|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
П. А. Бохан, К. С. Журавлев, Д. Э. Закревский, Т. В. Малин, Н. В. Фатеев, “Параметры стимулированного излучения в Al$_{0.65}$Ga$_{0.35}$N : Si/AlN/Al$_2$O$_3$-структуре с планарной геометрией”, Оптика и спектроскопия, 132:9 (2024), 911–917   |
| 2. |
В. Г. Мансуров, Т. В. Малин, Д. Д. Башкатов, Д. С. Милахин, К. С. Журавлев, “Химическая кинетика процесса нитридизации поверхности Si(111) при температурах ниже структурного фазового перехода (7$\times$7)$\to$(1$\times$1)”, Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024), 349–357 |
| 3. |
П. А. Бохан, К. С. Журавлёв, Д. Э. Закревский, Т. В. Малин, Н. В. Фатеев, “Оптическое усиление в сильнолегированных Al$_{0.65}$Ga$_{0.35}$N:Si-структурах при непрерывной накачке”, Письма в ЖТФ, 50:21 (2024), 39–42 |
|
2023 |
| 4. |
П. А. Бохан, К. С. Журавлев, Д. Э. Закревский, Т. В. Малин, Н. В. Фатеев, “Механизмы оптического усиления в сильно легированных Al$_x$Ga$_{1-x}$N:Si-структурах ($x$ = 0.56–1)”, Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023), 731–737 |
|
2022 |
| 5. |
П. А. Бохан, К. С. Журавлев, Д. Э. Закревский, Т. В. Малин, И. В. Осинных, Н. В. Фатеев, “Стимулированная эмиссия в сильно легированных Al$_{0.68}$Ga$_{0.32}$N : Si-структурах с поперечной оптической накачкой при комнатной температуре”, Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022), 1125–1131 |
| 6. |
И. В. Осинных, И. А. Александров, Т. В. Малин, К. С. Журавлев, “Определение типов оптических переходов и концентраций доноров и акцепторов в GaN по зависимости интенсивности фотолюминесценции от мощности возбуждения”, Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022), 802–807 |
| 7. |
Д. С. Милахин, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, А. С. Кожухов, Н. Н. Новикова, В. А. Яковлев, К. С. Журавлев, “Определение толщины зародышевого слоя AlN, сформированного на поверхности Al$_2$O$_3$(0001) в процессе нитридизации, методами РФЭС и ИК-спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022), 734–741 |
| 8. |
И. В. Осинных, Т. В. Малин, А. С. Кожухов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, К. С. Журавлев, “Трансформация N-полярных инверсных доменов из буферных слоев AlN в процессе роста слоев AlGaN”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 677–684 |
| 9. |
Я. Е. Майдэбура, Т. В. Малин, К. С. Журавлев, “Формирование квантовых точек GaN при повышении температуры в потоке аммиака”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 667–671 |
|
2021 |
| 10. |
П. А. Бохан, К. С. Журавлёв, Д. Э. Закревский, Т. В. Малин, И. В. Осинных, Н. В. Фатеев, “Особенности оптического усиления в сильнолегированных Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si-структурах”, Письма в ЖТФ, 47:14 (2021), 39–42 ; P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, D. È. Zakrevskii, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev, “Features of optical gain in heavily doped Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si-structures”, Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 692–695 |
1
|
|
2019 |
| 11. |
Д. С. Милахин, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, А. С. Кожухов, И. А. Александров, Н. В. Ржеуцкий, Е. В. Лебедок, Е. А. Разумец, К. С. Журавлев, “Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных $g$-AlN и $g$-Si$_{3}$N$_{3}$”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2327–2332 ; D. S. Milakhin, T. V. Malin, V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, A. S. Kozhukhov, I. A. Aleksandrov, N. V. Rzheutskii, E. V. Lebiadok, A. A. Razumets, K. S. Zhuravlev, “Forming the GaN nanocrystals on the graphene-like $g$-AlN and $g$-Si$_{3}$N$_{3}$ surface”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2329–2334 |
1
|
| 12. |
Н. Н. Новикова, В. А. Яковлев, С. А. Климин, Т. В. Малин, А. М. Гилинский, К. С. Журавлев, “Поверхностные поляритоны в пленках нитридов алюминия и галлия, легированных кремнием”, Оптика и спектроскопия, 127:1 (2019), 42–45 ; N. N. Novikova, V. A. Yakovlev, S. A. Klimin, T. V. Malin, A. M. Gilinskii, K. S. Zhuravlev, “Surface polaritons in silicon-doped aluminum and gallium nitride films”, Optics and Spectroscopy, 127:1 (2019), 36–39 |
