Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Shengurov, Vladimir Gennad'evich
Doctor of physico-mathematical sciences

https://www.mathnet.ru/eng/person68877
List of publications on Google Scholar

Publications in Math-Net.Ru Citations
2023
1. A. M. Titova, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, A. V. Zaitsev, N. A. Alyabina, A. V. Kudrin, A. V. Zdoroveyshchev, “Ge/Si(001) heteroepitaxial layers doped in the HW CVD process by impurity evaporation from a sublimating Ge source”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 57:9 (2023),  719–724  mathnet  elib
2. D. O. Filatov, O. N. Gorshkov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, M. E. Shenina, V. E. Kotomina, I. N. Antonov, A. V. Kruglov, “Resistive switching of memristors base on epitaxial structures $p$-Si/$p$-Ge/$n^+$-Si(001) with Ru and Ag electrodes”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 49:1 (2023),  5–8  mathnet  elib
2022
3. A. M. Titova, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, N. A. Alyabina, A. V. Zdoroveyshchev, V. G. Shengurov, “Distribution of charge carrier concentrations in epitaxial Ge and GeSn layers grown on $n^+$-Si(001) substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:9 (2022),  839–843  mathnet  elib 1
4. M. N. Koryazhkina, D. O. Filatov, M. E. Shenina, I. N. Antonov, A. V. Kruglov, A. V. Ershov, A. P. Gorshkov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, V. G. Shengurov, “Investigation of the effect of optical radiation on resistive switching of MIS-structures based on ZrO$_2$(Y) on Si(001) substrates with Ge nanoislands”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:8 (2022),  723–727  mathnet  elib 1
2021
5. A. A. Sushkov, D. A. Pavlov, A. I. Andrianov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, R. N. Kriukov, N. V. Baidus, D. V. Yurasov, A. V. Rykov, “Comparison of À$^{\mathrm{III}}$Â$^{\mathrm{V}}$ heterostructures grown on Ge/Si, Ge/SOI, and GaAs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:11 (2021),  978–988  mathnet  elib
6. V. A. Vorontsov, D. A. Antonov, A. V. Kruglov, I. N. Antonov, V. E. Kotomina, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, D. O. Filatov, O. N. Gorshkov, “Demonstration of resistive switching effect in separate filaments in Ag/Ge/Si memristor structures by conductive atomic force microscopy”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:15 (2021),  23–26  mathnet  elib
7. A. V. Rykov, R. N. Kriukov, I. V. Samartsev, P. A. Yunin, V. G. Shengurov, A. V. Zaitsev, N. V. Baidus, “Effect of the algaas seed layer composition on antiphase domains formation in (Al)GaAs structures grown by vapor-phase epitaxy on Ge/Si(100) substrates”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:8 (2021),  37–40  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 413–416 1
2020
8. S. V. Tikhov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, I. N. Antonov, A. V. Kruglov, A. I. Belov, D. O. Filatov, O. N. Gorshkov, A. N. Mikhaylov, “Resistive switching in metal–oxide–semiconductor structures with GeSi nanoislands on a silicon substrate”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 90:10 (2020),  1741–1749  mathnet  elib; Tech. Phys., 65:10 (2020), 1668–1676
9. O. N. Gorshkov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, I. N. Antonov, A. V. Kruglov, M. E. Shenina, V. E. Kotomina, D. O. Filatov, D. A. Serov, “Resistive switching in memristors based on Ag/Ge/Si heterostructures”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:2 (2020),  44–46  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 91–93 6
2019
10. D. S. Prokhorov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, D. O. Filatov, A. V. Zdoroveyshchev, V. Yu. Chalkov, A. V. Zaitsev, M. V. Ved, M. V. Dorokhin, N. A. Baidakova, “Enhanced photoluminescence of heavily doped $n$-Ge/Si(001) layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:9 (2019),  1293–1296  mathnet  elib; Semiconductors, 53:9 (2019), 1262–1265
11. A. A. Sushkov, D. A. Pavlov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, N. V. Baidus, A. V. Rykov, R. N. Kriukov, “Studies of the cross section and photoluminescence of a GaAs layer grown on a Si/Al$_{2}$O$_{3}$ substrate”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:9 (2019),  1271–1274  mathnet  elib; Semiconductors, 53:9 (2019), 1242–1245 1
12. V. G. Shengurov, D. O. Filatov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, N. A. Alyabina, A. V. Zaitsev, “Tunnel diodes based on $n^{+}$-Ge/$p^{+}$-Si(001) epitaxial structures grown by the hot-wire chemical vapor deposition”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:9 (2019),  1267–1270  mathnet  elib; Semiconductors, 53:9 (2019), 1238–1241 1
2018
13. M. M. Ivanova, A. N. Kachemtsev, A. N. Mikhaylov, D. O. Filatov, A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, V. Yu. Chalkov, V. G. Shengurov, “Effect of pulsed gamma-neutron irradiation on the photosensitivity of Si-based photodiodes with GeSi nanoislands and Ge epitaxial layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:6 (2018),  651–655  mathnet  elib; Semiconductors, 52:6 (2018), 797–801 2
14. D. O. Filatov, D. V. Guseinov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, V. G. Shengurov, “Ballistic hole emission spectroscopy of self-assembled GeSi/Si(001) nanoislands”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:5 (2018),  505  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 590–592 1
2017
15. D. O. Filatov, I. A. Kazantseva, V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, A. P. Gorshkov, V. P. Mishkin, “Investigation of spatial distribution of photocurrent in the plane of a Si $p$–$n$ photodiode with GeSi nanoislands by scanning near-field optical microscopy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:4 (2017),  563–568  mathnet  elib; Semiconductors, 51:4 (2017), 536–541 1
