроводников, 57:2 (2023), 102–105 |
| 9. |
А. Б. Пашковский, С. А. Богданов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлев, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, С. Н. Карпов, И. А. Рогачев, Е. В. Терешкин, “Всплеск дрейфовой скорости электронов в гетероструктурах с двусторонним донорно-акцепторным легированием и цифровыми барьерами”, Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023), 21–28 |
| 10. |
М. А. Суханов, Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, А. А. Макеева, И. Д. Лошкарев, К. С. Журавлев, “InSb/GaAs-гетероструктуры для датчиков магнитного поля”, Письма в ЖТФ, 49:20 (2023), 27–30 |
|
2022 |
| 11. |
А. А. Быков, И. С. Стрыгин, Е. Е. Родякина, А. К. Бакаров, “Магнето-межподзонные осцилляции в условиях перекрывающихся зон Ландау”, Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022), 621–627 ; A. A. Bykov, I. S. Strygin, E. E. Rodyakina, A. K. Bakarov, “Magneto-intersubband oscillations under the conditions of overlapping Landau bands”, JETP Letters, 116:9 (2022), 643–648 |
| 12. |
Д. И. Сарыпов, Д. А. Похабов, А. Г. Погосов, Е. Ю. Жданов, А. К. Бакаров, “Многоямный потенциал в квантовом точечном контакте траншейного типа”, Письма в ЖЭТФ, 116:6 (2022), 350–357 ; D. I. Sarypov, D. A. Pokhabov, A. G. Pogosov, E. Yu. Zhdanov, A. K. Bakarov, “Multiwell potential in a trench-type quantum point contact”, JETP Letters, 116:6 (2022), 360–366 |
3
|
| 13. |
А. Б. Пашковский, С. А. Богданов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлев, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, С. Н. Карпов, Д. Ю. Протасов, И. А. Рогачёв, Е. В. Терёшкин, “Всплеск дрейфовой скорости электронов в обращенных транзисторных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием и дополнительными цифровыми потенциальными барьерами”, Письма в ЖТФ, 48:12 (2022), 11–14 |
|
2021 |
| 14. |
А. А. Быков, Д. В. Номоконов, А. В. Горан, И. С. Стрыгин, А. К. Бакаров, С. Абеди, С. А. Виткалов, “Подавление магнето-межподзонных осцилляций сопротивления крупномасштабными флуктуациями межподзонного энергетического расщепления”, Письма в ЖЭТФ, 114:7 (2021), 486–492 ; A. A. Bykov, D. V. Nomokonov, A. V. Goran, I. S. Strygin, A. K. Bakarov, S. Abedi, S. A. Vitkalov, “Suppression of magneto-intersubband resistance oscillations by large-scale fluctuations of the intersubband energy splitting”, JETP Letters, 114:7 (2021), 423–428   |
5
|
| 15. |
С. А. Богданов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлев, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, И. А. Рогачёв, Е. В. Терёшкин, С. В. Щербаков, “Полевой транзистор миллиметрового диапазона длин волн на основе псевдоморфной гетероструктуры с дополнительными потенциальными барьерами”, Письма в ЖТФ, 47:7 (2021), 52–54 ; S. A. Bogdanov, A. K. Bakarov, K. S. Zhuravlev, V. G. Lapin, V. M. Lukashin, A. B. Pashkovskii, I. A. Rogachev, E. V. Tereshkin, S. V. Sherbakov, “A millimeter-wave field-effect transistor based on a pseudomorphic heterostructure with an additional potential barrier”, Tech. Phys. Lett., 47:4 (2021), 329–332 |
| 16. |
М. А. Суханов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлёв, “AlSb/InAs-гетероструктуры для СВЧ-транзисторов”, Письма в ЖТФ, 47:3 (2021), 37–39 ; M. A. Sukhanov, A. K. Bakarov, K. S. Zhuravlev, “AlSb/InAs heterostructures for microwave transistors”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 139–142 |
1
|
|
2020 |
| 17. |
