Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Потапов Александр Сергеевич
кандидат физико-математических наук (2004)
Специальность ВАК: 01.04.07 (физика конденсированного состояния)

Научная биография:

Потапов, Александр Сергеевич. Релаксация электронных возбуждений в $Pr^{3+}$-содержащих люминофорах : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Санкт-Петербург, 2004. - 141 с. : ил.

https://www.mathnet.ru/rus/person186279
Список публикаций на Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=118065

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2020
1. П. А. Иванов, А. С. Потапов, Н. М. Лебедева, И. В. Грехов, “Лавинный пробой в 4$H$-SiC диодах Шоттки: вопросы надежности”, ЖТФ, 90:12 (2020),  2133–2138  mathnet  elib; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, N. M. Lebedeva, I. V. Grekhov, “Avalanche breakdown in 4$H$-SiC Schottky diodes: reliability aspects”, Tech. Phys., 65:12 (2020), 2041–2046 2
2. Н. Д. Ильинская, Н. М. Лебедева, Ю. М. Задиранов, П. А. Иванов, Т. П. Самсонова, О. И. Коньков, А. С. Потапов, “Микропрофилирование 4$H$-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  97–102  mathnet  elib; N. D. Il'inskaya, N. M. Lebedeva, Yu. M. Zadiranov, P. A. Ivanov, T. P. Samsonova, O. I. Kon'kov, A. S. Potapov, “Micro-profiling of 4$H$-SiC by dry etching to form a Schottky barrier diode”, Semiconductors, 54:1 (2020), 144–149 3
2019
3. П. А. Иванов, М. Ф. Кудояров, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, “Коррекция характеристик обратного восстановления высоковольтных инжекционных 4$H$-SiC диодов с помощью протонного облучения”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  862–864  mathnet  elib; P. A. Ivanov, M. F. Kudoyarov, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, “Correction of the reverse recovery characteristics of high-voltage 4$H$-SiC junction diodes using proton irradiation”, Semiconductors, 53:6 (2019), 850–852 1
4. П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, “Моделирование переходных процессов в полупроводниковых приборах на основе 4$H$-SiC (учет неполной ионизации легирующих примесей в модуле ATLAS программного пакета SILVACO TCAD)”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  407–410  mathnet  elib; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, “Simulation of transient processes in 4$H$-SiC based semiconductor devices (taking into account the incomplete ionization of dopants in the atlas module of the SILVACO TCAD software package)”, Semiconductors, 53:3 (2019), 385–387 1
2018
5. П. А. Иванов, А. С. Потапов, И. В. Грехов, “Влияние частичной ионизации легирующих примесей в 4H-SiC на емкость обратносмещенного $p^{+}$–$i$–$n^{+}$-диода”, ЖТФ, 88:6 (2018),  955–958  mathnet  elib; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, I. V. Grekhov, “Influence of dopant incomplete ionization on the capacitance of a reverse-biased 4H-SiC $p^{+}$–$i$–$n^{+}$ diode”, Tech. Phys., 63:6 (2018), 928–931 2
6. П. А. Иванов, Т. П. Самсонова, А. С. Потапов, “Устойчивость высоковольтных (1430 В) 4$H$-SiC $p^{+}$–$n_{0}$–$n^{+}$-диодов к лавинному пробою”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1527–1531  mathnet  elib; P. A. Ivanov, T. P. Samsonova, A. S. Potapov, “Avalanche breakdown stability of high voltage (1430 V) 4$H$-SiC $p^{+}$–$n_{0}$–$n^{+}$ diodes”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1630–1634 2
7. П. А. Иванов, А. С. Потапов, М. Ф. Кудояров, Т. П. Самсонова, “Влияние низкодозного протонного облучения на характеристики инжекционных диодов на основе 4$H$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1187–1190  mathnet  elib; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, M. F. Kudoyarov, T. P. Samsonova, “Effect of low-dose proton irradiation on the electrical characteristics of 4$H$-SiC junction diodes”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1307–1310 3
8. П. А. Иванов, А. С. Потапов, М. Ф. Кудояров, М. А. Козловский, Т. П. Самсонова, “Влияние термообработки на электрические характеристики полуизолирующих слоев, полученных с помощью облучения $n$-SiC высокоэнергетическими ионами аргона”, Письма в ЖТФ, 44:6 (2018),  11–16  mathnet  elib; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, M. F. Kudoyarov, M. A. Kozlovskii, T. P. Samsonova, “The influence of heat treatment on the electrical characteristics of semi-insulating sic layers obtained by irradiating $n$-SiC with high-energy argon ions”, Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 229–231 5
9. П. А. Иванов, О. И. Коньков, Т. П. Самсонова, А. С. Потапов, “Высоковольтные (1600 V) размыкатели тока с субнаносекундным (150 ps) быстродействием на основе 4$H$-SiC”, Письма в ЖТФ, 44:3 (2018),  3–8  mathnet  elib; P. A. Ivanov, O. I. Kon'kov, T. P. Samsonova, A. S. Potapov, “4$H$-SiC based subnanosecond (150 ps) high-voltage (1600 V) current breakers”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 87–89 11
2017
