|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
Н. И. Клюй, В. Б. Лозинский, А. И. Липтуга, В. Н. Дикуша, А. П. Оксанич, М. Г. Когдась, А. Л. Перехрест, С. Э. Притчин, “Влияние имплантации H$^{+}$ на оптические свойства кристаллов полуизолирующего арсенида галлия в ИК-области спектра”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 317–321   ; N. I. Klyui, V. B. Lozinskii, A. I. Liptuga, V. N. Dikusha, A. P. Oksanych, M. G. Kogdas, A. L. Perekhrest, S. E. Pritchin, “Effect of H$^+$ implantation on the optical properties of semi-insulating GaAs crystals in the IR spectral region”, Semiconductors, 51:3 (2017), 305–309 |
8
|
|
2015 |
| 2. |
Н. И. Клюй, Н. А. Семененко, И. М. Хацевич, А. В. Макаров, А. Н. Кабалдин, Ф. В. Фомовский, Вэй Хань, “Улучшение деградационной стойкости кремниевых наноструктур осаждением алмазоподобных углеродных пленок”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015), 1056–1060 ; N. I. Klyui, N. A. Semenenko, I. M. Khatsevich, A. V. Makarov, A. N. Kabaldin, F. V. Fomovskii, Wei Han, “Improvement in the degradation resistance of silicon nanostructures by the deposition of diamond-like carbon films”, Semiconductors, 49:8 (2015), 1030–1034 |
3
|
|
2012 |
| 3. |
Н. И. Клюй, В. Б. Лозинский, А. Н. Лукьянов, В. А. Мороженко, Р. К. Савкина, Ф. Ф. Сизов, А. Б. Смирнов, В. А. Дериглазов, “Ионно-плазменная обработка монокристаллов Cd$_{1-x}$Zn$_x$Te ($x\sim$0.04) и оптическое просветление алмазоподобными углеродными пленками”, ЖТФ, 82:8 (2012), 83–88 ; N. I. Klyui, V. B. Lozinskii, A. N. Lukyanov, V. A. Morozhenko, R. K. Savkina, F. F. Sizov, A. B. Smirnov, V. A. Deriglazov, “Ion-plasma treatment of Cd$_{1-x}$Zn$_x$Te ($x\sim$0.04) single crystals and application of antireflection diamond-like carbon films”, Tech. Phys., 57:8 (2012), 1121–1126 |
5
|
| 4. |
А. Е. Беляев, Н. И. Клюй, Р. В. Конакова, А. Н. Лукьянов, Б. А. Данильченко, Ю. Н. Свешников, А. Н. Клюй, “Исследование методом электроотражения влияния $\gamma$-облучения на оптические свойства эпитаксиальных пленок GaN”, Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012), 317–320 ; A. E. Belyaev, N. I. Klyui, R. V. Konakova, A. N. Lukyanov, B. A. Danil'chenko, Yu. N. Sveshnikov, A. N. Klyui, “Electroreflectance study of the effect of $\gamma$ radiation on the optical properties of epitaxial GaN films”, Semiconductors, 46:3 (2012), 302–305 |
3
|
| 5. |
Н. И. Клюй, А. И. Липтуга, В. Б. Лозинский, А. П. Оксанич, В. А. Тербан, Ф. В. Фомовский, “Повышение деградационной стойкости кристаллов полуизолирующего арсенида галлия плазменными обработками”, Письма в ЖТФ, 38:22 (2012), 28–34 ; N. I. Klyui, A. I. Liptuga, V. B. Lozinskii, A. P. Oksanych, V. A. Terban, F. V. Fomovskii, “Increasing the degradation resistance of semi-insulating gallium arsenide crystals by plasma processing”, Tech. Phys. Lett., 38:11 (2012), 1016–1019 |
3
|
| 6. |
Н. И. Клюй, А. И. Липтуга, В. Б. Лозинский, А. Н. Лукьянов, А. П. Оксанич, В. А. Тербан, “Применение алмазоподобных углеродных пленок для просветления кристаллов полуизолирующего GaAs в ИК-области спектра”, Письма в ЖТФ, 38:13 (2012), 27–34 ; N. I. Klyui, A. I. Liptuga, V. B. Lozinskii, A. N. Lukyanov, A. P. Oksanych, V. A. Terban, “Application of diamond-like carbon films to increase transmission of semi-insulating GaAs crystals in the IR spectral range”, Tech. Phys. Lett., 38:7 (2012), 609–612 |
4
|
|
1987 |
| 7. |
В. И. Гавриленко, Н. И. Клюй, В. Г. Литовченко, В. Г. Падалка, В. Е. Стрельницкий, “Особенности электронной структуры углеродных конденсатов”, Физика твердого тела, 29:11 (1987), 3449–3451  |
|
1984 |
| 8. |
В. И. Гавриленко, И. С. Горбань, Н. И. Клюй, В. Г. Литовченко, А. С. Скирда, “Электроотражение карбида кремния в видимой и ближней инфракрасной
областях спектра”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1269–1271 |
|