А. А. Быков, И. С. Стрыгин, А. В. Горан, Д. В. Номоконов, А. К. Бакаров, “Зависимости транспортного времени рассеяния и квантового времени жизни от концентрации 2D электронного газа в селективно-легированных одиночных GaAs квантовых ямах с короткопериодными AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами”, Письма в ЖЭТФ, 112:7 (2020), 475–481 ; A. A. Bykov, I. S. Strygin, A. V. Goran, D. V. Nomokonov, A. K. Bakarov, “Dependences of the transport scattering time and quantum lifetime on the two-dimensional electron gas density in modulation-doped single GaAs quantum wells with AlAs/GaAs short-period superlattice barriers”, JETP Letters, 112:7 (2020), 437–443 |
4
|
| 18. |
И. Л. Дричко, И. Ю. Смирнов, А. К. Бакаров, А. А. Быков, А. А. Дмитриев, Ю. М. Гальперин, “Нелинейные AC и DC проводимости в двухподзонной структуре $n$-GaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 112:1 (2020), 54–61 ; I. L. Drichko, I. Yu. Smirnov, A. K. Bakarov, A. A. Bykov, A. A. Dmitriev, Yu. M. Galperin, “Nonlinear AC and DC conductivities in a two-subband $n$-GaAs/AlAs heterostructure”, JETP Letters, 112:1 (2020), 45–52 |
3
|
| 19. |
Д. А. Похабов, А. Г. Погосов, Е. Ю. Жданов, А. К. Бакаров, А. А. Шкляев, “Двухканальный электронный транспорт в подвешенных квантовых точечных контактах с боковыми затворами”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1344–1349 ; D. A. Pokhabov, A. G. Pogosov, E. Yu. Zhdanov, A. K. Bakarov, A. A. Shklyaev, “Double-channel electron transport in suspended quantum point contacts with in-plane side gates”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1605–1610 |
7
|
| 20. |
М. А. Суханов, А. К. Бакаров, Д. Ю. Протасов, К. С. Журавлёв, “AlInSb/InSb-гетероструктуры для ИК-фотоприемников, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 46:4 (2020), 3–6 ; M. A. Sukhanov, A. K. Bakarov, D. Yu. Protasov, K. S. Zhuravlev, “AlInSb/InSb heterostructures for IR photodetectors grown by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 46:2 (2020), 154–157 |
3
|
|
2019 |
| 21. |
А. А. Быков, И. С. Стрыгин, А. В. Горан, Д. В. Номоконов, И. В. Марчишин, А. К. Бакаров, Е. Е. Родякина, А. В. Латышев, “Модуляция магнето-межподзонных осцилляций в одномерной латеральной сверхрешетке”, Письма в ЖЭТФ, 110:5 (2019), 337–342 ; A. A. Bykov, I. S. Strygin, A. V. Goran, D. V. Nomokonov, I. V. Marchishin, A. K. Bakarov, E. E. Rodyakina, A. V. Latyshev, “Modulation of magneto-intersubband oscillations in a one-dimensional lateral superlattice”, JETP Letters, 110:5 (2019), 354–358 |
4
|
| 22. |
А. А. Дмитриев, И. Л. Дричко, И. Ю. Смирнов, А. К. Бакаров, А. А. Быков, “AC и DC проводимость в структуре $n$-GaAs/AlAs с широкой квантовой ямой в режиме целочисленного квантового эффекта Холла”, Письма в ЖЭТФ, 110:1 (2019), 62–67 ; A. A. Dmitriev, I. L. Drichko, I. Yu. Smirnov, A. K. Bakarov, A. A. Bykov, “AC and DC conductivities in an $n$-GaAs/AlAs heterostructure with a wide quantum well in the integer quantum Hall effect regime”, JETP Letters, 110:1 (2019), 68–73 |
2
|
| 23. |
А. А. Быков, И. С. Стрыгин, А. В. Горан, И. В. Марчишин, Д. В. Номоконов, А. К. Бакаров, С. Албеди, С. А. Виткалов, “Биения квантовых осцилляций сопротивления в двухподзонных электронных системах в наклонных магнитных полях”, Письма в ЖЭТФ, 109:6 (2019), 401–407 ; A. A. Bykov, I. S. Strygin, A. V. Goran, I. V. Marchishin, D. V. Nomokonov, A. K. Bakarov, S. Albedi, S. A. Vitkalov, “Beats of quantum oscillations of the resistance in two-subband electron systems in tilted magnetic fields”, JETP Letters, 109:6 (2019), 400–405 |
