Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Абросимов Николай Валентинович
E-mail:

https://www.mathnet.ru/rus/person58316
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2023
1. А. М. Гибин, Н. В. Абросимов, А. Д. Буланов, В. А. Гавва, “Теплопроводность монокристаллов изотопно-обогащенного германия $^{70}$Ge, $^{72}$Ge, $^{74}$Ge в интервале 80–310 K”, Физика твердого тела, 65:8 (2023),  1448–1452  mathnet  elib
2. Р. Х. Жукавин, В. В. Цыпленков, К. А. Ковалевский, Ю. А. Астров, А. Н. Лодыгин, В. Б. Шуман, Л. М. Порцель, Н. В. Абросимов, В. Н. Шастин, “Двойные доноры магния в кремнии как потенциальная активная среда в терагерцовом диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  455–460  mathnet  elib
2022
3. V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovski, S. B. Lastovskii, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, A. A. Aref'ev, “Boron-doped silicon: a possible way of testing and refining models of non-ionizing energy loss under electron- and proton irradiation”, Физика твердого тела, 64:12 (2022),  1915  mathnet
4. Р. Х. Жукавин, П. А. Бушуйкин, В. Д. Кукотенко, Ю. Ю. Чопорова, Н. Дессманн, К. А. Ковалевский, В. В. Цыпленков, В. В. Герасимов, Б. А. Князев, Н. В. Абросимов, В. Н. Шастин, “Обнаружение осцилляций Рамсея в германии, легированном мелкими донорами, при возбуждении перехода $1s\to2p_0$”, Письма в ЖЭТФ, 116:3 (2022),  139–145  mathnet; R. Kh. Zhukavin, P. A. Bushuikin, V. D. Kukotenko, Yu. Yu. Choporova, N. Deßmann, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, V. V. Gerasimov, B. A. Knyazev, N. V. Abrosimov, V. N. Shastin, “Detection of Ramsey oscillations in germanium doped with shallow donors upon the excitation of the $1s\to2p_0$ transition”, JETP Letters, 116:3 (2022), 137–143 1
5. В. Б. Шуман, А. А. Лаврентьев, А. А. Яковлева, N. V. Abrosimov, А. Н. Лодыгин, Л. М. Порцель, Ю. А. Астров, “Растворимость магния в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  858–861  mathnet  elib; V. B. Shuman, A. A. Lavrent'ev, A. A. Yakovleva, N. V. Abrosimov, A. N. Lodygin, L. M. Portsel', Yu. A. Astrov, “Solubility of magnesium in silicon”, Semiconductors, 57:10 (2023), 465–468
2021
6. R. J. S. Abraham, V. B. Shuman, L. M. Portsel, A. N. Lodygin, Yu. A. Astrov, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, S. Simmons, M. L. W. Thewalt, “Thermal activation of valley-orbit states of neutral magnesium in silicon”, Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021),  500  mathnet
7. Ю. А. Астров, Л. М. Порцель, В. Б. Шуман, А. Н. Лодыгин, Н. В. Абросимов, С. Г. Павлов, H.-W. Hübers, “Оптические сечения поглощения и силы осцилляторов двойного донора магния в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  299–303  mathnet  elib 1
2020
8. К. А. Ковалевский, Ю. Ю. Чопорова, Р. Х. Жукавин, Н. В. Абросимов, С. Г. Павлов, H.-W. Hübers, В. В. Цыпленков, В. Д. Кукотенко, Б. А. Князев, В. Н. Шастин, “Релаксация возбужденных состояний мышьяка в деформированном германии”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1145–1149  mathnet  elib; K. A. Kovalevsky, Yu. Yu. Choporova, R. Kh. Zhukavin, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, V. V. Tsyplenkov, V. D. Kukotenko, B. A. Knyazev, V. N. Shastin, “Relaxation of the excited states of arsenic in strained germanium”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1347–1351 1
9. А. А. Ежевский, П. Г. Сенников, Д. В. Гусейнов, А. В. Сухоруков, Е. А. Калинина, Н. В. Абросимов, “Поведение доноров лития в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1134–1138  mathnet  elib; A. A. Ezhevskii, P. G. Sennikov, D. V. Guseinov, A. V. Soukhorukov, E. A. Kalinina, N. V. Abrosimov, “Behavior of lithium donors in bulk single-crystal isotopically pure $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$ alloys”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1336–1340 1
10. А. А. Ежевский, П. Г. Сенников, Д. В. Гусейнов, А. В. Сухоруков, Е. А. Калинина, Н. В. Абросимов, “Поведение доноров фосфора в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  933–937  mathnet  elib; A. A. Ezhevskii, P. G. Sennikov, D. V. Guseinov, A. V. Soukhorukov, E. A. Kalinina, N. V. Abrosimov, “Behavior of phosphorus donors in bulk single-crystal monoisotopic $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$ alloys”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1123–1126 2
11. Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, С. Г. Павлов, N. Deßmann, A. Pohl, В. В. Цыпленков, Н. В. Абросимов, H. Riemann, H.-W. Hübers, В. Н. Шастин, “Перестройка спектра терагерцового стимулированного излучения при внутрицентровом оптическом возбуждении одноосно-деформированного Si : Bi”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  816–821  mathnet  elib; R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, S. G. Pavlov, N. Deßmann, A. Pohl, V. V. Tsyplenkov, N. V. Abrosimov, H. Riemann, H.-W. Hübers, V. N. Shastin, “Frequency tuning of terahertz stimulated emission under the intracenter optical excitation of uniaxially stressed Si:Bi”, Semiconductors, 54:8 (2020), 969–974 1
12. Л. М. Порцель, В. Б. Шуман, А. А. Лаврентьев, А. Н. Лодыгин, Н. В. Абросимов, Ю. А. Астров, “Исследование примеси магния в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  321–326  mathnet  elib; L. M. Portsel', V. B. Shuman, A. A. Lavrent'ev, A. N. Lodygin, N. V. Abrosimov, Yu. A. Astrov, “Investigation of the magnesium impurity in silicon”, Semiconductors, 54:4 (2020), 393–398 9
13. V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovski, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, “Vacancy-phosphorus complexes in electron-irradiated floating-zone $n$-type silicon: new points in annealing studies”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  45  mathnet  elib; Semiconductors, 54:1 (2020), 46–54 1
2019
14. Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, Ю. Ю. Чопорова, В. В. Цыпленков, В. В. Герасимов, П. А. Бушуйкин, Б. А. Князев, Н. В. Абросимов, С. Г. Павлов, Г.-В. Хьюберс, В. Н. Шастин, “Времена релаксации и инверсия населенностей возбужденных состояний доноров As в германии”, Письма в ЖЭТФ, 110:10 (2019),  677–682  mathnet  elib; R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevskii, Yu. Yu. Choporova, V. V. Tsyplenkov, V. V. Gerasimov, P. A. Bushuikin, B. A. Knyazev, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, V. N. Shastin, “Relaxation times and population inversion of excited states of arsenic donors in germanium”, JETP Letters, 110:10 (2019), 677–682  isi  scopus 13
15. Р. Х. Жукавин, С. Г. Павлов, A. Pohl, Н. В. Абросимов, H. Riemann, B. Redlich, H.-W. Hübers, В. Н. Шастин, “Стимулированное терагерцовое излучение доноров висмута в одноосно-деформированном кремнии при внутрицентровом оптическом возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1285–1288  mathnet  elib; R. Kh. Zhukavin, S. G. Pavlov, A. Pohl, N. V. Abrosimov, H. Riemann, B. Redlich, H.-W. Hübers, V. N. Shastin, “Stimulated terahertz emission of bismuth donors in uniaxially strained silicon under optical intracenter excitation”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1255–1257
16. В. Н. Шастин, Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, В. В. Цыпленков, В. В. Румянцев, Д. В. Шенгуров, С. Г. Павлов, В. Б. Шуман, Л. М. Порцель, А. Н. Лодыгин, Ю. А. Астров, Н. В. Абросимов, J. M. Klopf, H.-W. Hübers, “Химический сдвиг и энергия обменного взаимодействия $1s$ состояний доноров магния в кремнии. Возможность стимулированного излучения”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1263–1266  mathnet  elib; V. N. Shastin, R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, V. V. Rumyantsev, D. V. Shengurov, S. G. Pavlov, V. B. Shuman, L. M. Portsel', A. N. Lodygin, Yu. A. Astrov, N. V. Abrosimov, J. M. Klopf, H.-W. Hübers, “Chemical shift and exchange interaction energy of the $1s$ states of magnesium donors in silicon. The possibility of stimulated emission”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1234–1237 9
17. Н. А. Ярыкин, В. Б. Шуман, Л. М. Порцель, А. Н. Лодыгин, Ю. А. Астров, Н. В. Абросимов, J. Weber, “Исследование энергетического спектра кристаллов Si : Mg методом DLTS”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  799–804  mathnet  elib; N. A. Yarykin, V. B. Shuman, L. M. Portsel', A. N. Lodygin, Yu. A. Astrov, N. V. Abrosimov, J. Weber, “DLTS investigation of the energy spectrum of Si : Mg crystals”, Semiconductors, 53:6 (2019), 789–794 2
18. В. Б. Шуман, А. Н. Лодыгин, Л. М. Порцель, А. А. Яковлева, Н. В. Абросимов, Ю. А. Астров, “Распад твердого раствора межузельного магния в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  314–316  mathnet  elib; V. B. Shuman, A. N. Lodygin, L. M. Portsel', A. A. Yakovleva, N. V. Abrosimov, Yu. A. Astrov, “Decomposition of a solid solution of interstitial magnesium in silicon”, Semiconductors, 53:3 (2019), 296–297 3
2018
