|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
В. П. Мартовицкий, Ю. Г. Садофьев, А. В. Клековкин, В. В. Сарайкин, И. С. Васильевский, “Исследование устойчивости метастабильных эпитаксиальных слоев GeSn к термическим воздействиям”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1570–1575   ; V. P. Martovitskii, Yu. G. Sadof'ev, A. V. Klekovkin, V. V. Saraikin, I. S. Vasil'evskii, “Investigation of the thermal stability of metastable GeSn epitaxial layers”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1548–1553 |
| 2. |
А. А. Ластовкин, А. В. Иконников, А. В. Антонов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, Ю. Г. Садофьев, “Перестройка частоты излучения терагерцового квантового каскадного лазера”, Письма в ЖТФ, 42:5 (2016), 15–23 ; A. A. Lastovkin, A. V. Ikonnikov, A. V. Antonov, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, Yu. G. Sadof'ev, “Variation of the emission frequency of a terahertz quantum cascade laser”, Tech. Phys. Lett., 42:3 (2016), 230–233 |
1
|
|
2015 |
| 3. |
К. Е. Спирин, С. С. Криштопенко, Ю. Г. Садофьев, О. Драченко, M. Helm, F. Teppe, W. Knap, В. И. Гавриленко, “Циклотронный резонанс в квантовых ямах InAs/AlSb в магнитных полях до 45 Тл”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1665–1671 ; K. E. Spirin, S. S. Krishtopenko, Yu. G. Sadof'ev, O. Drachenko, M. Helm, F. Teppe, W. Knap, V. I. Gavrilenko, “Cyclotron resonance in InAs/AlSb quantum wells in magnetic fields up to 45 T”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1616–1622 |
| 4. |
Ю. Г. Садофьев, В. П. Мартовицкий, А. В. Клековкин, В. В. Сарайкин, И. С. Васильевский, “Наноструктуры Ge/GeSn с высоким содержанием олова, выращенные на подложках (001) GaAs и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1612–1618 ; Yu. G. Sadof'ev, V. P. Martovitskii, A. V. Klekovkin, V. V. Saraikin, I. S. Vasil'evskii, “Sn-enriched Ge/GeSn nanostructures grown by MBE on (001) GaAs and Si wafers”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1564–1570 |
4
|
| 5. |
Ю. Г. Садофьев, В. П. Мартовицкий, М. А. Базалевский, А. В. Клековкин, Д. В. Аверьянов, И. С. Васильевский, “Гетероструктуры Ge/GeSn, выращенные на Si (100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 128–133 ; Yu. G. Sadof'ev, V. P. Martovitskii, M. A. Bazalevsky, A. V. Klekovkin, D. V. Averyanov, I. S. Vasil'evskii, “Ge/GeSn heterostructures grown on Si (100) by molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 49:1 (2015), 124–129 |
11
|
|
2014 |
| 6. |
Ю. А. Алещенко, В. В. Капаев, М. В. Кочиев, Ю. Г. Садофьев, В. А. Цветков, “Кинетика фотолюминесценции многопериодных структур
GaAs/AlGaAs с асимметричными барьерами, перспективных для создания
униполярных лазеров”, Письма в ЖЭТФ, 99:4 (2014), 207–212 ; Yu. A. Aleshchenko, V. V. Kapaev, M. V. Kochiev, Yu. G. Sadof'ev, V. A. Tsvetkov, “Photoluminescence kinetics of multiperiod GaAs/AlGaAs structures with asymmetric barriers promising for making unipolar lasers”, JETP Letters, 99:4 (2014), 182–186   |
| 7. |
К. В. Маремьянин, Д. И. Крыжков, С. В. Морозов, С. М. Сергеев, Д. И. Курицын, Д. М. Гапонова, В. Я. Алешкин, Ю. Г. Садофьев, “Исследование квантово-каскадных структур GaAs/AlGaAs оптическими методами на основе горячей люминесценции в ближнем ИК диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1499–1502 ; K. V. Marem'yanin, D. I. Kryzhkov, S. V. Morozov, S. M. Sergeev, D. I. Kuritsyn, D. M. Gaponova, V. Ya. Aleshkin, Yu. G. Sadof'ev, “Investigation of GaAs/AlGaAs quantum cascade structures by optical methods based on hot luminescence in the near-infrared range”, Semiconductors, 48:11 (2014), 1463–1466 |
|
2012 |
| 8. |
Д. И. Крыжков, С. В. Морозов, Д. М. Гапонова, С. М. Сергеев, Д. И. Курицын, К. В. Маремьянин, В. И. Гавриленко, Ю. Г. Садофьев, “Диагностика квантовых каскадных структур оптическими методами в ближнем инфракрасном диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1440–1443 ; D. I. Kryzhkov, S. V. Morozov, D. M. Gaponova, S. M. Sergeev, D. I. Kuritsyn, K. V. Marem'yanin, V. I. Gavrilenko, Yu. G. Sadof'ev, “Diagnostics of quantum cascade structures by optical methods in the near infrared region”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1411–1414 |