2
|
| 13. |
П. А. Бохан, К. С. Журавлёв, Д. Э. Закревский, Т. В. Малин, И. В. Осинных, Н. В. Фатеев, “Оптическое усиление в сильнолегированных структурах Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N : Si”, Письма в ЖТФ, 45:18 (2019), 48–51 ; P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, D. È. Zakrevskii, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev, “Optical gain in heavily doped Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N : Si structures”, Tech. Phys. Lett., 45:9 (2019), 951–954 |
2
|
| 14. |
Т. В. Малин, Д. С. Милахин, И. А. Александров, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, А. А. Зайцев, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, В. Г. Мансуров, К. С. Журавлёв, “Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN”, Письма в ЖТФ, 45:15 (2019), 21–24 ; T. V. Malin, D. S. Milakhin, I. A. Aleksandrov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, A. A. Zaitsev, D. Yu. Protasov, A. S. Kozhukhov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, V. G. Mansurov, K. S. Zhuravlev, “Undoped high-resistance GaN buffer layer for AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 761–764 |
6
|
|
2018 |
| 15. |
В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, Т. В. Малин, C. А. Тийс, Е. В. Федосенко, А. С. Кожухов, К. С. Журавлев, Ildikó Cora, Béla Pécz, “Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1407–1413 ; V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, T. V. Malin, S. A. Teys, E. V. Fedosenko, A. S. Kozhukhov, K. S. Zhuravlev, Ildikó Cora, Béla Pécz, “Formation of a graphene-like SiN layer on the surface Si(111)”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1511–1517 |
7
|
| 16. |
Т. В. Малин, Д. С. Милахин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, А. С. Кожухов, В. В. Ратников, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, К. С. Журавлев, “Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 643–650 ; T. V. Malin, D. S. Milakhin, V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, A. S. Kozhukhov, V. V. Ratnikov, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, K. S. Zhuravlev, “Effect of the sapphire-nitridation level and nucleation-layer enrichment with aluminum on the structural properties of AlN layers”, Semiconductors, 52:6 (2018), 789–796 |
8
|
| 17. |
В. В. Ратников, М. П. Щеглов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, И. В. Осинных, Т. В. Малин, К. С. Журавлев, “Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании $x$ от 0 до 0.7 в слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 233–237 ; V. V. Ratnikov, M. P. Scheglov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, I. V. Osinnykh, T. V. Malin, K. S. Zhuravlev, “Change in the character of biaxial stresses with an increase in $x$ from 0 to 0.7 in Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si layers obtained by ammonia molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 52:2 (2018), 221–225 |
1
|
| 18. |
П. А. Бохан, К. С. Журавлёв, Д. Э. Закревский, Т. В. Малин, И. В. Осинных, Н. В. Фатеев, “Усиленная люминесценция сильнолегированных Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N-структур при оптическом возбуждении”, Квантовая электроника, 48:3 (2018), 215–221 [P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, D. È. Zakrevskii, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev, “Amplified luminescence of heavily doped Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N structures under optical pumping”, Quantum Electron., 48:3 (2018), 215–221   ] |
|
2017 |
| 19. |
К. С. Журавлев, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, О. Е. Терещенко, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, Я. М. Парнес, В. Г. Тихомиров, И. П. Просвирин, “AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 395–402 ; K. S. Zhuravlev, T. V. Malin, V. G. Mansurov, O. E. Tereshchenko, K. K. Abgaryan, D. L. Reviznikov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, Ya. M. Parnes, V. G. Tikhomirov, I. P. Prosvirin, “AlN/GaN heterostructures for normally-off transistors”, Semiconductors, 51:3 (2017), 379–386 |
