|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
М. М. Соболев, Ф. Ю. Солдатенков, “Выявление условий формирования глубоких состояний дислокаций несоответствия и DX-центров в гетероэпитаксиальных слаболегированных Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$Sb$_y$/GaAs-слоях”, Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025), 165–170  |
| 2. |
В. П. Хвостиков, А. В. Малевская, П. В. Покровский, О. А. Хвостикова, Ф. Ю. Солдатенков, М. В. Нахимович, “Микроразмерные GaSb фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения высокой плотности”, Письма в ЖТФ, 51:4 (2025), 50–53  |
|
2024 |
| 3. |
М. М. Соболев, Ф. Ю. Солдатенков, В. А. Козлов, “Выявление основных каналов рекомбинации в слабо легированных слоях GaAs $p$–$i$–$n$-диодов до и после облучения 1 МэВ нейтронами”, Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024), 453–460 |
| 4. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Р. А. Салий, Ф. Ю. Солдатенков, М. В. Нахимович, Д. А. Малевский, “Влияние свойств тыльного отражателя на характеристики инфракрасных светоизлучающих диодов на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктуры”, Письма в ЖТФ, 50:18 (2024), 22–26 |
| 5. |
Н. С. Потапович, А. В. Малевская, Ф. Ю. Солдатенков, В. П. Хвостиков, “Контактные системы для фотоэлектрических преобразователей на основе InGaAsP/InP”, Письма в ЖТФ, 50:5 (2024), 28–31 |
|
2023 |
| 6. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Ф. Ю. Солдатенков, Р. В. Левин, Р. А. Салий, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, В. Р. Ларионов, В. М. Андреев, “Исследование технологии изготовления мощных ИК (850 nm) светодиодов, получаемых методом переноса AlGaAs–GaAs-гетероструктуры на подложку-носитель”, ЖТФ, 93:1 (2023), 170–174 |
3
|
| 7. |
М. М. Соболев, Ф. Ю. Солдатенков, “Дефекты с глубокими уровнями в высоковольтных плавных $p$–$i$–$n$-гетеропереходах AlGaAsSb/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023), 644–647 |
| 8. |
В. Л. Берковиц, В. А. Кособукин, В. П. Улин, П. А. Алексеев, Ф. Ю. Солдатенков, А. В. Нащекин, С. А. Хахулин, О. С. Комков, “Обнаружение клиновидных нанокластеров золота на поверхности GaAs и их изучение с помощью поляризационной спектроскопии плазмонов”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023), 484–490 |
| 9. |
В. М. Литвяк, Р. В. Чербунин, Ф. Ю. Солдатенков, В. К. Калевич, К. В. Кавокин, “Проявление диполь-дипольного и квадрупольного взаимодействий в спектре коррелятора оптически охлажденных ядерных спинов объемного кристалла $n$-GaAs”, Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023), 265–269 |
| 10. |
С. В. Сорокина, Ф. Ю. Солдатенков, Н. С. Потапович, В. П. Хвостиков, “Фронтальный контакт к GaSb-фотопреобразователям: свойства и температурная стабильность”, Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023), 35–41 |
| 11. |
А. В. Малевская, Ф. Ю. Солдатенков, Р. В. Левин, Н. С. Потапович, “Влияние режимов формирования контактной системы Pd/Ge/Au к $n$-GaAs на ее электрические характеристики”, Письма в ЖТФ, 49:3 (2023), 15–18 |
|
2022 |
| 12. |
В. Л. Берковиц, В. А. Кособукин, В. П. Улин, П. А. Алексеев, Ф. Ю. Солдатенков, В. А. Левицкий, “Влияние химической пассивации поверхности GaAs(001) на анизотропию и ориентацию образующихся на ней нанокластеров золота и их плазмонов”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 613–617 |
1
|
| 13. |
М. М. Соболев, Ф. Ю. Солдатенков, “Влияние нейтронного облучения на спектр дефектов с глубокими уровнями в GaAs, изготовленном методом жидкофазной эпитаксии в атмосфере водорода и аргона”, Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022), 53–60 |
1
|
|
2021 |
| 14. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, М. В. Нахимович, Ф. Ю. Солдатенков, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными квантовыми ямами InGaAs и “тыльным” отражателем”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 699–703 ; A. V. Malevskaya, N. A. Kalyuzhnyy, D. A. Malevskii, S. A. Mintairov, A. M. Nadtochiy, M. V. Nakhimovich, F. Yu. Soldatenkov, M. Z. Shvarts, V. M. Andreev, “Infrared (850 nm) light-emitting diodes with multiple InGaAs quantum wells and “back” reflector”, Semiconductors, 55:8 (2021), 686–690 |
6
|
|
2020 |
| 15. |
М. М. Соболев, Ф. Ю. Солдатенков, “Емкостная спектроскопия гетероэпитакиальных AlGaAs/GaAs $p$–$i$–$n$-структур”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1072–1078 ; M. M. Sobolev, F. Yu. Soldatenkov, “Capacitance spectroscopy of heteroepitaxial AlGaAs/GaAs $p$–$i$–$n$ structures”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1260–1266 |
