|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
И. В. Боднарь, В. А. Ящук, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский, “Выращивание, структура и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu$_2$ZnGeS$_4$”, Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022), 498–501   |
| 2. |
И. В. Боднарь, В. В. Хорошко, “Аномалии теплового расширения и теплопроводности монокристаллов CuIn$_7$Se$_{11}$”, Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022), 271–274 |
|
2021 |
| 3. |
И. В. Боднарь, А. А. Фещенко, В. В. Хорошко, В. Н. Павловский, И. Е. Свитенков, Г. П. Яблонский, “Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn$_{8}$S$_{12.5}$”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 669–672 |
| 4. |
И. В. Боднарь, А. А. Фещенко, В. В. Хорошко, “Тепловое расширение и теплопроводность твердых растворов (In$_{2}$S$_{3}$)$_{x}\cdot$ (AgIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 99–102 ; I. V. Bondar', A. A. Feshchenko, V. V. Khoroshko, “Thermal expansion and thermal conductivity of (In$_{2}$S$_{3}$)$_{x}$ (AgIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$ alloys”, Semiconductors, 55:2 (2021), 133–136 |
2
|
|
2020 |
| 5. |
И. В. Боднарь, А. А. Фещенко, В. В. Хорошко, “Ширина запрещенной зоны монокристаллов твердых растворов (In$_{2}$S$_3$)$_{x}$(AgIn$_{5}$S$_8$)$_{1-x}$”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1350–1354 ; I. V. Bondar', A. A. Feshchenko, V. V. Khoroshko, “Band gap of (In$_{2}$S$_3$)$_{x}$(AgIn$_{5}$S$_8$)$_{1-x}$ single-crystal alloys”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1611–1615 |
3
|
| 6. |
И. В. Боднарь, “Теплопроводность твердых растворов Cu$_{2}$ZnGe$_{1-x}$Sn$_{x}$Se$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 113–116 ; I. V. Bondar', “Thermal conductivity of Cu$_{2}$ZnGe$_{1-x}$Sn$_{x}$Se$_{4}$ alloys”, Semiconductors, 54:2 (2020), 159–162 |
| 7. |
И. В. Боднарь, “Выращивание и свойства монокристаллов FeIn$_{2}$S$_{3.6}$Se$_{0.4}$”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 31–35 ; I. V. Bondar', “On the growth and properties of FeIn$_{2}$S$_{3.6}$Se$_{0.4}$ single crystals”, Semiconductors, 54:1 (2020), 28–32 |
2
|
|
2019 |
| 8. |
И. В. Боднарь, Б. Т. Чан, В. Н. Павловский, И. Е. Свитенков, Г. П. Яблонский, “Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов MnAgIn$_{7}$S$_{12}$”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1621–1624 ; I. V. Bondar', B. T. Chan, V. N. Pavlovskii, I. E. Svitsiankou, G. P. Yablonskii, “Temperature dependence of the band gap of MnAgIn$_{7}$S$_{12}$ single crystals”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1593–1596 |
|
2018 |
| 9. |
И. В. Боднарь, С. А. Детков, Ю. В. Касюк, Ю. А. Федотова, “Выращивание монокристаллов FeIn$_{2}$S$_{2}$Se$_{2}$ и исследование их свойств”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1203–1206 ; I. V. Bondar', S. A. Detkov, Yu. V. Kasyuk, Yu. A. Fedotova, “On the growth of FeIn$_{2}$S$_{2}$Se$_{2}$ single crystals and the study of their properties”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1323–1326 |
2
|
| 10. |
И. В. Боднарь, Чан Бинь Тхан, “Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны твердых растворов (MnIn$_{2}$S$_{4}$)$_{1-x}$ $\cdot$ (AgIn$_{5}$S$_{8}$)$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 958–962 ; I. V. Bondar', Ch. B. Tkhan, “Crystal structure and band gap of (MnIn$_{2}$S$_{4}$)$_{1-x}$ $\cdot$ (AgIn$_{5}$S$_{8}$)$_{x}$ alloys”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1086–1090 |
3
|
|
2017 |
| 11. |
И. В. Боднарь, Т. Г. Баругу, Ю. В. Касюк, Ю. А. Федотова, “Твердые растворы (FeIn$_{2}$S$_{4}$)$_{x}$ $\cdot$ (AgIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$: кристаллическая структура, ядерные гамма-резонансные спектры и ширина запрещенной зоны”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1434–1438 ; I. V. Bondar', T. G. Barugu, Yu. V. Kasyuk, Yu. A. Fedotova, “(FeIn$_{2}$S$_{4}$)$_{x}$ $\cdot$ (AgIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$: Crystal structure, nuclear $\gamma$-Resonance spectra, and band gap”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1385–1389 |
| 12. |