10. П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, И. В. Грехов, “Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4$H$-SiC $p^{+}$–$n_{0}$–$n^{+}$-диодов в режиме лавинного пробоя”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  390–394  mathnet  elib; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, I. V. Grekhov, “Current–voltage characteristics of high-voltage 4$H$-SiC $p^{+}$–$n_{0}$–$n^{+}$ diodes in the avalanche breakdown mode”, Semiconductors, 51:3 (2017), 374–378 6
2016
11. П. А. Иванов, М. Ф. Кудояров, М. А. Козловский, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, “Полуизолирующие слои 4$H$-SiC, полученные имплантацией высокоэнергетичных (53 МэВ) ионов аргона в эпитаксиальные пленки $n$-типа проводимости”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  937–940  mathnet  elib; P. A. Ivanov, M. F. Kudoyarov, M. A. Kozlovskii, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, “Semi-insulating 4$H$-SiC layers formed by the implantation of high-energy (53 MeV) argon ions into $n$-type epitaxial films”, Semiconductors, 50:7 (2016), 920–923 6
12. П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, И. В. Грехов, “Полевая зависимость дрейфовой скорости электронов в 4$H$-SiC вдоль оси $c$”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  900–904  mathnet  elib; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, I. V. Grekhov, “Field dependence of the electron drift velocity along the hexagonal axis of 4$H$-SiC”, Semiconductors, 50:7 (2016), 883–887 4
2015
13. П. А. Иванов, О. И. Коньков, Т. П. Самсонова, А. С. Потапов, И. В. Грехов, “Динамические характеристики дрейфовых диодов с резким восстановлением на основе 4H-SiC”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1558–1562  mathnet  elib; P. A. Ivanov, O. I. Kon'kov, T. P. Samsonova, A. S. Potapov, I. V. Grekhov, “Dynamic characteristics of 4H-SiC drift step recovery diodes”, Semiconductors, 49:11 (2015), 1511–1515 7
14. П. А. Иванов, А. С. Потапов, А. Е. Николаев, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, А. Ф. Цацульников, А. В. Афанасьев, А. А. Романов, Е. В. Осачев, “Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/Al$_2$O$_3$/$n$-GaN”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1061–1064  mathnet  elib; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, A. E. Nikolaev, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, A. F. Tsatsul'nikov, A. V. Afanasyev, A. A. Romanov, E. V. Osachev, “Capacitance-voltage characteristics of (Al/Ti)/Al$_2$O$_3$/$n$-GaN MIS structures”, Semiconductors, 49:8 (2015), 1035–1038 1
15. П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, “Влияние ударной ионизации примесей на динамические характеристики $p^+$–$n$–$n^+$-диодов на основе 4H-SiC при низкой температуре (77 K)”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  999–1002  mathnet  elib; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, “Effect of impurity impact ionization on the dynamic characteristics of 4H-SiC $p^+$–$n$–$n^+$ diodes at low temperatures (77 K)”, Semiconductors, 49:7 (2015), 976–979
16. П. А. Иванов, Т. П. Самсонова, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, О. И. Коньков, А. С. Потапов, “Сопротивление 4H-SiC барьеров Шоттки при высоких плотностях прямого тока”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  951–955  mathnet  elib; P. A. Ivanov, T. P. Samsonova, N. D. Il'inskaya, O. Yu. Serebrennikova, O. I. Kon'kov, A. S. Potapov, “Resistance of 4H-SiC Schottky barriers at high forward-current densities”, Semiconductors, 49:7 (2015), 930–934
2013
17. П. А. Иванов, Н. Д. Ильинская, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, “Влияние быстрой термообработки на вольт-амперные характеристики 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  83–86  mathnet  elib; P. A. Ivanov, N. D. Il'inskaya, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, A. V. Afanasyev, V. A. Ilyin, “Effect of rapid thermal annealing on the current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky diodes”, Semiconductors, 47:1 (2013), 81–84 8
2012
18. П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, “Низкотемпературные (77–300 K) вольт-амперные характеристики $p^+$–$p$–$n^+$-диодов на основе 4H-SiC: влияние примесного пробоя в $p$-базе”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  548–550  mathnet  elib; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, “Low-temperature (77–300 K) current-voltage characteristics of 4H-SiC $p^+$–$p$–$n^+$ diodes: Effect of impurity breakdown in the $p$-type base”, Semiconductors, 46:4 (2012), 532–534
19. П. А. Иванов, И. В. Грехов, А. С. Потапов, О. И. Коньков, Н. Д. Ильинская, Т. П. Самсонова, O. Korolkov, N. Sleptsuk, “Токи утечки в 4H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки–($p$–$n$-структурой)”, Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  411–415  mathnet  elib; P. A. Ivanov, I. V. Grekhov, A. S. Potapov, O. I. Kon'kov, N. D. Il'inskaya, T. P. Samsonova, O. Korolkov, N. Sleptsuk, “Leakage currents in 4H-SiC JBS diodes”, Semiconductors, 46:3 (2012), 397–400 10

Организации