3
|
|
2019 |
| 16. |
А. В. Малевская, В. П. Хвостиков, Ф. Ю. Солдатенков, О. А. Хвостикова, А. С. Власов, В. М. Андреев, “Исследование омических контактов мощных фотоэлектрических преобразователей”, Письма в ЖТФ, 45:1 (2019), 12–15 ; A. V. Malevskaya, V. P. Khvostikov, F. Yu. Soldatenkov, O. A. Khvostikova, A. S. Vlasov, V. M. Andreev, “A study of ohmic contacts of power photovoltaic converters”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1198–1200 |
3
|
|
2018 |
| 17. |
D. M. Mitin, F. Yu. Soldatenkov, A. M. Mozharov, A. A. Vasil’ev, V. V. Neplokh, I. S. Mukhin, “Annealing atmosphere influence on contact resistivity of ohmic Pd/Ge/Au contact to n-GaAs”, Наносистемы: физика, химия, математика, 9:6 (2018), 789–792  |
3
|
| 18. |
М. М. Соболев, Ф. Ю. Солдатенков, “Влияние глубоких уровней дислокаций в гетероэпитаксиальных InGaAs/GaAs и GaAsSb/GaAs $p$–$i$–$n$-структурах на время релаксации неравновесных носителей”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 177–183 ; M. M. Sobolev, F. Yu. Soldatenkov, “Effect of dislocation-related deep levels in heteroepitaxial InGaAs/GaAs and GaAsSb/GaAs $p$–$i$–$n$ structures on the relaxation time of nonequilibrium carriers”, Semiconductors, 52:2 (2018), 165–171 |
8
|
|
2017 |
| 19. |
В. П. Улин, Н. В. Улин, Ф. Ю. Солдатенков, “Анодные процессы в условиях химического и электрохимического травления кристаллов кремния в кислых фторидных растворах. Механизм порообразования”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 481–496 ; V. P. Ulin, N. V. Ulin, F. Yu. Soldatenkov, “Anodic processes in the chemical and electrochemical etching of Si crystals in acid-fluoride solutions: Pore formation mechanism”, Semiconductors, 51:4 (2017), 458–472 |
19
|
|
2016 |
| 20. |
М. М. Соболев, Ф. Ю. Солдатенков, В. А. Козлов, “Исследования глубоких уровней GaAs $p$–$i$–$n$-структур”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 941–945 ; M. M. Sobolev, F. Yu. Soldatenkov, V. A. Kozlov, “Study of deep levels in GaAs $p$–$i$–$n$ structures”, Semiconductors, 50:7 (2016), 924–928 |
9
|
|
2015 |
| 21. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Ф. Ю. Солдатенков, Н. Х. Тимошина, “Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения для длин волн $\lambda\approx$ 1550 нм на основе GaSb”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015), 1104–1107 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, F. Yu. Soldatenkov, N. Kh. Timoshina, “GaSb-based photovoltaic laser-power converter for the wavelength $\lambda\approx$ 1550 nm”, Semiconductors, 49:8 (2015), 1079–1082 |
15
|
|
2014 |
| 22. |
И. Л. Шульпина, В. В. Ратников, В. А. Козлов, Ф. Ю. Солдатенков, В. Е. Войтович, “Оценка качества GaAs-подложек, используемых для изготовления силовых полупроводниковых приборов”, ЖТФ, 84:10 (2014), 149–152 ; I. L. Shul'pina, V. V. Ratnikov, V. A. Kozlov, F. Yu. Soldatenkov, V. E. Voitovich, “Estimation of quality of GaAs substrates used for constructing semiconductor power devices”, Tech. Phys., 59:10 (2014), 1566–1569 |
5
|
| 23. |
О. И. Ксенофонтова, А. В. Васин, В. В. Егоров, А. В. Бобыль, Ф. Ю. Солдатенков, Е. И. Теруков, В. П. Улин, Н. В. Улин, О. И. Киселев, “Пористый кремний и его применение в биологии и медицине”, ЖТФ, 84:1 (2014), 67–78 ; O. I. Ksenofontova, A. V. Vasin, V. V. Egorov, A. V. Bobyl', F. Yu. Soldatenkov, E. I. Terukov, V. P. Ulin, N. V. Ulin, O. I. Kiselev, “Porous silicon and its applications in biology and medicine”, Tech. Phys., 59:1 (2014), 66–77 |
50
|
| 24. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, Н. Х. Тимошина, Ф. Ю. Солдатенков, “Температурная стабильность контактных систем фотоэлектрических преобразователей на основе GaSb”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1280–1286 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, N. Kh. Timoshina, F. Yu. Soldatenkov, “Temperature stability of contact systems for GaSb-based photovoltaic converters”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1248–1253 |
3
|
| 25. |
В. П. Улин, Н. В. Улин, Ф. Ю. Солдатенков, А. В. Семенов, А. В. Бобыль, “Поверхность пористого кремния в процессах гидрофилизации и гидролитической деградации”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1243–1248 ; V. P. Ulin, N. V. Ulin, F. Yu. Soldatenkov, A. V. Semenov, A. V. Bobyl', “Surface of porous silicon under hydrophilization and hydrolytic degradation”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1211–1216 |
14
|
|