19. V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovski, D. S. Poloskin, G. A. Oganesyan, “Interaction rates of group-III and group-V impurities with intrinsic point defects in irradiated Si and Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1578  mathnet  elib; Semiconductors, 52:13 (2018), 1677–1685 2
2017
20. Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, С. М. Сергеев, Ю. Ю. Чопорова, В. В. Герасимов, В. В. Цыпленков, Б. А. Князев, Н. В. Абросимов, С. Г. Павлов, В. Н. Шастин, Г. Шнайдер, Н. Дессманн, О. А. Шевченко, Н. А. Винокуров, Г. Н. Кулипанов, Г.-В. Хьюберс, “Времена низкотемпературной внутрицентровой релаксации мелких доноров в Ge”, Письма в ЖЭТФ, 106:9 (2017),  555–560  mathnet  elib; R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevskii, S. M. Sergeev, Yu. Yu. Choporova, V. V. Gerasimov, V. V. Tsyplenkov, B. A. Knyazev, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, V. N. Shastin, H. Schneider, N. Deßmann, O. A. Shevchenko, N. A. Vinokurov, G. N. Kulipanov, H.-W. Hübers, “Low-temperature intracenter relaxation times of shallow donors in germanium”, JETP Letters, 106:9 (2017), 571–575  isi  scopus 15
2016
21. К. А. Ковалевский, Р. Х. Жукавин, В. В. Цыпленков, С. Г. Павлов, Г.-В. Хьюберс, Н. В. Абросимов, В. Н. Шастин, “Поляризация терагерцового стимулированного излучения доноров в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1701–1705  mathnet  elib; K. A. Kovalevsky, R. Kh. Zhukavin, V. V. Tsyplenkov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, N. V. Abrosimov, V. N. Shastin, “Polarization of the induced THz emission of donors in silicon”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1673–1677
22. V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovskii, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, “Some challenging points in the identification of defects in floating-zone $n$-type silicon irradiated with 8 and 15 Mev protons”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1313–1319  mathnet  elib; Semiconductors, 50:10 (2016), 1291–1298 8
23. Ю. М. Покотило, А. Н. Петух, В. В. Литвинов, В. П. Маркевич, Н. В. Абросимов, А. С. Камышан, А. В. Гиро, К. А. Соляникова, “Формирование доноров в твердых растворах германий–кремний, имплантированных ионами водорода различной энергии”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1143–1145  mathnet  elib; Yu. M. Pokotilo, A. N. Petukh, V. V. Litvinov, V. P. Markevich, N. V. Abrosimov, A. S. Kamyshan, A. V. Giro, K. A. Solyanikova, “Formation of donors in germanium–silicon alloys implanted with hydrogen ions with different energies”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1122–1124
24. А. П. Деточенко, С. А. Денисов, М. Н. Дроздов, А. И. Машин, В. А. Гавва, А. Д. Буланов, А. В. Нежданов, А. А. Ежевский, М. В. Степихова, В. Ю. Чалков, В. Н. Трушин, Д. В. Шенгуров, В. Г. Шенгуров, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: получение и некоторые свойства”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  350–353  mathnet  elib; A. P. Detochenko, S. A. Denisov, M. N. Drozdov, A. I. Mashin, V. A. Gavva, A. D. Bulanov, A. V. Nezhdanov, A. A. Ezhevskii, M. V. Stepikhova, V. Yu. Chalkov, V. N. Trushin, D. V. Shengurov, V. G. Shengurov, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Epitaxially grown monoisotopic Si, Ge, and Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ alloy layers: production and some properties”, Semiconductors, 50:3 (2016), 345–348 4
25. А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, Р. Х. Жукавин, В. Н. Шастин, Д. В. Шенгуров, Н. В. Абросимов, “Терагерцовое излучение при примесном пробое в Si(Li)”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  18–23  mathnet  elib; A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, D. V. Shengurov, N. V. Abrosimov, “Terahertz emission at impurity electrical breakdown in Si(Li)”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1031–1033
2015
26. Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, М. Л. Орлов, В. В. Цыпленков, Н. А. Бекин, А. Н. Яблонский, П. А. Юнин, S. G. Pavlov, N. V. Abrosimov, H.-W. Hubers, H. H. Radamson, В. Н. Шастин, “Спонтанное излучение терагерцового диапазона частот при оптическом возбуждении доноров в SiGe/Si и одноосно-деформированном объемном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  15–20  mathnet  elib; R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, M. L. Orlov, V. V. Tsyplenkov, N. A. Bekin, A. N. Yablonskii, P. A. Yunin, S. G. Pavlov, N. V. Abrosimov, H.-W. Hubers, H. H. Radamson, V. N. Shastin, “Terahertz-range spontaneous emission under the optical excitation of donors in uniaxially stressed bulk silicon and SiGe/Si heterostructures”, Semiconductors, 49:1 (2015), 13–18
