|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
В. П. Попов, В. А. Антонов, В. Е. Жилицкий, А. А. Ломов, А. В. Мяконьких, К. В. Руденко, “Термостабильный сегнетоэлектрик HfO$_2$ : Al$_2$O$_3$ (10:1) в SOI и SOS гетероструктурах после RTA обработок и утончения кремния окислением”, Письма в ЖЭТФ, 121:12 (2025), 945–951  ; V. P. Popov, V. A. Antonov, V. E. Zhilitskii, A. A. Lomov, A. V. Myakonkikh, K. V. Rudenko, “Thermally stable ferroelectric HfO$_2$ : Al$_2$O$_3$ (10:1) in silicon-on-insulator and silicon-on-sapphire heterostructures after rapid thermal annealing treatments and oxidation-induced silicon thinning”, JETP Letters, 121:12 (2025), 902–908 |
|
2022 |
| 2. |
И. Е. Тысченко, Е. В. Спесивцев, А. А. Шкляев, В. П. Попов, “Структурные изменения в пленках кремний-на-изоляторе нанометровой толщины при высокотемпературном отжиге”, Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022), 320–327  |
| 3. |
И. Е. Тысченко, Р. А. Хмельницкий, В. В. Сарайкин, В. А. Володин, В. П. Попов, “Диффузия германия из захороненного слоя SiO$_2$ и формирование фазы SiGe”, Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022), 192–198 |
|
2021 |
| 4. |
И. Е. Тысченко, M. Voelskow, Сы Чжунбинь, В. П. Попов, “Диффузия атомов In в пленках SiO$_{2}$, имплантированных ионами As$^{+}$”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 217–223 ; I. E. Tyschenko, M. Voelskow, Si. Zh, V. P. Popov, “Diffusion of In atoms in SiO$_{2}$ films implanted with As$^{+}$ ions”, Semiconductors, 55:3 (2021), 289–295 |
|
2019 |
| 5. |
И. Е. Тысченко, В. А. Володин, В. П. Попов, “Комбинационное рассеяние света в сферических нанокристаллах InSb, ионно-синтезированных в пленках оксида кремния”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 502–507 ; I. E. Tyschenko, V. A. Volodin, V. P. Popov, “Raman scattering in InSb spherical nanocrystals ion-synthesized in silicon-oxide films”, Semiconductors, 53:4 (2019), 493–498 |
10
|
| 6. |
И. Е. Тысченко, Э. Д. Жанаев, В. П. Попов, “Энергия связи пластин кремния и сапфира при повышенных температурах соединения”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 65–69 ; I. E. Tyschenko, E. D. Zhanaev, V. P. Popov, “Bonding energy of silicon and sapphire wafers at elevated temperatures of joining”, Semiconductors, 53:1 (2019), 60–64 |
3
|
|
2018 |
| 7. |
К. В. Феклистов, А. Г. Черков, В. П. Попов, Л. И. Федина, “Перераспределение атомов отдачи эрбия и кислорода и структура тонких приповерхностных слоев кремния, созданных высокодозной имплантацией аргона через поверхностные пленки Er и SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1589–1596 ; K. V. Feklistov, A. G. Cherkov, V. P. Popov, L. I. Fedina, “Redistribution of erbium and oxygen recoil atoms and the structure of silicon thin surface layers formed by high-dose argon implantation through Er and SiO$_{2}$ surface films”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1696–1703 |
| 8. |
В. П. Попов, В. А. Антонов, В. И. Вдовин, “Положительный заряд в КНС-гетероструктурах с межслойным оксидом кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1220–1227 ; V. P. Popov, V. A. Antonov, V. I. Vdovin, “Positive charge in SOS heterostructures with interlayer silicon oxide”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1341–1348 |
10
|
|
2016 |
| 9. |
В. П. Попов, М. А. Ильницкий, Э. Д. Жанаев, А. В. Мяконьких, К. В. Руденко, А. В. Глухов, “Биосенсорные свойства нанопроволочных транзисторов с защитным слоем диэлектрика Al$_{2}$O$_{3}$, нанесенным методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 643–649 ; V. P. Popov, M. A. Ilnitskii, E. D. Zhanaev, A. V. Myakon'kikh, K. V. Rudenko, A. V. Glukhov, “Biosensor properties of SOI nanowire transistors with a PEALD Al$_{2}$O$_{3}$ dielectric protective layer”, Semiconductors, 50:5 (2016), 632–638 |
16
|
|
2015 |
