Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Иванов Эдуард Владимирович
кандидат физико-математических наук (1998)
Специальность ВАК: 01.04.05 (оптика)

Научная биография:

Иванов, Эдуард Владимирович. Исследование процессов фокусировки субмикросекундных импульсов давления в жидкости, возбуждаемых лазерным излучением : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.05. - Санкт-Петербург, 1998. - 135 с. : ил.

https://www.mathnet.ru/rus/person183187
Список публикаций на Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=12175

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2025
1. Я. А. Пархоменко, Э. В. Иванов, Е. В. Куницына, А. А. Пивоварова, А. В. Нащекин, И. А. Андреев, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Светодиоды на основе твердых растворов GaInAsSb для спектрального диапазона 2.5–2.8 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  34–37  mathnet  elib
2024
2. М. П. Михайлова, Э. В. Иванов, П. В. Семенихин, Р. В. Парфеньев, “Поглощение микроволнового излучения и осцилляции магнитосопротивления в композитных квантовых ямах InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром в квантующем магнитном поле (Обзор)”, Физика твердого тела, 66:3 (2024),  323–333  mathnet  elib
2023
3. Я. А. Пархоменко, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев, “Излучательная рекомбинация в разъединенном гетеропереходе II типа InAs/InSb с квантовыми точками на интерфейсе”, Физика твердого тела, 65:4 (2023),  645–651  mathnet  elib
2021
4. М. П. Михайлова, А. П. Дмитриев, И. А. Андреев, Э. В. Иванов, Е. В. Куницына, Ю. П. Яковлев, “Монополярное умножение горячих носителей заряда в полупроводниках A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ в сильном электрическом поле и бесшумные лавинные фотодиоды (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  995–1010  mathnet  elib
5. Е. В. Куницына, А. А. Пивоварова, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Э. В. Иванов, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Неохлаждаемые фотодиоды для регистрации импульсного инфракрасного излучения в спектральном диапазоне 0.9–1.8 мкм”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  607–613  mathnet; E. V. Kunitsyna, A. A. Pivovarova, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Uncooled photodiodes for detecting pulsed infrared radiation in the spectral range of 0.9–1.8 $\mu$m”, Semiconductors, 55:7 (2021), 601–607 1
2020
6. В. В. Романов, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев, “Формирование гетероперехода II типа в полупроводниковой структуре InAsSb/InAsSbP”, Физика твердого тела, 62:11 (2020),  1822–1827  mathnet  elib; V. V. Romanov, E. V. Ivanov, K. D. Moiseev, “Forming a type-II heterojunction in the InAsSb/InAsSbP semiconductor structure”, Phys. Solid State, 62:11 (2020), 2039–2044 7
7. М. П. Михайлова, Э. В. Иванов, Л. В. Данилов, К. В. Калинина, Ю. П. Яковлев, П. С. Копьев, “Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1267–1288  mathnet  elib; M. P. Mikhailova, E. V. Ivanov, L. V. Danilov, K. V. Kalinina, Yu. P. Yakovlev, P. S. Kop'ev, “Radiative recombination and impact ionization in semiconductor nanostructures (review)”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1527–1547 2
8. В. В. Романов, Э. В. Иванов, А. А. Пивоварова, К. Д. Моисеев, Ю. П. Яковлев, “Длинноволновые светодиоды в окне прозрачности атмосферы 4.6 – 5.3 мкм”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  202–206  mathnet  elib; V. V. Romanov, E. V. Ivanov, A. A. Pivovarova, K. D. Moiseev, Yu. P. Yakovlev, “Long-wavelength leds in the atmospheric transparency window of 4.6 – 5.3 $\mu$m”, Semiconductors, 54:2 (2020), 253–257 6
2019