9
|
| 24. |
A. A. Shevyrin, A. K. Bakarov, A. A. Shklyaev, A. S. Arakcheev, M. Kurosu, H. Yamaguchi, A. G. Pogosov, “On-chip piezoelectric actuation of nanomechanical resonators containing a two-dimensional electron gas”, Письма в ЖЭТФ, 109:4 (2019), 254–255 ; JETP Letters, 109:4 (2019), 261–265 |
3
|
|
2018 |
| 25. |
Д. С. Абрамкин, А. К. Бакаров, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев, “Спинодальный распад в InSb/AlAs-гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1280–1285 ; D. S. Abramkin, A. K. Bakarov, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev, “Spinodal decomposition in InSb/AlAs heterostructures”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1392–1397 |
7
|
| 26. |
A. V. Vasev, M. A. Putyato, V. V. Preobrazhenskii, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, “Kinetics of structural changes on GaSb(001) singular and vicinal surfaces during the UHV annealing”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 525 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 664–666 |
2
|
| 27. |
Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, К. С. Журавлев, “Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 48–56 ; D. Yu. Protasov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, K. S. Zhuravlev, “Mobility of the two-dimensional electron gas in DA-$p$HEMT heterostructures with various $\delta$–$n$-layer profile widths”, Semiconductors, 52:1 (2018), 44–52 |
4
|
| 28. |
Д. Ю. Протасов, Д. В. Гуляев, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Е. В. Ерофеев, К. С. Журавлев, “Увеличение насыщенной скорости дрейфа электронов в pHEMT-гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием”, Письма в ЖТФ, 44:6 (2018), 77–84 ; D. Yu. Protasov, D. V. Gulyaev, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, E. V. Erofeev, K. S. Zhuravlev, “Increasing saturated electron-drift velocity in donor–acceptor doped phemt heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 260–262 |
7
|
|
2017 |
| 29. |
А. К. Бакаров, А. К. Гутаковский, К. С. Журавлев, А. П. Ковчавцев, А. И. Торопов, И. Д. Бурлаков, К. О. Болтарь, П. В. Власов, А. А. Лопухин, “Матричные фотоприемные устройства на основе слоев InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, ЖТФ, 87:6 (2017), 900–904 ; A. K. Bakarov, A. K. Gutakovskii, K. S. Zhuravlev, A. P. Kovchavtsev, A. I. Toropov, I. D. Burlakov, K. O. Boltar, P. V. Vlasov, A. A. Lopukhin, “MBE-grown InSb photodetector arrays”, Tech. Phys., 62:6 (2017), 915–919 |
11
|
| 30. |
Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, К. С. Журавлев, “Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1696 ; D. Yu. Protasov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, K. S. Zhuravlev, “Mobility of the two-dimensional electron gas in DA-$p$HEMT heterostructures with various $\delta$–$n$-layer profile widths”, Semiconductors, 52:1 (2018), 44–52 |
4
|
| 31. |
Д. С. Абрамкин, А. К. Бакаров, М. А. Путято, Е. А. Емельянов, Д. А. Колотовкина, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев, “Формирование низкоразмерных структур в гетеросистеме InSb/AlAs”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1282–1288 ; D. S. Abramkin, A. K. Bakarov, M. A. Putyato, E. A. Emelyanov, D. A. Kolotovkina, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev, “Formation of low-dimensional structures in the InSb/AlAs heterosystem”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1233–1239 |