2
|
| 9. |
Д. В. Ушаков, Ю. Г. Садофьев, N. Samal, “Исследование способов уменьшения частоты генерации терагерцового квантово-каскадного лазера с каскадом, состоящим из двух квантовых ям”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1430–1434 ; D. V. Ushakov, Yu. G. Sadof'ev, N. Samal, “Study of methods for lowering the lasing frequency of a terahertz quantum-cascade laser based on two quantum wells”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1402–1406 |
1
|
| 10. |
К. Е. Спирин, К. П. Калинин, С. С. Криштопенко, К. В. Маремьянин, В. И. Гавриленко, Ю. Г. Садофьев, “Особенности остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами с туннельно-прозрачным барьером”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1424–1429 ; K. E. Spirin, K. P. Kalinin, S. S. Krishtopenko, K. V. Marem'yanin, V. I. Gavrilenko, Yu. G. Sadof'ev, “Features of the persistent photoconductivity in InAs/AlSb heterostructures with double quantum wells and a tunneling-transparent barrier”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1396–1401 |
19
|
| 11. |
С. В. Морозов, Д. И. Крыжков, В. И. Гавриленко, А. Н. Яблонский, Д. И. Курицын, Д. М. Гапонова, Ю. Г. Садофьев, Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, “Определение оптическими методами типа гетероперехода в структурах с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs с различной долей сурьмы”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1402–1407 ; S. V. Morozov, D. I. Kryzhkov, V. I. Gavrilenko, A. N. Yablonskii, D. I. Kuritsyn, D. M. Gaponova, Yu. G. Sadof'ev, B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, “Determination of the heterojunction type in structures with GaAsSb/GaAs quantum wells with various antimony fractions by optical methods”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1376–1380 |
4
|
| 12. |
Ю. Г. Садофьев, “Сопоставление различных концепций выращивания квантовых точек InAs на GaAs для лазеров диапазона 1.3 мкм”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1393–1397 ; Yu. G. Sadof'ev, “Comparison of different concepts of InAs quantum dot growth on GaAs for 1.3-$\mu$m-range lasers”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1367–1371 |
2
|
| 13. |
С. С. Криштопенко, К. П. Калинин, В. И. Гавриленко, Ю. Г. Садофьев, M. Goiran, “Спиновое расщепление Рашбы и обменное усиление $g$-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012), 1186–1193 ; S. S. Krishtopenko, K. P. Kalinin, V. I. Gavrilenko, Yu. G. Sadof'ev, M. Goiran, “Rashba spin splitting and exchange enhancement of the $g$ factor in InAs/AlSb heterostructures with a two-dimensional electron gas”, Semiconductors, 46:9 (2012), 1163–1170 |
20
|
|
2010 |
| 14. |
А. В. Иконников, А. А. Ластовкин, К. Е. Спирин, М. С. Жолудев, В. В. Румянцев, К. В. Маремьянин, А. В. Антонов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Садофьев, N. Samal, “Терагерцовая спектроскопия узкозонных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe”, Письма в ЖЭТФ, 92:11 (2010), 837–841 ; A. V. Ikonnikov, A. A. Lastovkin, K. E. Spirin, M. S. Zholudev, V. V. Rumyantsev, K. V. Marem'yanin, A. V. Antonov, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, Yu. G. Sadof'ev, N. Samal, JETP Letters, 92:11 (2010), 756–761 |
29
|
| 15. |
Ю. А. Алещенко, В. В. Капаев, Ю. В. Копаев, Ю. Г. Садофьев, М. Л. Скориков, “Многопериодная структура для фонтанного режима генерации униполярного лазера”, Квантовая электроника, 40:8 (2010), 685–690 [Yu. A. Aleshchenko, V. V. Kapaev, Yu. V. Kopaev, Yu. G. Sadof'ev, M. L. Skorikov, “Multiperiodic structure for unipolar fountain laser”, Quantum Electron., 40:8 (2010), 685–690 ] |
3
|
|
