|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
А. В. Шиляев, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. А. Грешнов, “Влияние флуктуаций состава на излучательную рекомбинацию в узкозонных полупроводниковых твердых растворах”, ЖТФ, 87:3 (2017), 419–426   ; A. V. Shilyaev, K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, A. A. Greshnov, “Effect of composition fluctuations on radiative recombination in narrow-gap semiconductor solid solutions”, Tech. Phys., 62:3 (2017), 441–448 |
3
|
|
2016 |
| 2. |
К. Д. Мынбаев, С. В. Заблоцкий, А. В. Шиляев, Н. Л. Баженов, М. В. Якушев, Д. В. Марин, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, “Дефекты в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 208–211 ; K. J. Mynbaev, S. V. Zablotsky, A. V. Shilyaev, N. L. Bazhenov, M. V. Yakushev, D. V. Marin, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, “Defects in mercury-cadmium telluride heteroepitaxial structures grown by molecular-beam epitaxy on silicon substrates”, Semiconductors, 50:2 (2016), 208–211 |
7
|
|
2015 |
| 3. |
К. Д. Мынбаев, А. В. Шиляев, Н. Л. Баженов, А. И. Ижнин, И. И. Ижнин, Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, “Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 379–384 ; K. J. Mynbaev, A. V. Shilyaev, N. L. Bazhenov, A. I. Izhnin, I. I. Izhnin, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, “Acceptor states in heteroepitaxial CdHgTe films grown by molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 49:3 (2015), 367–372 |
11
|
|
2013 |
| 4. |
К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. В. Шиляев, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, В. Г. Ремесник, В. С. Варавин, “Высокотемпературная фотолюминесценция твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией”, ЖТФ, 83:10 (2013), 147–150 ; K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, A. V. Shilyaev, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev, V. G. Remesnik, V. S. Varavin, “High-temperature photoluminescence of CdHgTe solid solutions grown by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys., 58:10 (2013), 1536–1539 |
5
|
|
2012 |
| 5. |
И. И. Ижнин, К. Д. Мынбаев, М. В. Якушев, А. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, Н. Л. Баженов, А. В. Шиляев, Г. В. Савицкий, R. Jakiela, А. В. Сорочкин, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, “Электрические и оптические свойства пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на кремниевых подложках”, Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012), 1363–1367 ; I. I. Izhnin, K. J. Mynbaev, M. V. Yakushev, A. I. Izhnin, E. I. Fitsych, N. L. Bazhenov, A. V. Shilyaev, G. V. Savitskii, R. Jakiela, A. V. Sorochkin, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, “Electrical and optical properties of CdHgTe films grown by molecular-beam epitaxy on silicon substrates”, Semiconductors, 46:10 (2012), 1341–1345 |
5
|
| 6. |
Н. Л. Баженов, А. В. Шиляев, К. Д. Мынбаев, Г. Г. Зегря, “Оптические переходы в квантовых ямах на основе Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te и их анализ с учетом особенностей зонной структуры”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 792–797 ; N. L. Bazhenov, A. V. Shilyaev, K. J. Mynbaev, G. G. Zegrya, “Optical transitions in Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te-based quantum wells and their analysis with account for the actual band structure of the material”, Semiconductors, 46:6 (2012), 773–778 |
4
|
|