7
|
| 32. |
Е. Ю. Жданов, А. Г. Погосов, М. В. Буданцев, Д. А. Похабов, А. К. Бакаров, “Баллистический магнетотранспорт в подвешенном двумерном электронном газе с периодической решeткой антиточек”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 12–17 ; E. Yu. Zhdanov, A. G. Pogosov, M. V. Budantsev, D. A. Pokhabov, A. K. Bakarov, “Ballistic magnetotransport in a suspended two-dimensional electron gas with periodic antidot lattices”, Semiconductors, 51:1 (2017), 8–13 |
13
|
|
2016 |
| 33. |
Д. С. Абрамкин, К. М. Румынин, А. К. Бакаров, Д. А. Колотовкина, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев, “Квантовые точки, сформированные в гетеросистемах InSb/AlAs и AlSb/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 103:11 (2016), 785–791 ; D. S. Abramkin, K. M. Rumynin, A. K. Bakarov, D. A. Kolotovkina, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev, “Quantum dots formed in InSb/AlAs and AlSb/AlAs heterostructures”, JETP Letters, 103:11 (2016), 692–698 |
17
|
| 34. |
Д. А. Похабов, А. Г. Погосов, М. В. Буданцев, Е. Ю. Жданов, А. К. Бакаров, “Неравновесный химический потенциал в двумерном электронном газе в режиме квантового эффекта Холла”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1070–1074 ; D. A. Pokhabov, A. G. Pogosov, M. V. Budantsev, E. Yu. Zhdanov, A. K. Bakarov, “Nonequilibrium chemical potential in a two-dimensional electron gas in the quantum-Hall-effect regime”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1049–1053 |
3
|
|
2015 |
| 35. |
Д. В. Гуляев, К. С. Журавлев, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, “Идентификация полос фотолюминесценции AlGaAs/InGaAs/GaAs $p$HEMT гетероструктур с донорно-акцепторным легированием барьеров”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 230–235 ; D. V. Gulyaev, K. S. Zhuravlev, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, “Identification of photoluminescence bands in AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT heterostructures with donor-acceptor-doped barriers”, Semiconductors, 49:2 (2015), 224–228 |
3
|
| 36. |
В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, А. С. Ярошевич, И. А. Деребезов, М. М. Качанова, Ю. А. Живодков, Т. А. Гаврилова, А. С. Медведев, Л. А. Ненашева, К. В. Грачев, В. К. Сандырев, А. С. Кожухов, В. М. Шаяхметов, А. К. Калагин, А. К. Бакаров, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, “Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAs-квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 35–40 ; V. A. Gaisler, A. V. Gaisler, A. S. Yaroshevich, I. A. Derebezov, M. M. Kachanova, Yu. A. Zhivodkov, T. A. Gavrilova, A. S. Medvedev, L. A. Nenasheva, K. V. Grachev, V. K. Sandyrev, A. S. Kozhukhov, V. M. Shayakhmetov, A. K. Kalagin, A. K. Bakarov, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, A. L. Aseev, “Efficient single-photon emitters based on Bragg microcavities containing selectively positioned InAs quantum dots”, Semiconductors, 49:1 (2015), 33–38 |
4
|
|
2014 |
| 37. |
М. В. Буданцев, Д. А. Похабов, А. Г. Погосов, Е. Ю. Жданов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, “Гистерезисные явления в ДЭГ в режиме квантового эффекта Холла, исследованные в транспортном эксперименте”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1458–1466 ; M. V. Budantsev, D. A. Pokhabov, A. G. Pogosov, E. Yu. Zhdanov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, “Hysteretic phenomena in a 2DEG in the quantum Hall effect regime, studied in a transport experiment”, Semiconductors, 48:11 (2014), 1423–1431 |