27. К. А. Ковалевский, Н. В. Абросимов, Р. Х. Жукавин, С. Г. Павлов, Г. -В. Хьюберс, В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “Терагерцевые лазеры на внутрицентровых переходах доноров V группы в одноосно деформированном кремнии”, Квантовая электроника, 45:2 (2015),  113–120  mathnet  elib [K. A. Kovalevsky, N. V. Abrosimov, R. Kh. Zhukavin, S. G. Pavlov, H. -W. Hübers, V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “Terahertz lasers based on intracentre transitions of group V donors in uniaxially deformed silicon”, Quantum Electron., 45:2 (2015), 113–120  isi  scopus] 6
2014
28. А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, Р. Х. Жукавин, В. Н. Шастин, Н. В. Абросимов, А. В. Бобылев, “Терагерцовая внутрицентровая фотолюминесценция кремния с литием при межзонном возбуждении”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  876–880  mathnet  elib; A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, N. V. Abrosimov, A. V. Bobylev, “Terahertz intracenter photoluminescence of silicon with lithium at interband excitation”, JETP Letters, 100:12 (2014), 771–775  isi  elib  scopus 6
29. V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovskii, G. A. Oganesyan, “Electrical properties of diluted $n$- and $p$-Si$_{1-x}$Ge$_x$ at small $x$”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1592–1596  mathnet  elib; Semiconductors, 48:12 (2014), 1552–1556 3
30. V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovskii, G. A. Oganesyan, “Vacancy-donor pairs and their formation in irradiated $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1473–1478  mathnet  elib; Semiconductors, 48:11 (2014), 1438–1443 12
2013
31. К. А. Ковалевский, Р. Х. Жукавин, В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, Н. В. Абросимов, Г. Риман, С. Г. Павлов, Г.-В. Хьюберс, “Лазеры на мелких донорах в одноосно-деформированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  199–205  mathnet  elib; K. A. Kovalevsky, R. Kh. Zhukavin, V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, N. V. Abrosimov, H. Riemann, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, “Shallow-donor lasers in uniaxially stressed silicon”, Semiconductors, 47:2 (2013), 235–241 6
32. А. А. Ежевский, С. А. Попков, А. В. Сухоруков, Д. В. Гуссейнов, В. А. Гавва, А. В. Гусев, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Моноизотопный кремний $^{28}$Si в спектроскопии спинового резонанса электронов, локализованных на донорах”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  168–173  mathnet  elib; A. A. Ezhevskii, S. A. Popkov, A. V. Soukhorukov, D. V. Guseinov, V. A. Gavva, A. V. Gusev, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Monoisotopic silicon $^{28}$Si in spin resonance spectroscopy of electrons localized at donors”, Semiconductors, 47:2 (2013), 203–208 3
2012
33. А. А. Ежевский, С. А. Попков, А. В. Сухоруков, Д. В. Гусейнов, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Исследование структуры основного состояния донорного центра лития в кремнии, обогащенном изотопом $^{28}$Si, и влияния на нее внутренних деформаций кристалла”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1468–1474  mathnet  elib; A. A. Ezhevskii, S. A. Popkov, A. V. Soukhorukov, D. V. Guseinov, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Investigation of the structure of the ground state of lithium donor centers in silicon enriched in $^{28}$Si isotope and the influence of internal strain in the crystal on this structure”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1437–1442 4
2009
34. Б. А. Андреев, А. А. Ежевский, Н. В. Абросимов, П. Г. Сенников, Х.-Й. Поль, “Зависимость энергии резонансных состояний акцептора в кремнии от изотопного состава матрицы”, Письма в ЖЭТФ, 90:6 (2009),  501–504  mathnet; B. A. Andreev, A. A. Ezhevskii, N. V. Abrosimov, P. G. Sennikov, H. Pol, “Dependence of the energy of the resonance states of an acceptor in silicon on the host isotopic mass”, JETP Letters, 90:6 (2009), 455–458  isi  scopus

Доклады и лекции в базе данных Math-Net.Ru
1. Фуллерен C60 и другие многогранники с симметриями
Н. В. Абросимов
Школа-конференция «Геометрическая теория управления и анализ на метрических структурах»
29 июля 2014 г. 16:20   

Организации