Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Gorshkov, A P
Associate professor
Candidate of physico-mathematical sciences (2006)
Speciality: 01.04.10 (Physcics of semiconductors)
E-mail:
Website: https://person.unn.ru/alexey.gorshkov

https://www.mathnet.ru/eng/person105766
List of publications on Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=133503

Publications in Math-Net.Ru Citations
2022
1. P. B. Boldyrevskii, D. O. Filatov, V. A. Belyakov, A. P. Gorshkov, I. V. Makartsev, A. V. Nezhdanov, M. V. Revin, À. D. Filatov, P. A. Yunin, “Effect of substrate misorientation on the properties of $p$-HEMT GaAs-based nanoheterostructures formed during MOCVD epitaxy”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 92:10 (2022),  1582–1587  mathnet  elib
2. A. I. Bobrov, N. V. Baidus, S. V. Khazanova, A. P. Gorshkov, K. V. Sidorenko, A. N. Shushonov, N. V. Malekhonova, A. V. Nezhdanov, A. V. Zdoroveyshchev, V. N. Trushin, E. V. Ubyivovk, A. I. Okhapkin, D. S. Klement'ev, Z. Sh. Gasainiev, A. V. Kharlamov, “Design of tunnel-coupled quantum wells for a Mach–Zehnder scheme modulator construction”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:9 (2022),  833–838  mathnet  elib
3. M. N. Koryazhkina, D. O. Filatov, M. E. Shenina, I. N. Antonov, A. V. Kruglov, A. V. Ershov, A. P. Gorshkov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, V. G. Shengurov, “Investigation of the effect of optical radiation on resistive switching of MIS-structures based on ZrO$_2$(Y) on Si(001) substrates with Ge nanoislands”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:8 (2022),  723–727  mathnet  elib 1
2021
4. D. O. Filatov, M. E. Shenina, I. A. Rozhentsov, M. N. Koryazhkina, A. S. Novikov, I. N. Antonov, A. V. Ershov, A. P. Gorshkov, O. N. Gorshkov, “Effect of optical illumination on resistive switching in MOS stacks based on ZrO$_2$(Y) films with Au nanoparticles”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:9 (2021),  754–757  mathnet  elib; Semiconductors, 55:9 (2021), 731–734
2018
5. A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, L. A. Istomin, S. B. Levichev, “Relation between the electronic properties and structure of InAs/GaAs quantum dots grown by vapor-phase epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:12 (2018),  1421–1424  mathnet  elib; Semiconductors, 52:12 (2018), 1525–1528
6. M. M. Ivanova, A. N. Kachemtsev, A. N. Mikhaylov, D. O. Filatov, A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, V. Yu. Chalkov, V. G. Shengurov, “Effect of pulsed gamma-neutron irradiation on the photosensitivity of Si-based photodiodes with GeSi nanoislands and Ge epitaxial layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:6 (2018),  651–655  mathnet  elib; Semiconductors, 52:6 (2018), 797–801 2
7. D. O. Filatov, I. N. Antonov, D. Yu. Sinutkin, D. A. Liskin, A. P. Gorshkov, O. N. Gorshkov, V. E. Kotomina, M. E. Shenina, S. V. Tikhov, I. S. Korotaeva, “Plasmon resonance induced photoconductivity in the yttria stabilized zirconia films with embedded Au nanoclusters”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:4 (2018),  470  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 465–467 3
2017
8. A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, P. G. Voronin, A. V. Zdoroveyshchev, L. A. Istomin, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, S. B. Levichev, “Effect of the cap-layer composition on the electronic properties of InAs/GaAs quantum dots”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:11 (2017),  1447–1450  mathnet  elib; Semiconductors, 51:11 (2017), 1395–1398
9. D. O. Filatov, I. A. Kazantseva, V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, A. P. Gorshkov, V. P. Mishkin, “Investigation of spatial distribution of photocurrent in the plane of a Si $p$–$n$ photodiode with GeSi nanoislands by scanning near-field optical microscopy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:4 (2017),  563–568  mathnet  elib; Semiconductors, 51:4 (2017), 536–541 1
2015
10. N. S. Volkova, A. P. Gorshkov, A. V. Zdoroveyshchev, L. A. Istomin, S. B. Levichev, “Effect of the deposition of cobalt on the optoelectronic properties of quantum-confined In(Ga)As/GaAs heteronanostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:12 (2015),  1640–1643  mathnet  elib; Semiconductors, 49:12 (2015), 1592–1595 3
11. V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, N. A. Alyabina, D. V. Guseinov, V. N. Trushin, A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, M. M. Ivanova, A. V. Kruglov, D. O. Filatov, “Photodetectors on the basis of Ge/Si(001) heterostructures grown by the hot-wire CVD technique”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:10 (2015),  1411–1414  mathnet  elib; Semiconductors, 49:10 (2015), 1365–1368 9
12. D. O. Filatov, A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, D. V. Guseinov, N. A. Alyabina, M. M. Ivanova, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, V. G. Shengurov, “Photodiodes based on self-assembled GeSi/Si(001) nanoisland arrays grown by the combined sublimation molecular-beam epitaxy of silicon and vapor-phase epitaxy of germanium”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:3 (2015),  399–405  mathnet  elib; Semiconductors, 49:3 (2015), 387–393 5
13. N. S. Volkova, A. P. Gorshkov, S. V. Tikhov, N. V. Baidus, S. V. Khazanova, V. E. Degtyarov, D. O. Filatov, “Influence of the spatial arrangement of the Si $\delta$ layer on the optoelectronic properties of InGaAs/GaAs quantum-well nanoheterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:2 (2015),  145–148  mathnet  elib; Semiconductors, 49:2 (2015), 139–142
2014
14. N. S. Volkova, A. P. Gorshkov, D. O. Filatov, D. S. Abramkin, “Emission of photoexcited charge carriers from InAs/GaAs quantum dots grown by gas-phase epitaxy”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 100:3 (2014),  175–180  mathnet  elib; JETP Letters, 100:3 (2014), 156–161  isi  elib  scopus 11
2013
15. E. D. Pavlova, A. P. Gorshkov, A. I. Bobrov, N. V. Malekhonova, B. N. Zvonkov, “Study of heterostructures with a combined In(Ga)As/GaAs quantum dot/quantum well layer and a Mn $\delta$ layer”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:12 (2013),  1617–1620  mathnet  elib; Semiconductors, 47:12 (2013), 1591–1594 3
16. N. S. Volkova, A. P. Gorshkov, A. V. Zdoroveyshchev, O. V. Vikhrova, B. N. Zvonkov, “Optoelectronic properties of heteronanostructures with combined layers of In(Ga)As/GaAs quantum wells and dots”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:12 (2013),  1609–1612  mathnet  elib; Semiconductors, 47:12 (2013), 1583–1586
2012
17. A. P. Gorshkov, I. A. Karpovich, E. D. Pavlova, N. S. Volkova, “Effect of He$^+$ ion irradiation on the photosensitivity spectra of In(Ga)As/GaAs quantum well and quantum dot heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:12 (2012),  1542–1545  mathnet  elib; Semiconductors, 46:12 (2012), 1506–1509 2
18. A. P. Gorshkov, I. A. Karpovich, E. D. Pavlova, I. L. Kalentyeva, “Influence of defect formation as a result of incorporation of a Mn $\delta$ layer on the photosensitiviy spectrum of InGaAs/GaAs quantum wells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:2 (2012),  194–197  mathnet  elib; Semiconductors, 46:2 (2012), 184–187 7

Organisations