7
|
|
2013 |
| 38. |
А. В. Гайслер, А. С. Ярошевич, И. А. Деребезов, А. К. Калагин, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Д. В. Щеглов, В. А. Гайслер, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, “Тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 97:5 (2013), 313–318 ; A. V. Gaisler, A. S. Yaroshevich, I. A. Derebezov, A. K. Kalagin, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, D. V. Shcheglov, V. A. Gaisler, A. V. Latyshev, A. L. Aseev, “Fine structure of the exciton states in InAs quantum dots”, JETP Letters, 97:5 (2013), 274–278 |
12
|
| 39. |
З. Д. Квон, Д. А. Козлов, С. Н. Данилов, К. Цот, П. Вирлинг, С. Стэчел, В. В. Бельков, А. К. Бакаров, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, С. Д. Ганичев, “Индуцированные терагерцовым излучением осцилляции магнитосопротивления
двумерного электронного газа с высокой концентрацией и подвижностью”, Письма в ЖЭТФ, 97:1 (2013), 45–48 ; Z. D. Kvon, D. A. Kozlov, S. N. Danilov, C. Zoth, P. Vierling, S. Stachel, V. V. Bel'kov, A. K. Bakarov, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, S. D. Ganichev, “Terahertz radiation-induced magnetoresistance oscillations of a high-density and high-mobility two-dimensional electron gas”, JETP Letters, 97:1 (2013), 41–44 |
16
|
|
2009 |
| 40. |
А. Г. Погосов, М. В. Буданцев, А. А. Шевырин, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, “Резонансный пробой кулоновской блокады механическими колебаниями квантовой точки”, Письма в ЖЭТФ, 90:8 (2009), 626–629 ; A. G. Pogosov, M. V. Budantsev, A. A. Shevyrin, A. E. Plotnikov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, “Resonance breakdown of a Coulomb blockade due to the mechanical vibrations of a quantum dot”, JETP Letters, 90:8 (2009), 574–577 |
5
|
| 41. |
М. В. Буданцев, А. Г. Погосов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Ж. К. Порталь, “Влияние продольного магнитного поля на гистерезис магнетосопротивления двумерного электронного газа в режиме квантового эффекта Холла”, Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009), 103–106 ; M. V. Budantsev, A. G. Pogosov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, J. C. Portal, “Effect of an in-plane magnetic field on magnetoresistance hysteresis of the two-dimensional electron gas in the integer quantum Hall effect regime”, JETP Letters, 89:2 (2009), 92–95 |
4
|
| 42. |
М. В. Буданцев, А. Г. Погосов, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Ж. К. Портал, “Неравновесное состояние двумерного электронного газа в режиме целочисленного квантового эффекта Холла”, Письма в ЖЭТФ, 89:1 (2009), 49–53 ; M. V. Budantsev, A. G. Pogosov, A. E. Plotnikov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, J. C. Portal, “Nonequilibrium state of the two-dimensional electron gas in the integer quantum Hall effect regime”, JETP Letters, 89:1 (2009), 46–49 |
5
|
|
2008 |
| 43. |
А. Г. Погосов, М. В. Буданцев, А. А. Шевырин, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, “Блокада туннелирования в подвешенном одноэлектронном транзисторе”, Письма в ЖЭТФ, 87:3 (2008), 176–180 ; A. G. Pogosov, M. V. Budantsev, A. A. Shevyrin, A. E. Plotnikov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, “Blockade of tunneling in a suspended single-electron transistor”, JETP Letters, 87:3 (2008), 150–153 |
