|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
П. В. Середин, К. А. Барков, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, А. А. Лебедев, Ш. Ш. Шарофидинов, А. М. Мизеров, И. А. Касаткин, T. Prutskij, “Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 704–710   ; P. V. Seredin, K. A. Barkov, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, A. A. Lebedev, Sh. Sh. Sharofidinov, A. M. Mizerov, I. A. Kasatkin, T. Prutskij, “Effect of pretreatment of the silicon substrate on the properties of GaN films grown by chloride–hydride vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 55:12 (2021), 995–1001 |
|
2018 |
| 2. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, T. Prutskij, Ю. А. Ипполитов, “Единовременный анализ микрообластей кариозного дентина методами лазерно-индуцированной флуоресценции и рамановской спектромикроскопии”, Оптика и спектроскопия, 125:5 (2018), 708–715 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, T. Prutskij, Yu. A. Ippolitov, “A simultaneous analysis of microregions of carious dentin by the methods of laser-induced fluorescence and Raman spectromicroscopy”, Optics and Spectroscopy, 125:5 (2018), 803–809 |
7
|
|
2017 |
| 3. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, А. Н. Лукин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, T. Prutskij, “Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1160–1167 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, T. Prutskij, “Experimental studies of the effects of atomic ordering in epitaxial Ga$_{x}$In$_{1-x}$P on their optical properties”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1111–1118 |
1
|
| 4. |
П. В. Середин, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Д. Н. Николаев, T. Prutskij, “Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их структурные и морфологические свойства”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1131–1137 ; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, D. N. Nikolaev, T. Prutskij, “Experimental studies of the effects of atomic ordering in epitaxial Ga$_{x}$In$_{1-x}$P alloys on their structural and morphological properties”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1087–1092 |
2
|
| 5. |
П. В. Середин, А. С. Леньшин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, И. С. Тарасов, В. В. Шамахов, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Эпитаксиальные твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg с различным типом проводимости”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 124–132 ; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, I. S. Tarasov, V. V. Shamakhov, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Epitaxial Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg alloys with different conductivity types”, Semiconductors, 51:1 (2017), 122–130 |
|
2016 |
| 6. |
П. В. Середин, А. В. Федюкин, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, И. С. Тарасов, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 869–876 ; P. V. Seredin, A. V. Fedyukin, I. N. Arsent'ev, L. S. Vavilova, I. S. Tarasov, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Structural and optical properties of GaAs(100) with a thin surface layer doped with chromium”, Semiconductors, 50:7 (2016), 853–859 |
2
|
|
2014 |
| 7. |
П. В. Середин, А. С. Леньшин, А. В. Глотов, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, И. С. Тарасов, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke, “Структурные и оптические свойства высоколегированных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$ : Mg, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1123–1131 ; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, A. V. Glotov, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, I. S. Tarasov, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke, “Structural and optical properties of heavily doped Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$:Mg alloys produced by metal-organic chemical vapor deposition”, Semiconductors, 48:8 (2014), 1094–1102 |
10
|
| 8. |
П. В. Середин, А. В. Глотов, А. С. Леньшин, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Структура и оптические свойства гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$)$_{1-z}$Si$_z$, полученных методом MOCVD”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 23–31 ; P. V. Seredin, A. V. Glotov, A. S. Len'shin, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Structure and optical properties of heterostructures based on MOCVD (Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$)$_{1-z}$Si$_z$ alloys”, Semiconductors, 48:1 (2014), 21–29 |
26
|
|
2013 |
| 9. |
П. В. Середин, Э. П. Домашевская, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, А. Л. Станкевич, T. Prutskij, “Сверхструктурное упорядочение в твердых растворах Al$_x$Ga$_{1-x}$As и Ga$_x$In$_{1-x}$P”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 3–8 ; P. V. Seredin, È. P. Domashevskaya, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, A. L. Stankevich, T. Prutskij, “Superstructured ordering in Al$_x$Ga$_{1-x}$As and Ga$_x$In$_{1-x}$P alloys”, Semiconductors, 47:1 (2013), 1–6 |
20
|
|
|
| 10. |
П. В. Середин, Э. П. Домашевская, В. Е. Терновая, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, И. С. Тарасов, T. Prutskij, “Фотолюминесцентные свойства высоколегированных гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$Si$_y$”, Физика твердого тела, 55:10 (2013), 2054–2057 ; P. V. Seredin, È. P. Domashevskaya, V. E. Ternovaya, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, I. S. Tarasov, T. Prutskij, “Photoluminescence properties of heavily doped heterostructures based on (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$Si$_y$ solid solutions”, Phys. Solid State, 55:10 (2013), 2169–2172 |
10
|
| 11. |
П. В. Середин, В. Е. Терновая, А. В. Глотов, А. С. Леньшин, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, И. С. Тарасов, H. Leiste, T. Prutskij, “Рентгеноструктурные исследования гетероструктур на основе твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$ : Si”, Физика твердого тела, 55:10 (2013), 2046–2049 ; P. V. Seredin, V. E. Ternovaya, A. V. Glotov, A. S. Len'shin, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, I. S. Tarasov, H. Leiste, T. Prutskij, “X-ray diffraction studies of heterostructures based on solid solutions Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$ : Si”, Phys. Solid State, 55:10 (2013), 2161–2164 |
16
|
|