9. В. В. Романов, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев, “Узкозонные гетероструктуры InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/InAsSbP ($y$ = 0.09–0.16) для спектрального диапазона 4–6 $\mu$m, полученные методом МОГФЭ”, Физика твердого тела, 61:10 (2019),  1746–1753  mathnet  elib; V. V. Romanov, È. V. Ivanov, K. D. Moiseev, “InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/InAsSbP narrow-gap heterostructures ($y$ = 0.09–0.16) grown by metalorganic vapor phase epitaxy for the spectral range of 4–6 $\mu$m”, Phys. Solid State, 61:10 (2019), 1699–1706 10
10. В. В. Романов, И. А. Белых, Э. В. Иванов, П. А. Алексеев, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Светодиоды на основе асимметричной двойной гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования CO$_{2}$ ($\lambda$ = 4.3 мкм) и CO ($\lambda$ = 4.7 мкм)”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  832–838  mathnet  elib; V. V. Romanov, I. A. Belykh, E. V. Ivanov, P. A. Alekseev, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Light–emitting diodes based on asymmetrical double InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructure for CO$_{2}$ ($\lambda$ = 4.3 $\mu$m) and CO ($\lambda$ = 4.7 $\mu$m) detection”, Semiconductors, 53:6 (2019), 822–827 6
11. М. П. Михайлова, Э. В. Иванов, Л. В. Данилов, Р. В. Левин, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, Ю. П. Яковлев, “Электролюминесценция в гетероструктурах $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой, выращенных методом МОГФЭ”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  50–54  mathnet  elib; M. P. Mikhailova, E. V. Ivanov, L. V. Danilov, R. V. Levin, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, Yu. P. Yakovlev, “Electroluminescence in $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb heterostructures with a single quantum well grown by MOVPE”, Semiconductors, 53:1 (2019), 46–50 1
2018
12. В. В. Романов, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев, “Перестройка спектров электролюминесценции в гетероструктурах II типа $n$-InAs/$n$-InAsSbP”, Физика твердого тела, 60:3 (2018),  585–590  mathnet  elib; V. V. Romanov, È. V. Ivanov, K. D. Moiseev, “Rearrangement of electroluminescence spectra in type-II $n$-InAs/$n$-InAsSbP heterostructures”, Phys. Solid State, 60:3 (2018), 592–597 3
13. Е. В. Куницына, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Э. В. Иванов, А. А. Пивоварова, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1094–1099  mathnet  elib; E. V. Kunitsyna, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, A. A. Pivovarova, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “GaSb/GaAlAsSb heterostructure photodiodes for the near-IR spectral range”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1215–1220 5
14. М. П. Михайлова, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Л. В. Данилов, Э. В. Иванов, Е. В. Куницына, Н. Д. Ильинская, Р. В. Левин, Б. В. Пушный, Ю. П. Яковлев, “Эффект увеличения фотопроводимости в гетероструктуре II типа $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  906–911  mathnet  elib; M. P. Mikhailova, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, L. V. Danilov, E. V. Ivanov, E. V. Kunitsyna, N. D. Il'inskaya, R. V. Levin, B. V. Pushnii, Yu. P. Yakovlev, “Photoconductivity amplification in a type-II $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb heterostructure with a single QW”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1037–1042 1
2017
15. М. В. Богданович, Д. М. Кабанов, Е. В. Лебедок, П. В. Шпак, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, М. А. Щемелев, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, Э. В. Иванов, Ю. П. Яковлев, “Измеритель содержания воды в нефти и нефтепродуктах на основе инфракрасных оптоэлектронных пар светодиод–фотодиод”, ЖТФ, 87:2 (2017),  315–318  mathnet  elib; M. V. Bogdanovich, D. M. Kabanov, E. V. Lebiadok, P. V. Shpak, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, M. A. Shchemelev, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, È. V. Ivanov, Yu. P. Yakovlev, “Measurement of the water content in oil and oil products using IR light-emitting diode–photodiode optrons”, Tech. Phys., 62:2 (2017), 344–346 3