23
|
|
2007 |
| 44. |
А. А. Быков, Д. Р. Исламов, А. В. Горан, А. К. Бакаров, “Микроволновое фотосопротивление в двумерной электронной системе с анизотропной подвижностью”, Письма в ЖЭТФ, 86:12 (2007), 891–895 ; A. A. Bykov, D. R. Islamov, A. V. Goran, A. K. Bakarov, “Microwave photoresistance in a two-dimensional electron system with anisotropic mobility”, JETP Letters, 86:12 (2007), 779–782 |
14
|
| 45. |
А. А. Быков, Д. Р. Исламов, Д. В. Номоконов, А. К. Бакаров, “Абсолютное отрицательное сопротивление в неравновесной двумерной электронной системе в сильном магнитном поле”, Письма в ЖЭТФ, 86:9 (2007), 695–698 ; A. A. Bykov, D. R. Islamov, D. V. Nomokonov, A. K. Bakarov, “Absolute negative resistance in a nonequilibrium two-dimensional electron system in a strong magnetic field”, JETP Letters, 86:9 (2007), 608–611 |
21
|
| 46. |
М. В. Буданцев, А. Г. Погосов, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Ж. К. Портал, “Гигантский гистерезис магнетосопротивления в режиме квантового эффекта Холла”, Письма в ЖЭТФ, 86:4 (2007), 294–298 ; M. V. Budantsev, A. G. Pogosov, A. E. Plotnikov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, J. C. Portal, “Giant hysteresis of magnetoresistance in the quantum hall effect regime”, JETP Letters, 86:4 (2007), 264–267 |
9
|
| 47. |
С. И. Дорожкин, А. А. Быков, И. В. Печенежский, А. К. Бакаров, “Сосуществование коллективных и одночастичных эффектов в фотоотклике двумерного электронного газа на СВЧ облучение”, Письма в ЖЭТФ, 85:11 (2007), 705–709 ; S. I. Dorozhkin, A. A. Bykov, I. V. Pechenezhskii, A. K. Bakarov, “Coexistence of collective and single-particle effects in the photoresponse of a 2D electron gas to microwave radiation”, JETP Letters, 85:11 (2007), 576–580 |
15
|
| 48. |
А. А. Быков, И. В. Марчишин, А. К. Бакаров, Ж. К. Занг, С. А. Виткалов, “Холловский пробой в GaAs/AlAs гетероструктуре с модулированным легированием”, Письма в ЖЭТФ, 85:1 (2007), 69–73 ; A. A. Bykov, I. V. Marchishin, A. K. Bakarov, J.-q. Zhang, S. A. Vitkalov, “Hall breakdown in a modulation-doped GaAs/AlAs heterostructure”, JETP Letters, 85:1 (2007), 63–66 |
1
|
|
2006 |
| 49. |
А. А. Быков, А. К. Бакаров, Д. Р. Исламов, А. И. Торопов, “Индуцированные микроволновым излучением гигантские осцилляции магнетосопротивления и состояние с нулевым сопротивлением в двумерной электронной системе со средней величиной подвижности”, Письма в ЖЭТФ, 84:7 (2006), 466–469 ; A. A. Bykov, A. K. Bakarov, D. R. Islamov, A. I. Toropov, “Giant magnetoresistance oscillations induced by microwave radiation and a zero-resistance state in a 2D electron system with a moderate mobility”, JETP Letters, 84:7 (2006), 391–394 |
69
|
| 50. |
А. Г. Милехин, А. И. Торопов, А. К. Бакаров, Ш. Шульце, Д. Р. Т. Цан, “Резонансное комбинационное рассеяние света в наноструктурах с квантовыми точками InGaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 83:11 (2006), 596–599 ; A. G. Milekhin, A. I. Toropov, A. K. Bakarov, Sh. Shul'tse, D. R. T. Tsan, “Resonant Raman scattering in nanostructures with InGaAs/AlAs quantum dots”, JETP Letters, 83:11 (2006), 505–508 |
12
|
| 51. |
А. Г. Погосов, М. В. Буданцев, Р. А. Лавров, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Ж. К. Портал, “Кулоновская блокада и термоэдс подвешенной квантовой точки”, Письма в ЖЭТФ, 83:3 (2006), 152–156 ; A. G. Pogosov, M. V. Budantsev, R. A. Lavrov, A. E. Plotnikov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, J. C. Portal, “Coulomb blockade and the thermopower of a suspended quantum dot”, JETP Letters, 83:3 (2006), 122–126 |