| 10. |
О. В. Наумова, Э. Г. Зайцева, Б. И. Фомин, М. А. Ильницкий, В. П. Попов, “Зависимость подвижности электронов в режиме обогащения от их плотности в полностью обедняемых пленках кремний-на-изоляторе”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1360–1366 ; O. Naumova, E. G. Zaytseva, B. I. Fomin, M. A. Ilnitskii, V. P. Popov, “Density dependence of electron mobility in the accumulation mode for fully depleted SOI films”, Semiconductors, 49:10 (2015), 1316–1322 |
9
|
| 11. |
К. В. Феклистов, Д. С. Абрамкин, В. И. Ободников, В. П. Попов, “Легирование кремния эрбием методом имплантации атомов отдачи”, Письма в ЖТФ, 41:16 (2015), 52–60 ; K. V. Feklistov, D. S. Abramkin, V. I. Obodnikov, V. P. Popov, “Doping silicon with erbium by recoil implantation”, Tech. Phys. Lett., 41:8 (2015), 788–792 |
6
|
|
2014 |
| 12. |
В. П. Попов, М. А. Ильницкий, О. В. Наумова, А. Н. Назаров, “Квантовые поправки для пороговых напряжений полностью обедняемых КНИ транзисторов с двумя независимыми затворами”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1348–1353 ; V. P. Popov, M. A. Ilnitskii, O. Naumova, A. N. Nazarov, “Quantum corrections to threshold voltages for fully depleted SOI transistors with two independent gates”, Semiconductors, 48:10 (2014), 1312–1317 |
6
|
| 13. |
И. Е. Тысченко, В. А. Володин, В. В. Козловский, В. П. Попов, “Эффект гидростатического давления в процессе отжига пленок кремния на изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1339–1343 ; I. E. Tyschenko, V. A. Volodin, V. V. Kozlovsky, V. P. Popov, “Effect of hydrostatic pressure during the annealing of silicon-on-insulator films implanted with a high hydrogen-ion dose”, Semiconductors, 48:10 (2014), 1303–1307 |
1
|
| 14. |
И. Е. Тысченко, М. Фельсков, А. Г. Черков, В. П. Попов, “Ионный синтез нанокристаллов InSb в захороненном слое SiO$_2$ структуры кремний-на-изоляторе”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1228–1233 ; I. E. Tyschenko, M. Voelskow, A. G. Cherkov, V. P. Popov, “Ion-beam synthesis of InSb nanocrystals in the buried SiO$_2$ layer of a silicon-on-insulator structure”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1196–1201 |
12
|
|
2013 |
| 15. |
И. Е. Тысченко, В. А. Володин, М. Фельсков, А. Г. Черков, В. П. Попов, “Кристаллизация пленок кремний-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода, под действием термических миллисекундных импульсов”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 591–597 ; I. E. Tyschenko, V. A. Volodin, M. Voelskow, A. G. Cherkov, V. P. Popov, “Crystallization induced by thermal annealing with millisecond pulses in silicon-on-insulator films implanted with high doses of hydrogen ions”, Semiconductors, 47:5 (2013), 606–611 |
1
|
|
1992 |
| 16. |
Г. А. Качурин, И. Е. Тысченко, А. Е. Плотников, В. П. Попов, “Рост монокристаллического $\alpha\text{-Si}_{3}\text{N}_{4}$ в захороненных слоях, полученных низкоинтенсивной имплантацией ионов N$^{+}$ в нагретый кремний”, Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992), 1390–1393 |
| 17. |
Н. Х. Талипов, В. П. Попов, В. Г. Ремесник, З. А. Налькина, “Влияние отжига под анодным окислом на изменение состава поверхности и конверсию типа проводимости монокристаллов $p$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($x\simeq0.2$)”, Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992), 310–317 |
|
1986 |
| 18. |
Р. Гретцшель, А. В. Двуреченский, В. П. Попов, “Фазовый переход кристалл–аморфное состояние в сильно легированном кремнии”, Физика твердого тела, 28:10 (1986), 3134–3136  |
|
|
|
2012 |
| 19. |
А. Л. Асеев, А. В. Двуреченский, И. Г. Неизвестный, Г. А. Качурин, В. П. Попов, А. А. Гиппиус, В. Н. Мордкович, “Леонид Степанович Смирнов к 80-летию со дня рождения (1932–2011)”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 861–863 |
|
