|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. С. Паршин, Ю. Л. Михлин, Г. А. Александрова, “Спектроскопия потерь энергии отраженных электронов $\gamma$-Fe$_{2}$O$_{3}$”, Физика твердого тела, 63:8 (2021), 1049–1055   ; A. S. Parshin, Yu. L. Mikhlin, G. A. Alexandrova, “Spectroscopy of reflected electron energy losses of $\gamma$-Fe$_{2}$O$_{3}$”, Phys. Solid State, 63:8 (2021), 1294–1300 |
|
2016 |
| 2. |
А. С. Паршин, А. Ю. Игуменов, Ю. Л. Михлин, О. П. Пчеляков, В. С. Жигалов, “Сравнительный анализ спектров характеристических потерь энергии электронов и спектров сечения неупругого рассеяния в Fe”, Физика твердого тела, 58:5 (2016), 881–887 ; A. S. Parshin, A. Yu. Igumenov, Yu. L. Mikhlin, O. P. Pchelyakov, V. S. Zhigalov, “Comparative analysis of characteristic electron energy loss spectra and inelastic scattering cross-section spectra of Fe”, Phys. Solid State, 58:5 (2016), 908–914 |
7
|
| 3. |
А. С. Паршин, А. Ю. Игуменов, Ю. Л. Михлин, О. П. Пчеляков, В. С. Жигалов, “Исследование дисилицида железа методами электронной спектроскопии”, ЖТФ, 86:9 (2016), 136–140 ; A. S. Parshin, A. Yu. Igumenov, Yu. L. Mikhlin, O. P. Pchelyakov, V. S. Zhigalov, “Electron spectroscopy of iron disilicide”, Tech. Phys., 61:9 (2016), 1418–1422 |
4
|
| 4. |
А. С. Паршин, С. А. Кущенков, О. П. Пчеляков, Ю. Л. Михлин, “Послойный анализ методом спектроскопии сечения неупругого рассеяния электронов распределения диоксида кремния по толщине в структуре SiO$_{2}$/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 344–349 ; A. S. Parshin, S. A. Kushchenkov, O. P. Pchelyakov, Yu. L. Mikhlin, “Layer-by-layer analysis of the thickness distribution of silicon dioxide in the structure SiO$_{2}$/Si(111) by inelastic electron scattering cross-section spectroscopy”, Semiconductors, 50:3 (2016), 339–344 |
|
2015 |
| 5. |
А. С. Паршин, А. Ю. Игуменов, Ю. Л. Михлин, О. П. Пчеляков, А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, “Тонкая структура спектров сечения неупругого рассеяния электронов и поверхностный параметр Si”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 435–439 ; A. S. Parshin, A. Yu. Igumenov, Yu. L. Mikhlin, O. P. Pchelyakov, A. I. Nikiforov, V. A. Timofeev, “On the fine structure of spectra of the inelastic-electron-scattering cross section and the Si surface parameter”, Semiconductors, 49:4 (2015), 423–427 |
9
|
|
2014 |
| 6. |
А. С. Паршин, Е. П. Пьяновская, О. П. Пчеляков, Ю. Л. Михлин, А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, М. Ю. Есин, “Спектроскопия сечения неупругого рассеяния электронов наногетероструктур Ge$_x$Si$_{1-x}$”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 237–241 ; A. S. Parshin, E. P. P’yanovskaya, O. P. Pchelyakov, Yu. L. Mikhlin, A. I. Nikiforov, V. A. Timofeev, M. Yu. Yesin, “Inelastic electron scattering cross-section spectroscopy of Ge$_x$Si$_{1-x}$ nanoheterostructures”, Semiconductors, 48:2 (2014), 224–227 |
6
|
|
2011 |
| 7. |
А. С. Паршин, С. А. Кущенков, Г. А. Александрова, С. Г. Овчинников, “Новые возможности количественного анализа в спектроскопии потерь энергии отраженных электронов структур Fe/Si”, ЖТФ, 81:5 (2011), 69–74 ; A. S. Parshin, S. A. Kushchenkov, G. A. Alexandrova, S. G. Ovchinnikov, “New opportunities for quantitative analysis as applied to reflected electron energy loss spectroscopy of Fe/Si structures”, Tech. Phys., 56:5 (2011), 656–661 |
7
|
|