20
|
|
2005 |
| 52. |
А. А. Быков, А. К. Калагин, А. К. Бакаров, “Магнетофононный резонанс в GaAs квантовой яме с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами при больших факторах заполнения”, Письма в ЖЭТФ, 81:10 (2005), 646–649 ; A. A. Bykov, A. K. Kalagin, A. K. Bakarov, “Magnetophonon resonance in a GaAs quantum well with AlAs/GaAs superlattice barriers at high filling factors”, JETP Letters, 81:10 (2005), 523–526 |
43
|
| 53. |
А. Г. Погосов, М. В. Буданцев, Р. А. Лавров, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, “Наблюдение соизмеримых осцилляций термоэдс в решетке антиточек”, Письма в ЖЭТФ, 81:9 (2005), 578–582 ; A. G. Pogosov, M. V. Budantsev, R. A. Lavrov, A. E. Plotnikov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, “Observation of commensurability oscillations of thermopower in an antidot lattice”, JETP Letters, 81:9 (2005), 462–466 |
6
|
| 54. |
А. А. Быков, А. К. Калагин, А. К. Бакаров, “Отрицательное магнетосопротивление высокоподвижного двумерного электронного газа в нелинейном режиме”, Письма в ЖЭТФ, 81:8 (2005), 498–501 ; A. A. Bykov, A. K. Kalagin, A. K. Bakarov, “Negative magnetoresistance of a high-mobility two-dimensional electron gas in a nonlinear regime”, JETP Letters, 81:8 (2005), 406–408 |
8
|
| 55. |
А. А. Быков, А. К. Бакаров, А. К. Калагин, А. И. Торопов, “Осцилляции магнетосопротивления двумерного электронного газа в GaAs квантовой яме с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами в микроволновом поле”, Письма в ЖЭТФ, 81:6 (2005), 348–350 ; A. A. Bykov, A. K. Bakarov, A. K. Kalagin, A. I. Toropov, “Oscillations of the magnetoresistance of a two-dimensional electron gas in a GaAs quantum well with AlAs/GaAs superlattice barriers in a microwave field”, JETP Letters, 81:6 (2005), 284–286 |
16
|
|
2004 |
| 56. |
А. В. Горан, А. А. Быков, А. К. Бакаров, Ж. К. Портал, “Анизотропное положительное магнетосопротивление непланарного двумерного электронного газа в параллельном магнитном поле”, Письма в ЖЭТФ, 79:10 (2004), 608–611 ; A. V. Goran, A. A. Bykov, A. K. Bakarov, J. C. Portal, “Anisotropic positive magnetoresistance of a nonplanar 2D electron gas in a parallel pagnetic field”, JETP Letters, 79:10 (2004), 495–498 |
6
|
| 57. |
М. В. Буданцев, Р. А. Лавров, А. Г. Погосов, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Д. К. Мод, Ж. К. Порталь, “Мезоскопические флуктуации термоэдс в периодической решетке антиточек”, Письма в ЖЭТФ, 79:4 (2004), 201–205 ; M. V. Budantsev, R. A. Lavrov, A. G. Pogosov, A. E. Plotnikov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, D. K. Maude, J. C. Portal, “Mesoscopic fluctuations of thermopower in a periodic antidot lattice”, JETP Letters, 79:4 (2004), 166–170 |
5
|
| 58. |
А. А. Быков, Д. В. Номоконов, А. К. Бакаров, А. В. Горан, О. Естибаль, Ж. К. Портал, “Влияние киральности ферми-системы на температурную зависимость эффекта Ааронова–Бома”, Письма в ЖЭТФ, 79:1 (2004), 34–37 ; A. A. Bykov, D. V. Nomokonov, A. K. Bakarov, A. V. Goran, O. Estibals, J. C. Portal, “Influence of Fermi-system chirality on the temperature dependence of the Aharonov–Bohm effect”, JETP Letters, 79:1 (2004), 28–31 |
|
2003 |
| 59. |