2016
16. A. N. Yablonskii, S. V. Morozov, D. M. Gaponova, V. Ya. Aleshkin, V. G. Shengurov, B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, N. V. Baidus, Z. F. Krasil'nik, “Stimulated emission in heterostructures with double InGaAs/GaAsSb/GaAs quantum wells, grown on GaAs and Ge/Si(001) substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:11 (2016),  1455–1458  mathnet  elib; Semiconductors, 50:11 (2016), 1435–1438 3
17. V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, S. A. Matveev, A. V. Nezhdanov, A. I. Mashin, D. O. Filatov, M. V. Stepikhova, Z. F. Krasil'nik, “Conditions of growth of high-quality relaxed Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ layers with a high Ge content by the vapor-phase decomposition of monogermane on a sublimating Si hot wire”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:9 (2016),  1270–1275  mathnet  elib; Semiconductors, 50:9 (2016), 1248–1253 1
18. A. P. Detochenko, S. A. Denisov, M. N. Drozdov, A. I. Mashin, V. A. Gavva, A. D. Bulanov, A. V. Nezhdanov, A. A. Ezhevskii, M. V. Stepikhova, V. Yu. Chalkov, V. N. Trushin, D. V. Shengurov, V. G. Shengurov, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Epitaxially grown monoisotopic Si, Ge, and Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ alloy layers: production and some properties”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:3 (2016),  350–353  mathnet  elib; Semiconductors, 50:3 (2016), 345–348 4
19. D. O. Filatov, I. A. Kazantseva, V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, N. A. Alyabina, “A random telegraph signal in tunneling silicon $p$–$n$ junctions with GeSi nanoislands”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:8 (2016),  94–101  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:4 (2016), 435–437
2015
20. P. B. Boldyrevskii, A. G. Korovin, S. A. Denisov, S. P. Svetlov, V. G. Shengurov, “Analysis of thickness unevenness of the epitaxial silicon layer during deposition from sublimation sources in a vacuum”, University proceedings. Volga region. Physical and mathematical sciences, 2015, no. 4,  93–100  mathnet
21. V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, N. A. Alyabina, D. V. Guseinov, V. N. Trushin, A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, M. M. Ivanova, A. V. Kruglov, D. O. Filatov, “Photodetectors on the basis of Ge/Si(001) heterostructures grown by the hot-wire CVD technique”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:10 (2015),  1411–1414  mathnet  elib; Semiconductors, 49:10 (2015), 1365–1368 9
22. D. O. Filatov, A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, D. V. Guseinov, N. A. Alyabina, M. M. Ivanova, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, V. G. Shengurov, “Photodiodes based on self-assembled GeSi/Si(001) nanoisland arrays grown by the combined sublimation molecular-beam epitaxy of silicon and vapor-phase epitaxy of germanium”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:3 (2015),  399–405  mathnet  elib; Semiconductors, 49:3 (2015), 387–393 5
23. V. G. Shengurov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, Yu. N. Buzynin, M. N. Drozdov, A. N. Buzynin, P. A. Yunin, “Thin single-crystal Ge layers on 2" Si substrates”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 41:1 (2015),  71–78  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 41:1 (2015), 36–39 6
2014
24. V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, S. A. Denisov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. A. Matveev, S. M. Nekorkin, V. G. Shengurov, “Stimulated emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs heterostructure grown on a Si substrate”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 100:12 (2014),  900–903  mathnet  elib; JETP Letters, 100:12 (2014), 795–797  isi  elib  scopus 4
25. P. B. Boldyrevskii, A. G. Korovin, S. A. Denisov, S. P. Svetlov, V. G. Shengurov, “Thickness uniformity of silicon layers grown from a sublimation source by molecular-beam epitaxy”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 84:11 (2014),  155–158  mathnet  elib; Tech. Phys., 59:11 (2014), 1732–1735 3
26. S. A. Denisov, S. A. Matveev, V. Yu. Chalkov, V. G. Shengurov, Yu. N. Drozdov, M. V. Stepikhova, D. V. Shengurov, Z. F. Krasil'nik, “Si$_{1-x}$Ge$_x$/Si heterostructures grown by molecular-beam epitaxy on silicon-on-sapphire substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:3 (2014),  417–420  mathnet  elib; Semiconductors, 48:3 (2014), 402–405 1
2013
27. D. V. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, V. G. Shengurov, M. V. Stepikhova, M. N. Drozdov, Z. F. Krasil'nik, “Low-temperature growth of silicon epitaxial layers codoped with erbium and oxygen atoms”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:3 (2013),  410–413  mathnet  elib; Semiconductors, 47:3 (2013), 433–436
2011
28. V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, D. V. Shengurov, R. Kh. Zhukavin, M. N. Drozdov, “Boron doping of Si$_{1-x}$Ge$_x$/Si heterostructures grown by silicon sublimation in germane medium”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 37:13 (2011),  24–30  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 37:7 (2011), 601–604
2005
29. M. V. Stepikhova, D. M. Zhigunov, V. G. Shengurov, V. Yu. Timoshenko, L. V. Krasil’nikova, V. Yu. Chalkov, S. P. Svetlov, O. A. Shalygina, P. K. Kashkarov, Z. F. Krasil'nik, “Population inversion of the energy levels of erbium ions induced by excitation transfer from the semiconductor matrix in Si-Ge based structures”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 81:10 (2005),  614–617  mathnet; JETP Letters, 81:10 (2005), 494–497  isi  scopus 12

Organisations