И. В. Боднарь, Чан Бинь Тхан, “Монокристаллы Mn$_{0.1}$Ag$_{0.9}$In$_{4.7}$S$_{7.6}$: кристаллическая структура, ширина запрещенной зоны и тепловое расширение”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1071–1074 ; I. V. Bondar', Chan Bin Tkhan, “Mn$_{0.1}$Ag$_{0.9}$In$_{4.7}$S$_{7.6}$ single crystals: Crystal structure, band gap, and thermal expansion”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1027–1030 |
| 13. |
И. В. Боднарь, М. А. Жафар, Ю. В. Касюк, Ю. А. Федотова, “Монокристаллы твердых растворов (FeIn$_{2}$S$_{4}$)$_{x}$ $\cdot$ (CuIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$: кристаллическая структура, спектры ядерного гамма-резонанса и тепловое расширение”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 291–296 ; I. V. Bondar', M. A. Zhafar, Yu. V. Kasyuk, Yu. A. Fedotova, “Single crystals of (FeIn$_{2}$S$_{4}$)$_{x}$ $\cdot$ (CuIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$ alloys: Crystal structure, nuclear gamma resonance spectra, and thermal expansion”, Semiconductors, 51:3 (2017), 279–284 |
|
2016 |
| 14. |
И. В. Боднарь, “Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов соединений In$_{2}$S$_{3}$ и AgIn$_{5}$S$_{8}$”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1167–1172 ; I. V. Bondar', “Temperature dependence of the band gap of the single-crystal compounds In$_{2}$S$_{3}$ and AgIn$_{5}$S$_{8}$”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1145–1150 |
| 15. |
И. В. Боднарь, “Оптические свойства тонких пленок соединения In$_{2}$Se$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 731–734 ; I. V. Bondar', “Optical properties of In$_{2}$Se$_{3}$ thin films”, Semiconductors, 50:6 (2016), 715–718 |
7
|
| 16. |
И. В. Боднарь, “Анизотропия теплового расширения монокристаллов CuIn$_{5}$Se$_{8}$ двух структурных модификаций”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 577–581 ; I. V. Bondar', “Anisotropy of the thermal expansion of CuIn$_{5}$Se$_{8}$ single crystals in two structural modifications”, Semiconductors, 50:5 (2016), 567–571 |
| 17. |
И. В. Боднарь, И. А. Викторов, М. А. Жафар, С. А. Павлюковец, “Концентрационная зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов (CuIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$ $\cdot$ (FeIn$_{2}$S$_{4}$)$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 154–157 ; I. V. Bondar', I. A. Viktorov, M. A. Zhafar, S. A. Pauliukavets, “Compositional dependence of the band gap of (CuIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$ $\cdot$ (FeIn$_{2}$S$_{4}$)$_{x}$ alloys”, Semiconductors, 50:2 (2016), 154–157 |
3
|
|
2015 |
| 18. |
И. В. Боднарь, С. В. Труханов, Т. Г. Баругу, “Магнитные и электрические свойства монокристаллов Fe$_{0.9}$Ag$_{0.1}$In$_{2.3}$S$_{4.4}$”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1320–1324 ; I. V. Bondar', S. V. Trukhanov, T. H. Barugu, “Magnetic and electrical properties of Fe$_{0.9}$Ag$_{0.1}$In$_{2.3}$S$_{4.4}$ single crystals”, Semiconductors, 49:10 (2015), 1276–1280 |
4
|
| 19. |
И. В. Боднарь, “Ширина запрещенной зоны твердых растворов Cu$_2$ZnSn(S$_x$Se$_{1-x}$)$_4$”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1180–1183 ; I. V. Bondar', “On the band gap of Cu$_2$ZnSn(S$_x$Se$_{1-x}$)$_4$ alloys”, Semiconductors, 49:9 (2015), 1145–1148 |
2
|
| 20. |
И. В. Боднарь, “Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu$_2$ZnSnS$_4$”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 596–598 ; I. V. Bondar', “Temperature dependence of the band gap of Cu$_2$ZnSnS$_4$ single crystals”, Semiconductors, 49:5 (2015), 582–585 |
5
|
|
2014 |
| 21. |
И. В. Боднарь, “Ширина запрещенной зоны и тепловое расширение монокристаллов MnIn$_{5.0}$S$_{8.5}$”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1303–1306 ; I. V. Bondar', “On the band gap and thermal expansion of MnIn$_{5.0}$S$_{8.5}$ single crystals”, Semiconductors, 48:10 (2014), 1267–1270 |
| 22. |
И. В. Боднарь, “Ширина запрещенной зоны твердых растворов (FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$(In$_2$S$_3$)$_x$”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1194–1197 ; I. V. Bondar', “On the band-gap width of (FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$(In$_2$S$_3$)$_x$ alloys”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1163–1166 |