А. А. Быков, Д. В. Номоконов, А. К. Бакаров, О. Естибаль, Ж. К. Портал, “Кулоновские осцилляции кондактанса открытого кольцевого интерферометра в сильном магнитном поле”, Письма в ЖЭТФ, 78:10 (2003), 1137–1141 ; A. A. Bykov, D. V. Nomokonov, A. K. Bakarov, O. Estibals, J. C. Portal, “Coulomb oscillations of conductance in an open ring interferometer in a strong magnetic field”, JETP Letters, 78:10 (2003), 642–645 |
2
|
| 60. |
А. А. Быков, Д. В. Номоконов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, О. Естибаль, Ж. К. Портал, “Кольцевой интерферометр на основе двумерного электронного газа в двойной квантовой яме”, Письма в ЖЭТФ, 78:9 (2003), 1048–1052 ; A. A. Bykov, D. V. Nomokonov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, O. Estibals, J. C. Portal, “Ring interferometer on the basis of 2D electron gas in a double quantum well”, JETP Letters, 78:9 (2003), 560–563 |
1
|
| 61. |
А. А. Быков, А. К. Бакаров, А. В. Горан, Н. Д. Аксенова, А. В. Попова, А. И. Торопов, “Квазиклассическое отрицательное магнетосопротивление двумерного электронного газа при рассеянии на короткодействующем и дальнодействующем потенциалах”, Письма в ЖЭТФ, 78:3 (2003), 165–169 ; A. A. Bykov, A. K. Bakarov, A. V. Goran, N. D. Aksenova, A. V. Popova, A. I. Toropov, “Semiclassical negative magnetoresistance of a 2D electron gas caused by scattering by short-range and long-range potentials”, JETP Letters, 78:3 (2003), 134–137 |
11
|
| 62. |
А. А. Быков, Д. В. Номоконов, А. К. Бакаров, О. Естибаль, Дж. С. Портал, “Резонансное обратное рассеяние в субмикронных кольцах”, Письма в ЖЭТФ, 78:1 (2003), 36–39 ; A. A. Bykov, D. V. Nomokonov, A. K. Bakarov, O. Estibals, J. C. Portal, “Resonance backscattering in submicron rings”, JETP Letters, 78:1 (2003), 30–33 |
10
|
| 63. |
А. К. Бакаров, А. А. Быков, Н. Д. Аксенова, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. И. Торопов, “Соизмеримые осцилляции магнетосопротивления двумерного электронного газа в GaAs квантовых ямах с корругированными гетерограницами”, Письма в ЖЭТФ, 77:12 (2003), 794–797 ; A. K. Bakarov, A. A. Bykov, N. D. Aksenova, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, A. I. Toropov, “Commensurate oscillations of the magnetoresistance of a two-dimensional electron gas in GaAs quantum wells with corrugated heteroboundaries”, JETP Letters, 77:12 (2003), 662–665 |
6
|
| 64. |
Т. С. Шамирзаев, А. М. Гилинский, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Д. А. Тэннэ, К. С. Журавлев, К. фон Борцисковски, Д. Цан, “Миллисекундная кинетика фотолюминесценции в системе прямозонных квантовых точек InAs в матрице AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 77:7 (2003), 459–463 ; T. S. Shamirzaev, A. M. Gilinskii, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, D. A. Tenne, K. S. Zhuravlev, C. von Borczyskowski, D. Zahn, “Millisecond photoluminescence kinetics in a system of direct-bandgap InAs quantum dots in an AlAs matrix”, JETP Letters, 77:7 (2003), 389–392 |
30
|
|
2001 |
| 65. |
А. А. Быков, А. К. Бакаров, А. В. Горан, А. В. Латышев, А. И. Торопов, “Анизотропия магнетотранспорта и самоорганизация корругированных гетерограниц в селективно легированных структурах на (100) GaAs подложках”, Письма в ЖЭТФ, 74:3 (2001), 182–185 ; A. A. Bykov, A. K. Bakarov, A. V. Goran, A. V. Latyshev, A. I. Toropov, “Anisotropy of magnetic transport and self-organization of corrugated heterointerfaces in selectively doped structures on GaAs(100) substrates”, JETP Letters, 74:3 (2001), 164–167 |
6
|
|