5
|
| 20. |
П. А. Бохан, К. С. Журавлёв, Дм. Э. Закревский, Т. В. Малин, И. В. Осинных, Н. В. Фатеев, “Усиление излучения в легированных AlGaN-структурах при оптической накачке”, Письма в ЖТФ, 43:1 (2017), 5–13 ; P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, Dm. È. Zakrevskii, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev, “Radiation enhancement in doped AlGaN-structures upon optical pumping”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 46–49 |
2
|
|
2016 |
| 21. |
К. С. Журавлев, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, Я. М. Парнес, “Нормально закрытые транзисторы на основе in situ пассивированных гетероструктур AlN/GaN”, Письма в ЖТФ, 42:14 (2016), 72–79 ; K. S. Zhuravlev, T. V. Malin, V. G. Mansurov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, Ya. M. Parnes, “Normally off transistors based on in situ passivated AlN/GaN heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 750–753 |
3
|
|
2015 |
| 22. |
Т. В. Малин, А. М. Гилинский, В. Г. Мансуров, Д. Ю. Протасов, А. К. Шестаков, Е. Б. Якимов, К. С. Журавлев, “Синтез AlGaN/GaN-гетероструктур для ультрафиолетовых фотоприемников методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, ЖТФ, 85:4 (2015), 67–73 ; T. V. Malin, A. M. Gilinskii, V. G. Mansurov, D. Yu. Protasov, A. K. Shestakov, E. B. Yakimov, K. S. Zhuravlev, “MBE-grown AlGaN/GaN heterostructures for UV photodetectors”, Tech. Phys., 60:3 (2015), 546–552 |
3
|
| 23. |
Т. В. Малин, А. М. Гилинский, В. Г. Мансуров, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов, Е. Б. Якимов, К. С. Журавлев, “Увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в твердых растворах Al$_x$Ga$_{1-x}$N ($x$ = 0–0.1), полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1329–1334 ; T. V. Malin, A. M. Gilinskii, V. G. Mansurov, D. Yu. Protasov, A. S. Kozhukhov, E. B. Yakimov, K. S. Zhuravlev, “Increase in the diffusion length of minority carriers in Al$_x$Ga$_{1-x}$N ($x$ = 0–0.1) fabricated by ammonia molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 49:10 (2015), 1285–1289 |
6
|
| 24. |
Д. С. Милахин, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицин, К. С. Журавлев, “Нитридизация нереконструированной и реконструированной $(\sqrt{31}\times\sqrt{31})R\pm9^\circ$ поверхности (0001) сапфира в потоке аммиака”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 925–931 ; D. S. Milakhin, T. V. Malin, V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, K. S. Zhuravlev, “Nitridation of an unreconstructed and reconstructed $(\sqrt{31}\times\sqrt{31})R\pm9^\circ$ (0001) sapphire surface in an ammonia flow”, Semiconductors, 49:7 (2015), 905–910 |
2
|
|
2014 |
| 25. |
Д. Ю. Протасов, Н. Р. Вицина, Н. А. Валишева, Ф. Н. Дульцев, Т. В. Малин, К. С. Журавлев, “Использование маски из хрома для плазмохимического травления слоев Al$_x$Ga$_{1-x}$N”, ЖТФ, 84:9 (2014), 96–99 ; D. Yu. Protasov, N. R. Vitsina, N. A. Valisheva, F. N. Dultsev, T. V. Malin, K. S. Zhuravlev, “Chromium mask for plasma-chemical etching of Al$_x$Ga$_{1-x}$N layers”, Tech. Phys., 59:9 (2014), 1356–1359 |
| 26. |
И. В. Осинных, К. С. Журавлев, Т. В. Малин, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, “Уменьшение энергии связи доноров в слоях GaN : Si при сильном легировании”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1164–1168 ; I. V. Osinnykh, K. S. Zhuravlev, T. V. Malin, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, “Decrease in the binding energy of donors in heavily doped GaN:Si layers”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1134–1138 |
9
|
|
2013 |
| 27. |
Д. Ю. Протасов, Т. В. Малин, А. В. Тихонов, А. Ф. Цацульников, К. С. Журавлев, “Рассеяние электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 36–47 ; D. Yu. Protasov, T. V. Malin, A. V. Tikhonov, A. F. Tsatsul'nikov, K. S. Zhuravlev, “Electron scattering in AlGaN/GaN heterostructures with a two-dimensional electron gas”, Semiconductors, 47:1 (2013), 33–44 |
31
|
|