4
|
| 23. |
И. В. Боднарь, С. В. Труханов, “Магнитные свойства монокристаллов твердых растворов (FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$(CuIn$_5$S$_8$)$_x$”, Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 725–730 ; I. V. Bondar', S. V. Trukhanov, “Magnetic properties of (FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$(CuIn$_5$S$_8$)$_x$ single-crystal alloys”, Semiconductors, 48:6 (2014), 705–710 |
6
|
| 24. |
И. В. Боднарь, “Тепловое расширение и теплопроводность соединений In$_2$S$_3$, CuIn$_5$S$_8$ и твердых растворов
(CuIn$_5$S$_8$)$_{1-x}$(In$_2$S$_3$)$_x$”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 577–581 |
4
|
| 25. |
В. П. Мигаль, А. В. Бут, И. В. Боднарь, “Аномалии теплопроводности и электропроводности кристаллов CuIn$_5$Se$_8$”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 163–166 ; V. P. Migal', A. V. But, I. V. Bondar', “Anomalies in the thermal and electrical conductivity of CuIn$_5$Se$_8$ crystals”, Semiconductors, 48:2 (2014), 152–155 |
|
2013 |
| 26. |
И. В. Боднарь, М. А. Новикова, С. В. Труханов, “Магнитные свойства монокристаллов твердых растворов (FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$(In$_2$S$_3$)$_x$”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 580–585 ; I. V. Bondar', M. A. Novikova, S. V. Trukhanov, “Magnetic properties of (FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$(In$_2$S$_3$)$_x$ alloy single crystals”, Semiconductors, 47:5 (2013), 596–601 |
8
|
|
2012 |
| 27. |
И. В. Боднарь, В. В. Шаталова, “Ширина запрещенной зоны монокристаллов твердых растворов (In$_2$S$_3$)$_x$(CuIn$_5$S$_8$)$_{1-x}$”, Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012), 1146–1149 ; I. V. Bondar', V. V. Shatalova, “On the band gap in (In$_2$S$_3$)$_x$(CuIn$_5$S$_8$)$_{1-x}$ alloy single crystals”, Semiconductors, 46:9 (2012), 1122–1125 |
6
|
| 28. |
И. В. Боднарь, С. А. Павлюковец, С. В. Труханов, Ю. А. Федотова, “Мессбауэровские и магнитные исследования тройного соединения FeIn$_2$Se$_4$”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 624–628 ; I. V. Bondar', S. A. Pauliukavets, S. V. Trukhanov, Yu. A. Fedotova, “Mössbauer and magnetic studies of the ternary compound FeIn$_2$Se$_4$”, Semiconductors, 46:5 (2012), 606–610 |
16
|
| 29. |
И. В. Боднарь, “Тепловое расширение и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов CuIn$_5$S$_8$”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 620–623 ; I. V. Bondar', “Thermal expansion of CuIn$_5$S$_8$ single crystals and the temperature dependence of their band gap”, Semiconductors, 46:5 (2012), 602–605 |
16
|
| 30. |
И. В. Боднарь, “Концентрационная зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов Mn$_x$Fe$_{1-x}$In$_2$S$_4$”, Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012), 44–47 ; I. V. Bondar', “Concentration dependence of the band gap of Mn$_x$Fe$_{1-x}$In$_2$S$_4$ alloys on their composition”, Semiconductors, 46:1 (2012), 41–44 |
7
|
|
1993 |
| 31. |
К. В. Юмашев, В. П. Михайлов, И. В. Боднарь, М. И. Демчук, П. В. Прокошин, В. С. Гурин, С. П. Жмако, “Кинетика просветления и наведенного поглощения в стеклах с микрокристаллами CuInS<sub>2x</sub>Se<sub>2(1-x)</sub> при пикосекундном возбуждении”, Квантовая электроника, 20:9 (1993), 893–898 [K. V. Yumashev, V. P. Mikhailov, I. V. Bondar', M. I. Demchuk, P. V. Prokoshin, V. S. Gurin, S. P. Zhmako, “Kinetics of bleaching and induced absorption in glasses with CuInS<sub>2x</sub>Se<sub>2 (1–x)</sub> microcrystallites under picosecond excitation”, Quantum Electron., 23:9 (1993), 775–779  ] |
| 32. |
К. В. Юмашев, В. П. Михайлов, И. В. Боднарь, М. И. Демчук, П. В. Прокошин, Р. С. Дашян, “Пассивная синхронизация мод неодимовых лазеров с помощью стекол с микрокристаллами CuInS<sub>2x</sub>Se<sub>2(1-x)</sub>”, Квантовая электроника, 20:9 (1993), 890–892 [K. V. Yumashev, V. P. Mikhailov, I. V. Bondar', M. I. Demchuk, P. V. Prokoshin, R. S. Dashyan, “Passive mode locking of neodymium lasers using glasses with CuInS<sub>2x</sub>Se<sub>2(1–x)</sub> microcrystallites”, Quantum Electron., 23:9 (1993), 772–774 ] |
2
|
|