2016
16. Л. В. Данилов, А. А. Петухов, М. П. Михайлова, Г. Г. Зегря, Э. В. Иванов, Ю. П. Яковлев, “Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  794–800  mathnet  elib; L. V. Danilov, A. A. Petukhov, M. P. Mikhailova, G. G. Zegrya, È. V. Ivanov, Yu. P. Yakovlev, “Features of high-temperature electroluminescence in an LED $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb heterostructure with high potential barriers”, Semiconductors, 50:6 (2016), 778–784 3
2014
17. В. В. Романов, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев, “Высокотемпературная интерфейсная электролюминесценция в разъединенных гетероструктурах II рода на основе квантовых штрихов InSb в матрице $n$-InAs”, Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014),  938–943  mathnet  elib; V. V. Romanov, È. V. Ivanov, K. D. Moiseev, “High-temperature interfacial electroluminescence in type-II broken-gap heterostructures based on InSb quantum dashes in $n$-InAs matrix”, Semiconductors, 48:7 (2014), 911–916 6
2013
18. Я. А. Пархоменко, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев, “Особенности электролюминесценции в гетероструктурах с квантовыми точками InSb в матрице InAs”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1536–1541  mathnet  elib; Ya. A. Parkhomenko, È. V. Ivanov, K. D. Moiseev, “Specific features of electroluminescence in heterostructures with InSb quantum dots in an InAs matrix”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1523–1527 3
19. М. П. Михайлова, И. А. Андреев, Э. В. Иванов, Г. Г. Коновалов, Е. А. Гребенщикова, Ю. П. Яковлев, E. Hulicius, A. Hospodkova, Y. Pangrac, “Фотоэлектрические и люминесцентные свойства наногетероструктур на основе GaSb с глубокой квантовой ямой Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1037–1042  mathnet  elib; M. P. Mikhailova, I. A. Andreev, È. V. Ivanov, G. G. Konovalov, E. A. Grebenshchikova, Yu. P. Yakovlev, E. Hulicius, A. Hospodkova, Y. Pangrac, “Photoelectric and luminescence properties of GaSb-Based nanoheterostructures with a deep Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb quantum well grown by metalorganic vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 47:8 (2013), 1041–1045 2
20. М. М. Григорьев, П. А. Алексеев, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев, “Двухцветная люминесценция в одиночной гетероструктуре II типа InAsSbP/InAs”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  30–35  mathnet  elib; M. M. Grigor'ev, P. A. Alekseev, È. V. Ivanov, K. D. Moiseev, “Two-color luminescence from a single type-II InAsSbP/InAs heterostructure”, Semiconductors, 47:1 (2013), 28–32 6
21. А. В. Золотухин, В. В. Шерстнев, К. А. Савельева, Е. А. Гребенщикова, О. Ю. Серебренникова, Н. Д. Ильинская, С. И. Слобожанюк, Э. В. Иванов, Ю. П. Яковлев, “Увеличение мощности излучения светодиодов ($\lambda$ = 1.7–2.4 $\mu$m) за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb”, Письма в ЖТФ, 39:4 (2013),  39–45  mathnet  elib; A. V. Zolotukhin, V. V. Sherstnev, K. A. Savel'eva, E. A. Grebenshchikova, O. Yu. Serebrennikova, N. D. Il'inskaya, S. I. Slobozhanyuk, È. V. Ivanov, Yu. P. Yakovlev, “Increasing output power of LEDs ($\lambda$ = 1.7–2.4 $\mu$m) by changing directions of reflected light fluxes in GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 39:2 (2013), 203–205 1
2018
22. L. V. Danilov, M. P. Mikhailova, R. V. Levin, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, I. A. Andreev, B. V. Pushnyi, G. G. Zegrya, “Enhancement of photoconductivity by carrier screening effect in $n$-GaSb/$n$-InAs/$p$-GaSb heterostructure with single deep quantum well”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  476  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 493–496 1

Организации