|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2014 |
| 1. |
Е. С. Демидов, В. В. Подольский, В. П. Лесников, Е. Д. Павлова, А. И. Бобров, В. В. Карзанов, Н. В. Малехонова, А. А. Тронова, “Электронография высокотемпературного алмазоподобного ферромагнетика на основе кремния с самоорганизованным сверхрешеточным распределением примеси марганца”, Письма в ЖЭТФ, 100:11 (2014), 818–823   ; E. S. Demidov, V. V. Podol'skii, V. P. Lesnikov, E. D. Pavlova, A. I. Bobrov, V. V. Karzanov, N. V. Malekhonova, A. A. Tronova, “Electron diffraction study of a high-temperature diamond-like silicon ferromagnet with the self-organized superlattice distribution of manganese impurity”, JETP Letters, 100:11 (2014), 719–723   |
4
|
|
2013 |
| 2. |
Е. Д. Павлова, А. П. Горшков, А. И. Бобров, Н. В. Малехонова, Б. Н. Звонков, “Исследование гетероструктур с комбинированным слоем квантовых точек/квантовой ямы In(Ga)As/GaAs и $\delta$-слоем Mn”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1617–1620 ; E. D. Pavlova, A. P. Gorshkov, A. I. Bobrov, N. V. Malekhonova, B. N. Zvonkov, “Study of heterostructures with a combined In(Ga)As/GaAs quantum dot/quantum well layer and a Mn $\delta$ layer”, Semiconductors, 47:12 (2013), 1591–1594 |
3
|
| 3. |
А. И. Бобров, Е. Д. Павлова, А. В. Кудрин, Н. В. Малехонова, “Исследования структуры ферромагнитного слоя GaMnSb”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1613–1616 ; A. I. Bobrov, E. D. Pavlova, A. V. Kudrin, N. V. Malekhonova, “Structural studies of a ferromagnetic GaMnSb layer”, Semiconductors, 47:12 (2013), 1587–1590 |
7
|
|
2012 |
| 4. |
Е. С. Демидов, Е. Д. Павлова, А. И. Бобров, “Высокотемпературный алмазоподобный ферромагнетик на основе Si с
самоорганизованным сверхрешеточным распределением примеси Mn”, Письма в ЖЭТФ, 96:11 (2012), 790–793 ; E. S. Demidov, E. D. Pavlova, A. I. Bobrov, “High-temperature diamond-like Si-based ferromagnet with self-organized superlattice distribution of Mn impurity”, JETP Letters, 96:11 (2012), 706–709 |
5
|
| 5. |
А. П. Горшков, И. А. Карпович, Е. Д. Павлова, Н. С. Волкова, “Влияние облучения ионами He$^+$ на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами и точками In(Ga)As/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1542–1545 ; A. P. Gorshkov, I. A. Karpovich, E. D. Pavlova, N. S. Volkova, “Effect of He$^+$ ion irradiation on the photosensitivity spectra of In(Ga)As/GaAs quantum well and quantum dot heterostructures”, Semiconductors, 46:12 (2012), 1506–1509 |
2
|
| 6. |
А. П. Горшков, И. А. Карпович, Е. Д. Павлова, И. Л. Калентьева, “Влияние дефектообразования при встраивании $\delta$-слоя Mn на спектр фоточувствительности от квантовых ям InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 194–197 ; A. P. Gorshkov, I. A. Karpovich, E. D. Pavlova, I. L. Kalentyeva, “Influence of defect formation as a result of incorporation of a Mn $\delta$ layer on the photosensitiviy spectrum of InGaAs/GaAs quantum wells”, Semiconductors, 46:2 (2012), 184–187 |
7
|
|
